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[实用新型]矿热炉绝缘保护环-CN200720107059.6无效
发明人：王国华 -专利权人：嘉兴学院
申请日： 2007-03-09 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： F27D11/00 文献下载
摘要：一种矿热炉绝缘保护环，包括一个绝缘环(1)，环上均匀分布着数个螺栓孔(2)，上述绝缘环(1)由多层云母纸(3)相复合而成，云母纸之间填充着有机硅胶层(4)。上述绝缘环(1)也可以由等分成数段的圆弧段(5)拼合而成。这种矿热炉绝缘保护环由于由多层云母纸复合而成，云母的绝缘等级和耐热等级远高于胶木，云母纸之间用有机硅胶相粘结，硅胶的耐热性也很好，因而这种矿热炉绝缘保护环耐热性能好、绝缘性能好，使用寿命可比传统的胶木板绝缘环提高
矿热炉绝缘保护环

[发明专利]一种GIS盆式绝缘子的表面电阻率测量装置及方法-CN201711183865.6有效
发明人：王增彬;陈玉;唐瑛;孙帅;邵颖煜;王流火;刘聪;陈义龙;饶章权;吕鸿;庞小峰 -专利权人：广东电网有限责任公司电力科学研究院
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G01R27/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种GIS盆式绝缘子的表面电阻率测量装置及方法，包括：支撑平台、绝缘平板、双目视觉测量系统和电流电压测试电路；支撑平台上设置有用于固定支撑待测试件的支撑柱；绝缘平板设置有用于支撑轴通过的支撑轴孔，绝缘平板通过所述支撑轴与待测试件连接；绝缘平板上开设有用于固定绝缘环的凹槽；绝缘环包括第一绝缘环和第二绝缘环；第一绝缘环的底部连接有保护环形电极；第二绝缘环的底部连接有被保护环形电极；保护环形电极与待测试件连接；被保护环形电极与待测试件连接；保护环形电极与被保护环形电极之间间隔预设距离；双目视觉测量系统用于测量预设距离；电流电压测试电路接入保护环形电极与被保护环形电极之间。
一种 gis 绝缘子表面电阻率测量装置方法

[实用新型]一种GIS盆式绝缘子的表面电阻率测量装置-CN201721583120.4有效
发明人：王增彬;陈玉;唐瑛;孙帅;邵颖煜;王流火;刘聪;陈义龙;饶章权;吕鸿;庞小峰 -专利权人：广东电网有限责任公司电力科学研究院
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： G01R27/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种GIS盆式绝缘子的表面电阻率测量装置，包括：支撑平台、绝缘平板、双目视觉测量系统和电流电压测试电路；支撑平台上设置有用于固定支撑待测试件的支撑柱；绝缘平板设置有用于支撑轴通过的支撑轴孔，绝缘平板通过所述支撑轴与待测试件连接；绝缘平板上开设有用于固定绝缘环的凹槽；绝缘环包括第一绝缘环和第二绝缘环；第一绝缘环的底部连接有保护环形电极；第二绝缘环的底部连接有被保护环形电极；保护环形电极与待测试件连接；被保护环形电极与待测试件连接；保护环形电极与被保护环形电极之间间隔预设距离；双目视觉测量系统用于测量预设距离；电流电压测试电路接入保护环形电极与被保护环形电极之间。
环形电极绝缘环待测试件绝缘平板双目视觉测量系统电流电压测试表面电阻率盆式绝缘子测量装置底部连接预设距离支撑平台支撑轴本实用新型电路接入固定支撑支撑轴孔支撑柱测量电路

