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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]用于处理腔室中的腔室部件-CN201721058541.5有效
发明人：王建齐;尤吉塔·巴瑞克;朱丽亚·巴文;凯文·A·派克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开内容的实现方式提供用于处理腔室中的腔室部件。腔室部件包括：主体，所述主体在等离子体处理腔室中使用；氧化物阻挡层，所述氧化物阻挡层形成在主体的暴露表面的至少一部分上，氧化物阻挡层具有2gm/cm3或大于2gm/cm3的密度；以及氟氧化铝层，所述氟氧化铝层形成在氧化物阻挡层上
氧化物阻挡层氟氧化铝腔室部件处理腔室等离子体处理腔室暴露表面

[实用新型]处理腔室及用于外延腔室中的部件和锥体-CN201721036183.8有效
发明人：大木慎一;森义信;青木裕司 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开一种处理腔室及用于外延腔室中的部件和锥体。本文中描述了一种外延沉积腔室，比如高生长速率外延腔室，所述外延沉积腔室在腔室中圆顶上方具有上部锥体，用于控制空气流。所述上部锥体在所述腔室中具有由两个或更多个间隙分离的第一部件和第二部件，每个部件具有部分圆柱形区域和从所述部分圆柱形区域延伸的部分圆锥形区域，所述部分圆柱形区域具有第一凹形内表面、第一凸形外表面、以及所述第一凹形内表面的固定曲率半径
凹形内表面腔室圆柱形区域外延沉积腔室凸形外表面圆锥形区域处理腔室上部锥体锥体本实用新型高生长空气流延伸圆顶

[发明专利]腔室的内衬和腔室-CN201710357147.X有效
发明人：张军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种腔室的内衬和腔室。该腔室的内衬包括抽气内衬和均流内衬，所述均流内衬环绕设置于所述抽气内衬的内侧，所述均流内衬至少包括本体和隔离部，所述隔离部上开设有至少两个孔洞，以将所述均流内衬与所述抽气内衬之间的间隙隔离为连通的进气区域与出气区域；所述腔室内的气体经所述进气区域进入所述孔洞进行均流后，进一步通过所述抽气区域连通的排气口排出至所述抽气内衬的外部。该腔室的内衬，实现了对出气口与进气口之间的空间区域的划分，实现了工艺气体及副产物经过匀流后被真空抽走，实现了气体分布的均匀性。
内衬

[发明专利]腔室组件及反应腔室-CN201810457537.9有效
发明人：师帅涛;丁安邦;陈鹏;史小平;李春雷;兰云峰 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种腔室组件及反应腔室，该腔室组件包括：电极板，其与射频源电连接，且在电极板上设置有进气口；匀流部件，其采用绝缘材料制作，且与电极板共同构成匀流空间，进气口与匀流空间连通，并且在匀流部件上设置有多个出气口，出气口分别与匀流空间和反应腔室连通。本发明提供的腔室组件，其避免产生空心阴极放电，从而可以提高等离子体的稳定性。
组件反应

[发明专利]腔室组件及反应腔室-CN201811511088.8有效
发明人：王帅伟;兰云峰;王勇飞 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种腔室组件，包括腔体、腔室盖，其特征在于，还包括铰接模块，所述铰接模块设置在所述腔体与所述腔室盖之间，用于实现所述腔室盖的开合，且在所述铰接模块内设有气体通路，所述气体通路用于将外部气源提供的工艺气体经所述腔体和所述腔室盖通入所述腔体的内部即使腔室盖处于开启状态，气体通路仍然处于封闭状态，而不会暴露在大气环境中，从而避免了在开启腔室盖，以取放衬底或者维护腔室时，因人为操作导致的颗粒掉落进气体通路，进而可以保证腔室的洁净度，降低薄膜的颗粒缺陷
组件反应

[发明专利]工艺腔室检测装置及检测工艺腔室中工艺环境的方法-CN201410180605.3有效
发明人：赵可可 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种工艺腔室检测装置及检测工艺腔室中工艺环境的方法，在工艺腔室中设置有检测工艺腔室中工艺环境的装置，所述装置包括检测器和检测电路；检测电路包括稳压电源和测试电阻，稳压电源的一端接地，稳压电源的另一端与测试电阻的一端电连接；测试电阻的另一端与检测器电连接；检测器置于工艺腔室的腔体的内部，检测器用于检测所述工艺腔室内的离子流密度。检测工艺腔室中工艺环境的方法的工作步骤如下：开始工艺，在工艺腔室中激发产生等离子体后，测量所述测试电阻两端的电压；然后根据测得的所述电压计算工艺腔室内离子流的密度，与离子流的密度的正常值范围进行比对。本发明的工艺腔室和方法达到实时检测腔室中工艺环境的目的。
工艺检测环境方法

[发明专利]电浆腔室及在此电浆腔室中处理基底的方法-CN200510069959.1无效
发明人：艾力克斯恩德·派特森;伊莉莎白·G·佩弗;凡廉泰·N·特都罗;汉·蓝·纳格彦;汤玛斯·J·阔培尼克;布莱恩·K·海雀;约翰·P·后兰 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 2005-04-30 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明是有关于一种电浆腔室及在此电浆腔室中处理基底的方法。其提供一种蚀刻或化学气相沉积电浆制程和装置，其可藉由传送至电浆制程腔室中的多个电浆控制器件的电源的脉冲调变，而在基底的表面上产生均匀的电浆。在电浆制程腔室中所产生及/或维持的电浆的形成方法是使用传送至射频电源的能量在进行电浆制程步骤期间，藉由一个或多个电浆控制器件来控制、产生、增强及/或塑型电浆。
电浆腔室电浆腔室中处理基底方法

