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- [发明专利]布线基板的制造方法-CN201510278610.2在审
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大隅孝一;冈一喜
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京瓷电路科技株式会社
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2015-05-27
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2016-01-27
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H05K1/11
- 本发明提供一种布线基板的制造方法，其包含：在上表面形成有下层的布线导体的下层的绝缘层，形成上层的绝缘层的工序；在所述上层的绝缘层上形成通孔的工序；在所述通孔内以及所述上层的绝缘层上表面，粘附第1基底金属层的工序；在所述第1基底金属层上，形成第1阻镀层的工序；粘附至少完全填充所述通孔的第1电解镀层的工序；形成通孔导体的工序；粘附第2基底金属层的工序；在所述第2基底金属层上，形成第2阻镀层的工序；粘附第2电解镀层的工序；以及形成布线图案的工序。
- 布线制造方法
- [发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN201680082382.4有效
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大谷欣也
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新电元工业株式会社
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2016-03-31
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2021-05-25
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H01L29/78
- 本发明的功率半导体装置的制造方法,依次包括：半导体基体准备工序；第一沟槽形成工序；第一绝缘膜形成工序；栅极绝缘膜形成工序；栅电极形成工序；第二沟槽形成工序，在将第一绝缘膜126a的中央部去除后在第一沟槽116内形成第二沟槽140；第二绝缘膜形成工序，在第二沟槽内残留有第一空隙122的条件下在第二沟槽140的内部形成第二绝缘膜126b；屏蔽电极形成工序，在第一空隙122内形成屏蔽电极124；屏蔽电极回蚀工序，形成第二空隙142；以及源电极形成工序，形成源电极136。根据本发明的半导体装置的制造方法，就能够制造：能够简化用于使屏蔽电极与源电极之间取得连接的工序的，并且，能够提高实际使用中电极连接稳定性的半导体装置。
- 半导体装置制造方法以及
- [发明专利]半导体器件的制造方法以及半导体器件-CN200410001566.2无效
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仙石直久;松元道一
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松下电器产业株式会社
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2004-01-13
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2004-08-04
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H01L21/00
- 一种半导体器件的制造方法以及半导体器件，所述制造方法包括：在半导体衬底上形成第一绝缘膜的工序；除去第一绝缘膜的一部分的工序；在半导体衬底上的除去第一绝缘膜的一部分的区域中形成比第一绝缘膜的漏电流密度还高的第二绝缘膜的工序；在第一绝缘膜和第二绝缘膜的上面上形成非掺杂型的半导体膜的工序；对非掺杂型的半导体膜的一部分掺杂杂质，形成以岛状分布的第一导电型的半导体区的工序；在第一导电型的半导体区和非掺杂型的半导体膜的上面形成第三绝缘膜的工序；通过湿蚀刻除去第三绝缘膜的一部分的工序。在第一导电型的半导体区的下部至少形成有第二绝缘膜。根据本发明，能够提供防止多晶硅消失的现象的半导体装置的制造方法。
- 半导体器件制造方法以及
- [发明专利]半导体器件的制造方法和半导体器件-CN97114532.6无效
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望月博;奥和田久美;金谷宏行;日高修
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东芝株式会社
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1997-07-09
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2004-05-12
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H01L21/8239
- 该制造方法包括：在半导体基片上形成MOS晶体管的工序、形成第1绝缘膜的工序；在对应于MOS晶体管的漏极区的部分的第1绝缘膜上开出接触孔，在该接触孔的内部及第1绝缘膜上形成位线的工序；在位线上和第1绝缘膜上形成第2绝缘膜的工序；在对应于MOS晶体管的源极区的部分的第2绝缘膜和第1绝缘膜上有选择地开出接触孔并在该接触孔的内部埋入、形成电容器接触插件的工序；形成强电介质电容器的工序；形成连接强电介质电容器和电容器接触插件的电极布线的工序由此，在制造具有位线先制作的上部电极连接结构的强电介质存储单元时能防止强电介质电容器特性劣化并可用联合使工序集成化。
- 半导体器件制造方法
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