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[发明专利]一种用于多电平拓扑的阵列自举驱动电路-CN202110555766.6有效
发明人：潘尚智;史敬祥;宫金武;查晓明 -专利权人：武汉大学
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子技术领域，具体涉及一种用于多电平拓扑的阵列自举驱动电路，包括两路辅助供电电源、自举驱动芯片、自举电容、主自举二极管和辅助自举二极管；主自举二极管采用级联连接结构，阳极连接低一级驱动芯片供电电源，阴极连接于所驱动的高端驱动芯片自举电容；辅助自举二极管采用直连结构，阳极连接至辅助供电电源，阴极连接至所驱动的高端驱动芯片自举电容；每级驱动芯片的主自举二极管和辅助自举二极管采用共阴极接法，构成阵列自举二极管网络该阵列自举驱动电路无需增加额外的辅助供电电源，仅通过增加辅助自举二极管实现对自举电容的多回路供电，从而缓解高端驱动芯片电压跌落现象，实现对高端驱动芯片的可靠供电。
一种用于电平拓扑阵列驱动电路

[发明专利]用于栅极驱动器的自举电路-CN202110635722.4在审
发明人：吴畏 -专利权人：达尔科技股份有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本申请案涉及用于栅极驱动器的自举电路。本发明涉及一种自举二极管电路，所述自举二极管电路包含用于耦合到电源电压端子的阳极及用于耦合到自举电压端子的阴极。所述自举二极管电路还包含高压p型金属氧化物半导体PMOS晶体管，其具有形成所述自举二极管电路的所述阴极的源极及形成所述自举二极管电路的所述阳极的漏极。所述高压PMOS晶体管具有在量值上高于最大自举电压与电源电压之间的电压降的击穿电压。
用于栅极驱动器电路

[发明专利]自举二极管仿真器电路-CN201711344011.1有效
发明人：陈安邦 -专利权人：科域科技有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H03K17/06 文献下载
摘要：一种自举二极管仿真器电路，包括晶体管器件和二极管式器件。晶体管器件被布置在自举二极管仿真器电路的阴极处。二极管式器件的阴极连接到晶体管器件而二极管式器件的阳极形成所述自举二极管仿真器电路的阳极。
二极管仿真器电路

[发明专利]一种半桥驱动电路-CN202210780589.6在审
发明人：谭在超;涂才根;罗寅;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种半桥驱动电路，包括逻辑控制模块、电平转换模块、高边驱动模块、低边驱动模块、自举电容C1、高边NMOS管N1和低边NMOS管N2，还包括自举二极管替代模块，通过低边驱动模块输出端LO的信号控制自举二极管替代模块的通断本发明通过在半桥驱动芯片内部集成自举二极管替代模块，用于替代原本设置在芯片外部的快恢复自举二极管，可以极大的节省方案成本，同时该自举二极管替代模块由MOS管控制导通和关断，截止速度快，可以提升应用的安全性
一种驱动电路

[实用新型]一种升压自举供电电路-CN202120383549.9有效
发明人：魏勇军;禹贵云;刘波;石天兵;杨晓平 -专利权人：成都华普电器有限公司
申请日： 2021-02-21 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：一种升压自举供电电路，包括输入电压端、输出电压端及与其连接的升压控制芯片，所述升压控制芯片连接有升压电路，所述升压控制芯片的电源输入端与输出电压端之间连接有自举电路，所述自举电路包括NPN管，所述NPN管发射极连接所述电源输入端，基极连接齐纳二极管负极并连接自举二极管和整流二极管负极，所述齐纳二极管正极接地，自举二极管和整流二极管正极分别连接输出电压端和输入电压端，所述NPN管集电极还连接输入电压端。本实用新型采用增加两颗小电流二极管的形式，就可使整个电路的电压适应范围更宽。本实用新型增加的器件数量少，对体积和成本方面不会造成大的影响，相比更换电压适应范围更广的芯片在成本方面更具有优势。
一种升压供电电路

