专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]磁控阴极溅射镀膜工艺-CN201320412833.X有效
  • 陆仁立 - 重庆春江镀膜玻璃有限公司
  • 2013-07-11 - 2014-01-29 - C23C14/35
  • 本实用新型涉及玻璃镀膜生产技术领域,公开一种磁控阴极溅射镀膜工艺,包括依次连通的入口气锁、入口真空缓冲、磁控阴极溅射镀膜真空、出口真空缓冲和出口气锁,所述入口真空缓冲包括至少4个缓冲单元腔,磁控阴极溅射镀膜真空包括至少16个溅射单元腔,所述出口真空缓冲包括至少4个缓冲单元腔;本实用新型的磁控阴极溅射镀膜工艺,在磁控阴极溅射镀膜真空两端设置真空缓冲和锁定,可有效降低玻璃基片进出磁控阴极溅射镀膜真空造成的气体泄漏,提高磁控阴极溅射镀膜真空真空度,并使其维持在稳定的水平,从而提高镀膜质量。
  • 阴极溅射镀膜工艺
  • [实用新型]一种真空镀膜设备-CN202320698014.X有效
  • 请求不公布姓名 - 广东利元亨智能装备股份有限公司
  • 2023-03-31 - 2023-08-22 - C23C14/56
  • 本实用新型公开了一种真空镀膜设备,真空镀膜设备包括进料腔缓冲、工艺腔、出料腔真空泵,进料腔和工艺腔之间以及工艺腔和出料腔之间均设置有缓冲缓冲的第一端连接工艺腔缓冲的第二端连接进料腔或出料腔缓冲的侧壁设置有真空泵,靠近缓冲第一端的真空泵数量多于靠近缓冲第二端的真空泵。利用真空泵在缓冲形成第二端向第一端的气流,在缓冲与工艺腔连通时,能够减少工艺气体从工艺腔缓冲的流动,且在缓冲连通进料腔或出料腔时,缓冲中第二端向第一端的气流也能够防止工艺气体泄漏至大气本实用新型可广泛应用于真空镀膜技术领域。
  • 一种真空镀膜设备
  • [实用新型]一种导光板制程中的防堵真空-CN202221371201.9有效
  • 华金峰;王永华 - 江苏瀚阳新材料科技有限公司
  • 2022-06-03 - 2023-01-24 - B29C48/275
  • 本实用新型公开了一种导光板制程中的防堵真空罐,包括真空罐和与真空罐相连的真空泵,真空罐包括上下设置的真空缓冲真空缓冲分别通过第一真空管道和第二真空管道与真空泵相连,真空通过第三真空管道与挤出机相连,真空的底部设有第一闸门,缓冲的侧壁上设置有第二闸门,第一闸门与第二闸门上分别连接有第一控制器和第二控制器,第一控制器和第二控制器分别与控制系统电连接。通过将真空罐分设为真空缓冲真空设置在缓冲的上方,真空废料罐发生堵料时,打开第一闸门,废料下落至缓冲,关闭第一闸门,清理废料时只需要清理缓冲即可,过程中不会影响挤出机的真空度,可有效减少物料浪费
  • 一种导光板中的真空
  • [实用新型]一种真空镀膜设备用真空缓冲-CN201320199063.5有效
  • 薛辉;昌江 - 芜湖真空科技有限公司
  • 2013-04-19 - 2014-04-02 - C23C14/56
  • 本实用新型公开了一种真空镀膜设备用真空缓冲,包括真空缓冲本体(1)、门(3),以及安装在门(3)上分子泵(4),真空缓冲还包括位于真空缓冲本体(1)内部的气体分割阀(2),气体分割阀(2)由若干块镜面板组成,并通过螺栓安装在真空缓冲本体(1)的内部,气体分割阀(2)的连接部位为腰形孔,通过螺栓与腰形孔的安装位置调节气体分割阀的宽度。具有上述结构的该种真空镀膜设备用真空缓冲,由于相邻的真空缓冲安装有气体分隔阀,气体分隔阀利用其本身的长度和宽度来限制相邻真空气氛的直接大面积流通,基本上避免相互之间的气氛影响,从而大大减小了各自真空的实际气氛与理论气氛的差距
