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[发明专利]单结晶硅太阳能电池的制造方法及单结晶硅太阳能电池-CN200710193656.X无效
发明人：伊藤厚雄;秋山昌次;川合信;田中好一;飞坂优二;久保田芳宏 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2007-11-23 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种单结晶硅太阳能电池的制造方法及单结晶硅太阳能电池，该方法包含：将氢离子或稀有气体离子注入单结晶硅基板的工艺；对单结晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的表面之中的至少一方进行表面活性化处理的工艺；以进行表面活性化处理后的面作为贴合面，来贴合单结晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的工艺；对离子注入层施予冲击，机械性剥离单结晶硅基板，来形成单结晶硅层的工艺；在单结晶硅层的剥离面侧形成多个第二导电型的扩散区域，并作成在单结晶硅层的剥离面存在多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的工艺；以及形成覆盖多个第一与第二导电型区域的光反射膜工艺。由此可以提供一种光封闭型单结晶硅太阳能电池。
结晶太阳能电池制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN95109227.8无效
发明人：牧田直树;宫本忠芳 -专利权人：夏普公司
申请日： 1995-08-04 - 公布日： 1999-04-21 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的半导体器件包含一具有绝缘性表面的基板及形成于基板的绝缘表面而由具有结晶硅膜所构成的有源区域。该有源区域形成于将非晶硅膜选择性地结晶化而得的结晶硅区域内，利用非晶硅膜的非晶硅区域与结晶硅区域的边界进行掩模对准以决定位置而形成。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]结晶硅膜的形成方法、使用了该结晶硅膜的薄膜晶体管以及显示装置-CN201080039162.6无效
发明人：濑川泰生 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-08-17 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种使用可见光区域波长的激光来形成结晶性稳定的结晶硅膜的结晶硅膜的形成方法。本发明的结晶硅膜的形成方法，包括：第一工序，形成金属膜；第二工序，在金属膜上形成绝缘膜；和第三工序，在绝缘膜上形成由多晶Si形成的结晶硅膜，在第二工序中，以160nm～190nm的膜厚范围来形成所述绝缘膜，所述第三工序包括以下工序：在所述绝缘膜上以30nm～45nm的膜厚范围来形成由a-Si形成的非晶硅膜的工序；和通过对所述非晶硅膜照射可见光区域波长的激光来形成结晶硅膜的工序。
结晶形成方法使用薄膜晶体管以及显示装置

[发明专利]光电转换装置和光电转换装置的制造方法-CN200880129553.X有效
发明人：西宫立亨;真岛浩;宫原弘臣;川村启介;中野要治 -专利权人：三菱重工业株式会社
申请日： 2008-10-30 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：一种光电转换装置，该光电转换装置(100)在1m2以上的大面积基板(1)上形成包含结晶硅i层(42)的光电转换层(3)，其中，所述结晶硅i层(42)包含在所述基板(1)面内的结晶硅相的喇曼峰值强度与非晶硅相的喇曼峰值强度的比即喇曼峰值比是3.5以上8.0以下范围内的区域，且所述基板(1)面内的所述喇曼峰值比是2.5以下范围内的区域的面积比例在3％以下。这样，把结晶硅i层的结晶性调整成能够得到高输出的高亮度反射区域发生前的结晶性，通过规定高亮度反射区域的面积比例来实现显示高输出的光电转换装置。
光电转换装置制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN97109515.9无效
发明人：山舜平;寺本聡;小山润;尾形靖;早川昌彦;纳光明;大谷久;滨谷敏次 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1997-01-19 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：通过除去或者减少利用金属元素得到结晶硅膜中的该金属元素，得到具有优良特性的结晶硅膜，并且利用该结晶硅膜得到具有优良特性的半导体器件。通过第1加热处理，在非晶硅膜中，掺入促进硅结晶的金属元素，得到使该非晶硅膜结晶的结晶硅膜以后，在氧化气氛中进行第2加热处理、除去或者减少在该结晶硅膜中存在的金属元素，除掉形成的热氧化膜，在除掉该热氧化膜区域的表面上
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200410048959.9无效
发明人：山崎舜平;寺本聪;小山润;尾形靖;早川昌彦;纳光明;大谷久;滨谷敏次 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1997-01-19 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：通过除去或者减少利用金属元素得到结晶硅膜中的该金属元素，得到具有优良特性的结晶硅膜，并且利用该结晶硅膜得到具有优良特性的半导体器件。通过第1加热处理，在非晶硅膜中，掺入促进硅结晶的金属元素，得到使该非晶硅膜结晶的结晶硅膜以后，在氧化气氛中进行第2加热处理、除去或者减少在该结晶硅膜中存在的金属元素，除掉形成的热氧化膜，在除掉该热氧化膜区域的表面上
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200810215742.0无效
发明人：土明正胜 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-09-09 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的半导体装置，即使将源极区域及漏极区域硅化，也可以尽可能地抑制漏电流。其特征在于具备：具有半导体区域的硅基板；和第1MOSFET。第1MOSFET具有：与半导体区域有间隔地形成的源极/漏极区域；在源极区域和漏极区域之间的半导体区域上形成的绝缘膜；在绝缘膜上形成的栅极电极；在栅极电极的侧部形成的侧壁绝缘膜；单结晶硅层，在第1源极/漏极区域上形成，至少具有成为{111}面的表面；NiSi层，至少在单结晶硅层的{111}面上形成，且具有与侧壁绝缘膜接触的部分，该部分与单结晶硅层的界面是单结晶硅层的{111}面；以及与NiSi层接触的第1TiN膜。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种超薄结晶硅薄膜太阳电池及其制备方法-CN201110050956.9有效
发明人：于洪宇;栗军帅 -专利权人：于洪宇;栗军帅;迟海滨
申请日： 2011-03-03 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄结晶硅薄膜太阳电池及其制备方法，所述超薄结晶硅薄膜太阳电池由下而上依次包括衬底、底层掺杂结晶硅层、本征结晶硅层、纳米硅结构光吸收层、顶层掺杂结晶硅层、透明顶电极。所述超薄结晶硅薄膜太阳电池的制备步骤包括：在衬底上沉积底层掺杂结晶硅层；在上述制备的底层掺杂结晶硅层上沉积本征结晶硅层；在上述制备的本征结晶硅层上制备纳米硅结构光吸收层；在上述制备的纳米硅结构光吸收层表面沉积顶层掺杂结晶硅层；将透明顶电极覆盖于在上述顶层掺杂结晶硅层上。本发明在不额外增加抗反射层的前提下，利用纳米硅结构光吸收层提高光吸收和光生载流子收集的效率，从而提高超薄结晶硅薄膜太阳电池的光电转换效率。
一种超薄结晶薄膜太阳电池及其制备方法