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201710107383.6在审
发明人：田中裕之;大井幸多;小野泽勇一;伊仓巧裕;杉村和俊 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供容易微细加工的保护环部。还提供一种半导体装置，具备半导体基板；有源区，其形成于半导体基板；以及保护环部，其在半导体基板形成于有源区的外侧，保护环部具有保护环，其呈环状地形成在半导体基板的上表面；层间绝缘膜，其形成于保护环的上方；场板，其沿着保护环在层间绝缘膜的上方形成为环状；以及钨插塞，其沿着保护环形成为环状，贯穿层间绝缘膜而将保护环与场板连接。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202310322912.X在审
发明人：田中裕之;大井幸多;小野泽勇一;伊仓巧裕;杉村和俊 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供容易微细加工的保护环部。还提供一种半导体装置，具备：半导体基板；有源区，其形成于半导体基板；以及保护环部，其在半导体基板形成于有源区的外侧，保护环部具有：保护环，其呈环状地形成在半导体基板的上表面；层间绝缘膜，其形成于保护环的上方；场板，其沿着保护环在层间绝缘膜的上方形成为环状；以及钨插塞，其沿着保护环形成为环状，贯穿层间绝缘膜而将保护环与场板连接。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体设备及其承载装置-CN202110481501.6在审
发明人：杨依龙;刘学滨 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体设备及其承载装置，其中，承载装置包括承载部、保护环和多个绝缘支撑件，承载部包括承载本体和围绕承载本体设置的外延部，外延部与承载本体相连，承载本体用于承载半导体待加工件，每个绝缘支撑件具有支撑面，保护环通过与多个支撑面的接触支撑于外延部上，且多个绝缘支撑件设于保护环与承载部之间，以使保护环与承载部之间形成第一间隙。本申请通过设置绝缘支撑件能够使保护环和承载部的连接可靠性更好，防止承载部和保护环受热膨胀挤压绝缘支撑件而导致绝缘支撑件损坏，进而使得应用承载装置的半导体设备的可靠性更好。
半导体设备及其承载装置

[发明专利]电力半导体装置-CN200810003433.7有效
发明人：胁本博树;大月正人;椎木崇 -专利权人：富士电机电子设备技术株式会社
申请日： 2008-01-11 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：边缘终止结构包括多个环状p型保护环，覆盖多个环状p型保护环的表面的第一绝缘膜，以及经由第一绝缘膜设置在保护环顶上的环状场板。场板包括多晶硅膜和比多晶硅膜厚的金属膜。保护环包括第一保护环和第二保护环，多晶硅膜经由第一绝缘膜设置在第一保护环上，并且由多晶硅膜和经由第二绝缘膜层叠的金属膜构成的双层场板设置在第二保护环上，第一和第二保护环交替地设置。
电力半导体装置

[实用新型]电源插头保护环-CN202122979966.2有效
发明人：田星星 -专利权人：兮栗金属制品（上海）有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01R13/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了源插头保护环，包括保护环本体，所述保护环本体的一侧开设有线缆孔，所述保护环本体远离线缆孔的一侧设置有通孔，所述保护环本体的内部开设有电源插头放置腔室，所述保护环本体的外侧固定安装有连接块和挡块该电源插头保护环，安装过程中，将左壳体和右壳体保住插头，使线缆穿过线缆孔，然后通过螺丝穿过连接孔，将左壳体和右壳体之间进行连接即可，使用过程中，插插头时，手抓住插头向前推，挡块与手指接触，通过挡块将手指挡住，便于插入，同时，保护环本体包括有内加强层和外绝缘层，内加强层采用不锈钢材质，外绝缘层采用绝缘橡胶材质，结构强度高，不易压损，同时绝缘效果好，使用寿命长。
电源插头保护环

[发明专利]法拉第探针-CN201810008332.2有效
发明人：蔡国飙;刘立辉;苏杨;翁惠焱;贺碧蛟 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-01-04 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G01T1/29 文献下载
摘要：本发明所述的法拉第探针，包括：法拉第探针本体；法拉第探针本体包括：收集环、收集保护绝缘装置和保护环；收集环的外侧套设有收集保护绝缘装置，收集保护绝缘装置的外侧套设有保护环；收集保护绝缘装置与收集环过盈配合，收集保护绝缘装置与保护环间隙配合。
法拉第绝缘装置收集环探针探针本体器械技术领域过盈配合探针测量环间隙航天配合

[发明专利]一种用于空心阴极束流测量的L型平面探针-CN201910558910.4有效
发明人：汤海滨;刘一泽;鲁超;章喆;王一白;任军学 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于空心阴极束流测量的L型平面探针，钨盖过盈配合套接在收集器的头部，钨盖被限制在前陶瓷绝缘环内，前陶瓷绝缘环被限制在保护环内，收集器被限制在后陶瓷绝缘环内，后陶瓷绝缘环被限制在密封螺盖内，密封螺盖将保护环限制在内且与保护环固定连接，这样，通过保护环、前陶瓷绝缘环、钨盖之间以及密封螺盖、后陶瓷绝缘环、收集器之间环环相扣实现限位，并通过密封螺盖与保护环固定连接将前陶瓷绝缘环、钨盖、后陶瓷绝缘环
一种用于空心阴极测量平面探针