[发明专利]感性负载电压脉宽调制去磁电路-CN201610523778.X有效
发明人：姜文耀;陶勇 -专利权人：浙江桃园科技有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H03K17/695 文献下载
摘要：输入保护整流电路由TVS管或者双向稳压二极管，四个整流二极管组成；去磁主电路由NMOS管M1、负载L1、续流二极管D6、去磁稳压二极管D8(或电阻)、自举升压电容C1、自举升压辅助二极管D7、自举升压电容充放电回路控制二极管D10(可去除)、自举分压电阻R1(可去除)、自举分压电阻R2(阻值可为零)、驱动分压电阻R3、驱动分压电阻R4(阻值可为零)、脉宽调制阶段导通NMOS管M2(或三极管)、防NMOS管击穿稳压二极管D9
感性负载电压脉宽调制磁电

[实用新型]一种感性负载电压脉宽调制去磁电路-CN201620701066.8有效
发明人：姜文耀;陶勇 -专利权人：浙江桃园科技有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H03K17/695 文献下载
摘要：输入保护整流电路由TVS管或者双向稳压二极管，四个整流二极管组成；去磁主电路由NMOS管M1、负载L1、续流二极管D6、去磁稳压二极管D8(或电阻)、自举升压电容C1、自举升压辅助二极管D7、自举升压电容充放电回路控制二极管D10(可去除)、自举分压电阻R1(可去除)、自举分压电阻R2(阻值可为零)、驱动分压电阻R3、驱动分压电阻R4(阻值可为零)、脉宽调制阶段导通NMOS管M2(或三极管)、防NMOS管击穿稳压二极管D9
一种感性负载电压脉宽调制磁电

[实用新型]用于驱动直流电机的集成功率模块-CN201620555694.X有效
发明人：陈颜;吴美飞 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H02P7/298 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于驱动直流电机的集成功率模块，其特征在于，包括引线框架，所述引线框架具有多个管芯垫和多个管脚；多个驱动模块，所述多个驱动模块分别根据输入信号产生驱动信号；多个开关管，所述多个开关管分别根据各自的驱动信号导通或断开；多个自举网络，所述多个自举网络分别包括自举二极管和自举电容；塑封料，用于覆盖所述多个驱动模块、所述多个开关管和所述多个自举网络，所述多个自举网络分别包括自举二极管和自举电容，其中，所述多个驱动模块、所述多个开关管和所述多个自举网络的自举二极管和自举电容安装在所述多个管芯垫的相应管芯垫上该集成功率模块将自举二极管和自举电容内置于封装中，利用塑封料的绝缘性能满足绝缘要求，同时兼容现有封装规格。
用于驱动直流电机集成功率模块

[发明专利]高压自举二极管复合器件结构-CN202010236345.2有效
发明人：乔明;李贺珈;袁章亦安;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提出一种在节省芯片面积、保证低泄漏电流、不额外添置控制电路的情况下，满足高耐压特性的高压自举二极管复合器件结构，所述复合器件可有效代替高压栅驱动芯片中的自举二极管，实现和优化自举二极管的功能。该复合器件由高压JFET和二极管组成，可用于高压栅驱动电路高侧电路的电平位移模块中，其中JFET源极与二极管阴极通过金属相连，由此形成高压自举二极管复合器件。版图布局方面，该复合器件与用于电平位移的分区RESURF结构或自屏蔽结构的LDMOS组合形成高侧电路环岛，与岛内的高压电路形成高侧电路，共同控制高侧功率晶体管的开启与关断。
高压二极管复合器件结构

[发明专利]自举电路、逆变器和空调器-CN201410353346.X在审
发明人：张嘉鑫;卓森庆;李发顺 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2014-07-23 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H03K17/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种自举电路，包括第一二极管D1、三极管Q1、第一电阻R2、第一电容器C3和稳压二极管D3；三极管Q1的基极连接稳压二极管D3的阴极，稳压二极管D3的阳极作为自举电路的电压参考端；三极管Q1的发射极作为自举电路的输出端，三极管Q1的发射极与稳压二极管的阳极之间串联第一电容器C3；三极管Q1的集电极连接第一二极管D1的阴极，第一二极管D1的阳极连接至输入电源；第一电阻R2串联在三极管Q1的基极和三极管本发明的自举电路、逆变器和空调器，实现了该自举电路具有精确稳定的自举电压的目的，提高了逆变器的性能。
电路逆变器空调器