[发明专利]腔室-CN201611061883.2在审
发明人：杨敬山;郭浩 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：本发明提供一种腔室，包括用于承载被加工工件的承载件，以及设置在其上方的加热装置，该加热装置用于朝向被加工工件辐射热量，加热装置包括：安装板，设置在承载件的上方；热源，设置在安装板的下方，且沿安装板的周向间隔分布本发明提供的腔室，其可以满足对多种尺寸的被加工工件的加热均匀性的要求。
安装板被加工工件加热装置热源调节组件承载件腔室加热均匀性辐射热量径向移动周向间隔种腔室承载

[发明专利]清洁EUV腔室中的结构表面-CN201980012976.1在审
发明人：夏春光;白宗薰;J·T·斯特瓦特四世;A·D·拉弗格;D·范海杰恩斯伯根;D·R·埃文斯;N·V·德兹奥姆卡纳;马悦 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2019-02-12 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：在一些总体方面，使用一种方法清洁极紫外(EUV)光源的腔室内的结构的表面。该方法包括生成存在于邻近腔室内的非导电体的位置处的材料的等离子体状态。该方法还包括使得等离子体粒子能够经过结构表面，以在不从EUV光源的腔室中去除结构的情况下，从结构表面去除碎片。
清洁 euv 中的结构表面

[发明专利]在处理腔室中的气体控制-CN201680030283.1有效
发明人：梁奇伟;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;怡利·Y·叶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：提供一种处理腔室，包括侧壁、基板支撑件、以及设置于基板支撑件上方的排气口。在排气口与基板支撑件之间形成有处理区域，且排气口耦接到排气器件，排气器件经构造以在相对于处理区域的排气口处建立低压。处理腔室进一步包括气体环，气体环包括具有内表面的环形主体，内表面环绕环形区域。气体环进一步包括多个第一喷嘴，多个第一喷嘴耦接到第一气源，并经构造以将第一气体传递至处理区域。
处理中的气体控制

[实用新型]处理腔室中的RF接地条-CN201920052299.3有效
发明人：英玛;陈世章;甄耿;安德鲁·门;尚安 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01R11/01 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种在处理腔室中使用的接地条，所述接地条包括：核心主体；和铝层，所述铝层涂在并且覆盖所述核心主体的周围；其中所述铝层具有超过15μm的厚度。此外，提供一种处理腔室，所述处理腔室包括：腔室主体，所述腔室主体界定内部空间；基座，所述基座布置在所述内部空间中，用于在其上支撑基板；至少一个接地条，所述至少一个接地条连接在所述腔室主体和所述基座之间；
接地条铝层处理腔室核心主体腔室主体本实用新型上支撑基板界定覆盖

[发明专利]智能腔室及智能腔室元件-CN201910307866.X在审
发明人：西蒙·尼古拉斯·宾斯;布赖恩·T·韦斯特;罗纳德·维恩·肖尔;罗杰·M·约翰逊;迈克尔·S·考克斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-02-16 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：处理腔室包括腔室主体、一或多个监控装置，及一或多个天线，腔室主体具有设置于腔室主体上的腔室盖组件，一或多个监控装置与腔室盖组件耦接，一或多个天线邻近于与一或多个监控装置通信的腔室盖组件设置。
监控装置腔室主体腔室盖智能腔天线元件处理组件设置腔室耦接邻近通信

[发明专利]腔室冷却装置及反应腔室-CN201910160484.9有效
发明人：弓利军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种腔室冷却装置及反应腔室，包括槽状本体、隔水板、冷却管和多个喷嘴，其中，冷却管设置在槽状本体相对的两个侧边，且用于向多个喷嘴中通入冷却介质，多个喷嘴用于向槽状本体中通入冷却介质，隔水板覆盖在槽状本体上，并在隔水板中设置有供冷却介质通过的中心通孔，多个喷嘴分为两组，分别对应设置在槽状本体相对两个侧边的冷却管上；每个喷嘴的出口方向满足自每个喷嘴的出口喷出的冷却介质均朝向贯穿中心通孔的径向轴线的方向流动。本发明提供的腔室冷却装置及反应腔室，其能够避免空气在槽状本体中无法排除，并且减少槽状本体中冷却介质乱流的情况发生，从而提高腔室冷却装置的冷却效果。
冷却装置反应

[发明专利]组合处理腔室和处置腔室-CN201910130024.1有效
发明人：王安川;X·陈;Z·李;H·哈玛纳;Z·陈;C-M·徐;J·黄;N·K·英格尔;D·卢博米尔斯基;S·文卡特拉马;R·撒库尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-03-06 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及组合处理腔室和处置腔室。提供用于控制湿气污染物造成的工艺缺陷的系统、腔室及工艺。系统可提供用于腔室的配置以在真空或受控环境中施行多项操作。腔室可包括组合腔室设计中的配置以提供附加处理功能。
组合处理处置

[实用新型]用于处理腔室的腔室部件-CN201820695755.1有效
发明人：邬笑炜;D·芬威克;詹国栋;J·Y·孙;M·R·赖斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：公开了一种用于处理腔室的腔室部件。腔室部件包括：由金属或陶瓷中的至少一种构成的制品；以及在所述制品的至少一个表面上的钇基氧氟化物层，所述钇基氧氟化物层具有10nm至300μm的厚度，并且其中所述钇基氧氟化物层具有选自由以下构成的组的成分
腔室部件氧氟化物钇基处理腔室复合陶瓷第二相陶瓷金属自由

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