[实用新型]一种带保护的电气设备清理冰雪装置-CN201220174419.5有效
发明人：周长城;罗世文;吕艳霞;王力威;宋春国;马海峰;蔡楚宝;朴成泽;初小明;张歆炜 -专利权人：鹤岗电业局
申请日： 2012-04-24 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H02G7/16 文献下载
摘要：一种带保护的电气设备清理冰雪装置,该装置由手柄（1）、保护环（2）、绝缘棒（3）、除冰雪锤（4）、接地引线（5）、接地环（6）组合而成，手柄（1）与绝缘棒（3）之间由保护环（2）隔离；绝缘棒（3）上端连接除冰雪锤（4）；接地引线（5）一端接在保护环（2）上、另一端连接接地环（6）；除冰雪锤（4）采用绝缘材料，确保击落冰雪的时候不损伤设备；工作时保护环（2）通过接地引线（5）及接地环（6）可靠接地，确保手柄处无电流通过为作业人员提供安全保障
一种保护电气设备清理冰雪装置

[发明专利]用于制造半导体器件的接触掩模-CN97111834.5无效
发明人：李根镐 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1997-06-20 - 公布日： 2002-07-10 - 主分类号： H01L21/469 文献下载
摘要：本发明的目的是防止由于过腐蚀构成接触孔内表面的绝缘层所致的保护环区的光刻胶膜剥落，所述过腐蚀发生于利用其中形成有保护环图形的接触掩模形成接触孔的工艺期间。腐蚀工艺期间，通过在任何一个保护环小孔图形侧边不形成保护环小孔图形，在任何一个保护环小孔侧边不形成保护环小孔。因此，保护环小孔区中的光刻胶膜和绝缘层之间具有足够的接触面积，因而，可以防止由于过腐蚀接触孔中的光刻胶膜造成的光刻胶膜剥落。
用于制造半导体器件接触

[发明专利]肖特基势垒二极管-CN202080092316.1在审
发明人：中野诚也;友松佳史;阿多保夫 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及的肖特基势垒二极管具有：n型的半导体基板；至少1个p型的保护环，其设置于半导体基板的上表面侧；阳极电极，其设置于半导体基板的上表面；阴极电极，其设置于半导体基板的背面；以及绝缘膜，其设置于至少1个保护环中的最内侧的内侧保护环之上，阳极电极搭至绝缘膜之上，阳极电极的端部设置于内侧保护环的正上方，阳极电极与内侧保护环分离地设置，绝缘膜的厚度大于或等于1.0μm。
肖特基势垒二极管

[发明专利]半导体装置-CN201710640946.8有效
发明人：富田和朗 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：半导体装置具有元件形成区域和在俯视时包围元件形成区域的保护环区域，具有：保护环，在最上部包含形成于保护环区域的保护环用最上层导电层；钝化膜，形成于保护环区域和元件形成区域；以及第1感光性有机绝缘膜，形成为覆盖钝化膜，在钝化膜的表面，在比保护环用最上层导电层靠元件形成区域侧即靠内周侧形成有阶梯部，而且钝化膜的表面在比阶梯部靠内周侧低于保护环用最上层导电层正上方，第1感光性有机绝缘膜具有相比阶梯部位于外周侧的外周端缘，第1感光性有机绝缘膜的表面在比阶梯部靠内周侧低于保护环用最上层导电层正上方，外周端缘位于保护环用最上层导电层的正上方。
导电层最上层钝化膜元件形成区域半导体装置有机绝缘膜感光性阶梯部内周外周端包围元件阶梯部位外周俯视覆盖

[实用新型]一种高性能塑料绝缘电力电缆-CN202120511469.7有效
发明人：马超群 -专利权人：新疆锋顺线缆制造有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01B7/29 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高性能塑料绝缘电力电缆，包括防腐绝缘管，防腐绝缘管内部设有丝网防爆层，丝网防爆层内部设有绝缘橡胶层，绝缘橡胶层层内部设有外抗干扰层，外抗干扰层外侧等距套接有保护环，相邻的保护环之间对称连接有韧性钢丝，绝缘橡胶层内部对应保护环位置处开设有隐藏槽，丝网防爆层与防腐绝缘管之间设有防火层，通过保护环、韧性钢丝和丝网防爆层配合可加强电缆的强度，使得电缆抗压能力更强，防止因外界物体挤压导致电缆变形破裂损坏，对电缆的保护效果好，且通过防腐绝缘管、丝网防爆层和防火层配合，可使电缆防火防爆防腐绝缘，使得电缆能适应多种工作环境，利于使用电缆。
一种性能塑料绝缘电力电缆

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