  • 一种真空镀膜备用真空缓冲
  • [实用新型]一种连续作业真空加热装置-CN201620904084.6有效
  • 汪根生;游锦山;任小体;王勇;武鹏程;张鹏 - 合肥亿福自动化科技有限公司
  • 2016-08-19 - 2017-02-08 - F27B5/05
  • 一种连续作业真空加热装置,包括真空本体、加热装置、耐火层和真空机组一,所述的真空本体前方设有门结构一,所述的真空本体侧方设有与其连通的上下料缓冲,所述的上下料缓冲上设有闸门、移动台和真空机组二,所述的闸门设置在上下料缓冲真空本体连通处,所述的移动台通过滑轨设置在上下料缓冲底部,所述的上下料缓冲上还设有与移动台匹配的水平伸缩结构和与闸门匹配的上下伸缩结构。本实用新型克服了现有技术的不足,在连续作业的时候无需对真空本体进行多次抽真空,同时在缓冲室内完成上料和下料,最大程度的减少热量的损失,在节约电力效率的同时,提高了处理效率。
  • 一种连续作业真空加热装置
  • [发明专利]一种双端进出的玻璃镀膜设备-CN201710942947.8在审
  • 朱刚毅;朱刚劲;朱文廓 - 广东腾胜真空技术工程有限公司
  • 2017-10-11 - 2018-01-05 - C23C14/56
  • 本发明涉及一种双端进出的玻璃镀膜设备,包括依次连接且均设有滚筒传送机构的前进出片、前过渡、前缓冲、镀膜、后缓冲、后过渡、后进出片;前进出片的出入口处设有真空锁,前进出片和前过渡之间设有真空锁,前过渡和前缓冲之间设有真空锁,后缓冲和后过渡之间设有真空锁,后过渡和后进出片之间设有真空锁,后进出片的出入口处设有真空锁;连通的前缓冲、镀膜、后缓冲形成相通的真空;镀膜室内设有多个定向旋转靶
  • 一种进出玻璃镀膜设备
  • [实用新型]一种双端进出的玻璃镀膜设备-CN201721312022.7有效
  • 朱刚毅;朱刚劲;朱文廓 - 广东腾胜真空技术工程有限公司
  • 2017-10-11 - 2018-05-18 - C23C14/56
  • 本实用新型涉及一种双端进出的玻璃镀膜设备,包括依次连接且均设有滚筒传送机构的前进出片、前过渡、前缓冲、镀膜、后缓冲、后过渡、后进出片;前进出片的出入口处设有真空锁,前进出片和前过渡之间设有真空锁,前过渡和前缓冲之间设有真空锁,后缓冲和后过渡之间设有真空锁,后过渡和后进出片之间设有真空锁,后进出片的出入口处设有真空锁;连通的前缓冲、镀膜、后缓冲形成相通的真空;镀膜室内设有多个定向旋转靶
  • 一种进出玻璃镀膜设备
  • [实用新型]连续真空镀膜装置-CN200920056199.4无效
  • 钟肇兰 - 钟肇兰
  • 2009-05-11 - 2010-05-05 - C23C14/35
  • 一种多连续真空镀膜装置,包括有依次串联、由6台阀门隔开的以下的、进片真空2-前缓冲真空4-前过渡真空6-镀膜真空8-后过渡真空9-后缓冲真空11-出片真空13;在镀膜真空8里,装设有若干条的靶条7;各真空连接有真空发生装置,包括连接在进、出片真空的前、后初级抽真空系统16、22、连接在前、后缓冲真空的前、后缓冲深度排气系统17,21,连接在前、后过渡真空的前、后深度排气系统18和20,和连接在镀膜真空的镀膜深度排气系统19。本实用新型装置真空度平稳、不波动,镀膜质量好,缩短了在进、出片的排气时间,提高生产效率,真空的配置合理、效率高。适用于各种连续生产的真空镀膜装置。
  • 连续真空镀膜装置
