首页 在售
电子信息机械制造新型材料电气自动化新能源安全防护环保资源轻工纺织生物医药包装印刷海洋开发仪器仪表航空航天建材建筑农林牧业食品饮料采矿冶金家居用品化学化工交通运输橡胶塑料教育休闲其他
求购
电子信息机械制造新型材料电气自动化新能源安全防护环保资源轻工纺织生物医药包装印刷海洋开发仪器仪表航空航天建材建筑农林牧业食品饮料采矿冶金家居用品化学化工交通运输橡胶塑料教育休闲其他
查询 申请 展会 资讯 专利榜 企服商城 升级VIP
专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果17个，建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]半导体集成电路器件-CN201410292854.1有效
  • 富田和朗;川村武志 - 瑞萨电子株式会社
  • 2014-06-25 - 2019-10-15 - H01L27/06
  • 提供一种半导体集成电路器件，其在光电二极管阵列区域中具有像素区域，并且在每个像素区域中具有波导保持孔，波导保持孔具有在光电二极管之上的基本垂直的侧壁并且嵌入有到达孔底表面的基于氧化硅的侧壁绝缘膜和在孔的内侧上具有更高折射率的两个或更多基于氮化硅的绝缘膜。该结构使得可以防止尺寸迅速减小的成像器件诸如CMOS传感器的像素特性的恶化。
  • 半导体集成电路器件
  • [发明专利]半导体装置-CN201380070170.0有效
  • 富田和朗 - 瑞萨电子株式会社
  • 2013-01-11 - 2017-12-22 - H01L21/027
  • 半导体装置(SC)为一个芯片区域通过分割曝光而形成的半导体装置。层间绝缘膜(II2～II6)在元件形成区域中具有通路(VH1～VH5)和布线槽(IT1～IT5)，且在保护环区域中具有保护环用孔(GH2～GH6)。布线用导电层(CL1～CL5)形成在通路(VH1～VH5)和布线槽(IT1～IT5)内。保护环用导电层(GRP2～GRP6)形成在保护环用孔(GH2～GH6)内。保护环用导电层(GRP3～GRP6)的宽度的最小尺寸(D2A～D5A)比通路(VH2～VH5)内的布线用导电层(CL2～CL5)的宽度的最小尺寸(D2B～D5B)大。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201180073006.6有效
  • 富田和朗;山田圭一 - 瑞萨电子株式会社
  • 2011-08-24 - 2014-04-30 - H01L21/822
  • 在半导体装置（SD）中，在下部电极（LEL）上介有电介体膜（DEC），而形成有平板状的上部电极（UEL）。由下部电极（LEL）、电介体膜（DEC）以及上部电极（UEL）构成MIM电容器（MCA）。在其之间不介有保护环，且都隔开相同的间隔（D1）配置有相互相邻的一个上部电极（UEL）和其他上部电极（UEL）。隔开与间隔（D1）相同的间隔配置有位于最外周的上部电极（UEL）与位于其外侧的保护环（GR）。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210075639.7无效
  • 富田和朗 - 瑞萨电子株式会社
  • 2012-03-19 - 2012-10-17 - H01L21/768
  • 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于，在通过使用双大马士革工艺在层间绝缘膜中形成Cu布线时，在低硬度层间绝缘膜和高硬度层间绝缘膜中分别形成的过孔中完全填充布线材料。根据本发明，第二层间绝缘膜在其中具有布线槽和过孔二者。过孔在其开口部分处具有凹陷部分，该凹陷部分具有锥形的横截面形状。这是通过使第二层间绝缘膜向下倾斜回缩而形成的。因此过孔的开口部分的直径变得大于开口部分下方的区域的直径，并且变得即使过孔具有精细的直径也可以在过孔中完全填充布线材料。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件的制造方法-CN201110075856.1有效
  • 米仓和贤;富田和朗 - 瑞萨电子株式会社
  • 2011-03-23 - 2011-10-05 - H01L21/768