[实用新型]自举电路、逆变器和空调器-CN201420412295.9有效
发明人：张嘉鑫;卓森庆;李发顺 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2014-07-23 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H03K17/56 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种自举电路，包括第一二极管D1、三极管Q1、第一电阻R2、第一电容器C3和稳压二极管D3；三极管Q1的基极连接稳压二极管D3的阴极，稳压二极管D3的阳极作为自举电路的电压参考端；三极管Q1的发射极作为自举电路的输出端，三极管Q1的发射极与稳压二极管的阳极之间串联第一电容器C3；三极管Q1的集电极连接第一二极管D1的阴极，第一二极管D1的阳极连接至输入电源；第一电阻R2串联在三极管Q1的基极和三极管Q1的集电极之间。本实用新型的自举电路、逆变器和空调器，实现了该自举电路具有精确稳定的自举电压的目的，提高了逆变器的性能。
电路逆变器空调器

[实用新型]驱动集成器件和半桥驱动控制系统-CN202222115872.5有效
发明人：杨小华 -专利权人：深圳市创芯微微电子有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：驱动集成器件包括封装体和设置在封装体内的驱动芯片、自举二极管、限流电阻和自举电容，封装体包括电源引脚、第一输出引脚和第二输出引脚。驱动芯片包括电源端、第一输出端和第二输出端。驱动芯片的端口连接封装体对应的引脚；自举二极管的第一极连接电源引脚；自举二极管的第二极连接限流电阻的第一极，限流电阻的第二极连接第一输出引脚；自举电容连接第一输出引脚和第二输出引脚。本申请的驱动集成器件将驱动芯片、自举二极管、限流电阻和自举电容一起封装在同一封装体内，降低了外围电路的复杂程度，并且提升驱动电路的可靠性，降低成本，减小了元件面积，同时满足门级驱动芯片需求。
驱动集成器件控制系统

[发明专利]适用于高速GaN功率器件栅驱动的开关MOS自举充电电路-CN201810620518.3有效
发明人：明鑫;辛杨立;胡晓冬;张宣;潘溯;王卓;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：适用于高速GaN功率器件栅驱动的开关MOS自举充电电路，属于电子电路技术领域。包括反相器链、二极管、电荷泵电容和开关管，反相器链的输出端通过电荷泵电容后连接二极管的阴极，二极管的阳极连接电源电压；开关管的栅极连接二极管的阴极，其漏极作为开关MOS自举充电电路的输出端；开关MOS自举充电电路还包括电平位移模块、恒流源模块和开关模块，电平位移模块的输入端作为开关MOS自举充电电路的输入端，其输出端连接反相器链的输入端；恒流源模块接在开关管的栅极和地之间；开关模块接在开关管的源极和电源电压之间。本发明能够解决传统开关MOS自举电路中存在的开关管误开启和自举电容过充电的问题。
自举充电电路开关管二极管反相器链输入端阴极电荷泵电容恒流源模块电平位移电源电压开关模块输出端电子电路技术输出端连接驱动传统开关阳极连接栅极连接自举电路自举电容过充电误开启漏极源极

[发明专利]一种可控二极管自举绝热电路及四级反相器/缓冲器-CN201610836642.4有效
发明人：胡建平;余峰 -专利权人：宁波大学
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H03K19/0944 文献下载
摘要：本发明公开了一种可控二极管自举绝热电路及四级反相器/缓冲器，可控二极管自举绝热电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管；四级反相器/缓冲器包括四个可控二极管自举绝热电路；优点是采用较少数量的MOS管，电路结构简单，延时和功耗得到降低，第五NMOS管和第六NMOS管构成可控二极管自举绝热电路的输出端和时钟端之间的可控二极管反馈通路
一种可控二极管自绝热电路四级反相器缓冲器

[发明专利]三电平转换器-CN201980069276.6在审
发明人：石仓祐树 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2019-10-01 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：在与对第2开关组(40)中位于最靠低电位侧的开关元件(41)进行驱动的驱动电路(25C)连接的自举二极管(71B)的阴极，连接第2开关组(40)的其它的自举二极管(71B)的阳极。在与对第3开关组(50)中位于最靠低电位侧的开关元件(51)进行驱动的驱动电路(25E)连接的自举二极管(71D)的阴极，连接第3开关组(50)的其它的自举二极管(71E)的阳极。在与对第4开关组(60)中位于最靠低电位侧的开关元件(61)进行驱动的驱动电路(25G)连接的自举二极管(71F)的阴极，连接第4开关组(60)的其它的自举二极管(71G)的阳极。
电平转换器

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