  • [发明专利]一种激光烧结制晶体硅太阳能电池背电极的设备-CN201110208650.1无效
  • 刘莹 - 刘莹
  • 2011-07-11 - 2013-01-16 - H01L31/18
  • 设备包括连续式真空、气路控制系统、电控系统、加热系统、镀膜系统、激光系统、抽气系统。其中真空1为进片真空2为缓冲真空3为溅射镀铝膜真空4为缓冲真空5为激光烧结真空6为缓冲真空7为出片,进出片装有可手动开关的真空门,同时可翻转进出片,缓冲、镀膜及激光烧结设有对基片加热的预热系统。真空之间以高真空阀门相联接,并具有可独立无级调速的传动系统。真空机组由机械泵组、废气处理装置、阀门及管道系统等组成。电控系统的PLC控制器控制气体的压强、加热温度、传动系统。
  • 一种激光烧结晶体太阳能电池电极设备
  • [发明专利]一种连续镀膜电子磁控溅射装置-CN202310026652.1在审
  • 励佩燕 - 宁波新鑫玻璃科技有限公司
  • 2023-01-09 - 2023-05-05 - C23C14/56
  • 本发明提供一种连续镀膜电子磁控溅射装置,属于连续磁控溅射镀膜技术领域,包括真空缓冲隔离、预真空真空与多个缓冲隔离及多个预真空相互连通并一字排开,真空居中设置其两端与缓冲隔离连通,缓冲隔离一端与预真空连通,还包括:第一传送架、第二传送架、镀材架、靶材架;第一传送架用于输送镀材依次穿过真空缓冲隔离及预真空;第二传送架一端的预真空的侧边延伸至另一端的预真空中,第二传送架用于输送靶材穿过真空缓冲隔离,预真空侧边设有取放靶材的柜门;镀材架用于盛放固定镀材,镀材架放置于第一传送架上并与其滑动配合;靶材架用于盛放固定靶材,靶材架放置于第二传送架并上与其滑动配。
  • 一种连续镀膜电子磁控溅射装置
  • [发明专利]半导体制造设备及半导体制造方法-CN201910407445.4在审
  • 李华 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2019-05-16 - 2020-11-17 - H01J37/32
  • 本发明提供的半导体制造设备及半导体制造方法,包括多个真空缓冲装置及机械手,其中一个真空用作传输腔,其余真空用作功能腔环绕设置在传输腔周围,缓冲装置设置在至少一个真空中,用于承载晶片,真空机械手设置在传输腔中,用于在任意两个功能腔之间传递晶片,且能够将晶片传递至所述缓冲装置上。通过将缓冲装置设置在真空中,延长晶片在真空状态下的时间,由于真空真空度远高于工厂抽气的真空度,因此对残气的处理效果更优,另外,由于缓冲装置设置在真空,晶片在残气处理之前不会与空气中的水汽接触
  • 半导体制造设备方法
  • [实用新型]用于质谱仪过渡腔真空预抽系统-CN202120513850.7有效
  • 李向广;刘伟伟;赵高岭;蔡克亚 - 安图实验仪器(郑州)有限公司
  • 2021-03-10 - 2021-09-14 - H01J49/24
  • 本实用新型公开了一种用于质谱仪过渡腔真空预抽系统,包括与过渡腔依次连通的第一控制阀和缓冲,和与质谱仪的真空连通的第二控制阀,所述缓冲的一接口通过第一连接气路与所述第二控制阀的另一接口连通;所述真空预抽系统还包括与过渡腔连通的进气阀。本实用新型的过渡腔真空之间连通设置有第一控制阀、缓冲和第二控制阀,在质谱仪开启时可利用真空缓冲抽取真空,使得缓冲真空度接近真空并保持恒定,利用缓冲缓存的高真空度负压来实现过渡腔的快速预抽
  • 用于质谱仪过渡真空系统

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