  • 提供半导体器件的制造方法，它能够精确控制布线沟槽图案的深度，并且能够抑制对布线沟槽图案的损坏。在扩散阻止膜之上依次叠置第二低介电常数膜、第三低介电常数膜和用作掩膜层的膜。蚀刻用作掩膜层的膜，并且形成其底部由第三低介电常数膜的表面制成的布线沟槽图案。通过灰化去除第一抗蚀剂掩膜。使用掩膜层的布线沟槽图案形成布线沟槽，从而使沟槽的底部由第二低介电常数膜构成。通过CMP方法去除从铜金属的顶部表面到第三低介电常数膜的层。每一个低介电常数膜的介电常数都低于FSG的介电常数，并且第二低介电常数膜的介电常数低于第三低介电常数膜的介电常数。
  • 半导体器件制造方法
  • [发明专利]半导体晶圆及半导体装置的制造方法-CN200810129612.5有效
  • 富田和朗 - 株式会社瑞萨科技
  • 2008-07-31 - 2009-02-04 - H01L23/522
  • 提供可防止晶圆边缘部的膜剥落或图案断续的半导体晶圆及半导体装置的制造方法。在硅衬底(101)上，在用沟槽分离膜(500)分离的活性区上形成栅结构(400)，进而将接触层间膜(103)、低k通路层间膜即V层和低k布线层间膜即M层交替成膜而形成多层布线结构。在从第一层间膜(113)至第五层间膜(153)的精细层中除去M层的晶圆边缘部，但不除去V层的晶圆边缘部。另外，接触层间膜(103)的晶圆边缘部没有被除去。
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]半导体器件-CN200710088174.8有效
  • 富田和朗 - 三菱电机株式会社
  • 2003-04-15 - 2007-08-29 - H01L21/71
  • 本发明的课题是，既能防止在最上层具有铜层的密封环的氧化及腐蚀，又能防止在切割时的电路形成区发生裂纹。在钝化膜(120)上形成直达层间绝缘膜(109)的开口部(123)。开口部(123)以包围密封环(110)的外侧的方式配置。也就是说，因为第2布线层(114)上表面完全被钝化膜(120)覆盖，所以第2布线层(114)的上表面未暴露于大气中。因而，能够防止因第2布线层的氧化、腐蚀而使密封环(110)对半导体器件的保护效果变差。并且，由于开口部(123)的存在，对切割区进行切割时的应力难以传递到电路形成区上的钝化膜(120)上，从而能够防止裂纹进入电路形成区。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体器件-CN200710088173.3有效
  • 富田和朗 - 三菱电机株式会社
  • 2003-04-15 - 2007-08-15 - H01L23/00
  • 本发明的课题是，既能防止在最上层具有铜层的密封环的氧化及腐蚀，又能防止在切割时的电路形成区发生裂纹。在钝化膜(120)上形成直达层间绝缘膜(109)的开口部(123)。开口部(123)以包围密封环(110)的外侧的方式配置。也就是说，因为第2布线层(114)上表面完全被钝化膜(120)覆盖，所以第2布线层(114)的上表面未暴露于大气中。因而，能够防止因第2布线层的氧化、腐蚀而使密封环(110)对半导体器件的保护效果变差。并且，由于开口部(123)的存在，对切割区进行切割时的应力难以传递到电路形成区上的钝化膜(120)上，从而能够防止裂纹进入电路形成区。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体器件-CN03110451.7有效
  • 富田和朗 - 三菱电机株式会社
  • 2003-04-15 - 2004-02-18 - H01L21/71
  • 本发明的课题是，既能防止在最上层具有铜层的密封环的氧化及腐蚀，又能防止在切割时的电路形成区发生裂纹。在钝化膜120上形成直达层间绝缘膜109的开口部123。开口部123以包围密封环110的外侧的方式配置。也就是说，因为第2布线层114上表面完全被钝化膜120覆盖，所以第2布线层114的上表面未暴露于大气中。因而，能够防止因第2布线层的氧化、腐蚀而使密封环110对半导体器件的保护效果变差。并且，由于开口部123的存在，对切割区进行切割时的应力难以传递到电路形成区上的钝化膜120上，从而能够防止裂纹进入电路形成区。
  • 半导体器件
友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期
咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top