[发明专利]薄膜太阳能电池及其制造方法-CN201080002015.1有效
发明人：村田和哉;片山博贵;松本光弘;绫洋一郎 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2010-02-25 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜太阳能电池，其在面内具有由微结晶硅薄膜构成的发电层，该微结晶硅薄膜具有第一区域和与第一区域相比结晶化率低且载体的寿命高的第二区域。
薄膜太阳能电池及其制造方法

[发明专利]制造结晶硅的系统及制造结晶硅的方法-CN201810744276.9在审
发明人：姚明华;萧旭文 -专利权人：宝德能源科技股份有限公司
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造结晶硅的系统及方法。所述系统包括第一结晶硅产线及第二结晶硅产线。第一结晶硅产线包括第一三氯硅烷汽化单元以及第一化学气相沉积反应单元，以制造第一结晶硅。第二结晶硅产线包括第二三氯硅烷汽化单元以及第二化学气相沉积反应单元，以制造第二结晶硅。第一三氯硅烷汽化单元与第二三氯硅烷汽化单元彼此独立。
结晶硅汽化单元三氯硅烷产线化学气相沉积反应单元制造彼此独立

[发明专利]存储装置-CN201910170834.X在审
发明人：松尾浩司 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种存储装置，其包含：结晶硅衬底；堆叠膜，其包含设置于所述结晶硅衬底上且平行于结晶硅衬底表面而延伸的多个结晶硅膜及平行于所述结晶硅衬底表面而在所述相应结晶硅膜之间延伸的多个绝缘膜；多个第一导电层，其各自具有穿透所述堆叠膜的至少一部分且位于所述堆叠膜下方的断开末端部分；存储器单元，其分别设置于所述多个结晶硅膜与所述多个第一导电层之间；及多个第二导电层，其分别电连接到所述多个结晶硅膜。
存储装置

[发明专利]结晶硅太阳能电池的制造方法-CN201110436044.5有效
发明人：陈亮斌 -专利权人：茂迪股份有限公司
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种结晶硅太阳能电池的制造方法，先于结晶硅基材的第一表面设置阻障层单元，阻障层单元包括由掺杂V族元素的氧化硅构成的阻挡层和至少一层由氧化硅构成的隔离层，再自结晶硅基材第二表面掺杂硼，阻挡层阻挡硼进入该第一表面，而使结晶硅基材自第二表面形成p型层体，再来，选择性地移除阻障层单元，最后，于该结晶硅基材第一表面对该结晶硅基材掺杂而形成n型层体。本发明利用阻挡层阻挡硼扩散，使其无法自结晶硅基材的第二表面进入结晶硅基材，以制得特性稳定的结晶硅太阳能电池。
结晶太阳能电池制造方法

[发明专利]显示装置的薄膜晶体管及其形成方法-CN201910043209.9有效
发明人：阮丞禾 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：显示装置包含微结晶硅氧化物层及位于微结晶硅氧化物层上的硅层，且微结晶硅氧化物层的硅与氧的元素比大于1。显示装置的薄膜晶体管包含栅极电极、位于栅极电极上的微结晶硅化合物层、位于微结晶硅化合物层上的主动层以及位于主动层上的源极与漏极电极，其中微结晶硅化合物层的结晶粒径实质小于或等于20纳米(nm)。
显示装置薄膜晶体管及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN95108531.X无效
发明人：牧田直树;船井尚;高山彻 -专利权人：株式会社半导体能源研究所;夏普公司
申请日： 1995-06-15 - 公布日： 2002-01-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括衬底，其上面具有由减压化学汽相淀积制备的非晶硅膜，其特征在于利用结晶硅膜来设置薄膜晶体管，而该结晶硅膜是通过在含有选择地引入的金属元素的区域周围，平行于衬底表面进行晶体生长而获得的，通过选择地引入金属元素而获得的区域能够加速非晶硅膜的晶化，以后对该区域加热。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管器件的制造方法、薄膜晶体管器件以及显示装置-CN201180001794.8无效
发明人：菅原祐太 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-02-23 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：该薄膜晶体管器件的制造方法包括：在基板上形成多个栅电极的工序(S11)；在多个栅电极上形成栅极绝缘层的工序(S12)；在栅极绝缘层上形成非晶硅层的工序(S13)；使用预定激光使非晶硅层结晶化而生成结晶硅层的工序(S14)；以及在与多个栅电极各自对应的所述结晶硅层上的区域形成源电极和漏电极的工序(S18)，所述栅极绝缘层的膜厚、非晶硅层的膜厚形成为满足预定的条件式。由此，能够使用可见光区域波长的激光来形成结晶性稳定的结晶硅膜。
薄膜晶体管器件制造方法以及显示装置

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