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[发明专利]锂离子二次电池的微短路判定方法-CN202010507511.8在审
发明人：銭朴;酒井洋 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G01R31/392 文献下载
摘要：为了解决上述问题，解析阻断放电电流或充电电流之后的弛豫过程，将因微短路而导致的电压变动成分加以分离并用于判定。具体来说，提供一种锂离子二次电池的微短路判定方法，包括以下步骤：弛豫分解步骤，将阻断充电中的充电电流或放电中的放电电流之后的弛豫过程中的电池电压的变化，分解成多个分解弛豫成分；及，微短路判定步骤，通过判定前述多个分解弛豫成分之中
锂离子二次电池短路判定方法

[发明专利]一种对阻变随机存储器电导弛豫效应特征参数的提取方法-CN202011164982.X在审
发明人：吴华强;胡琪;唐建石;高滨;钱鹤 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：本发明涉及半导体存储测试技术领域，尤其涉及一种对阻变随机存储器电导弛豫效应特征参数的提取方法。施加多次工作信号使阻变随机存储器达到稳定状态；选取稳定电导值G0；施加激励信号使阻变随机存储器电导值达到G0；对器件进行弛豫测试；继续保持读取脉冲一段时间；再对器件进行随机电报噪声测试；对器件进行擦除操作；进行信号过滤，提取电导弛豫效应特征参数。本发明能够有效、完整地提取阻变随机存储器电导弛豫效应的特征参数，有利于对阻变随机存储器的电导弛豫效应的机理研究以及器件阻态稳定性的提高。
一种随机存储器电导效应特征参数提取方法

[发明专利]测量上转换材料中镧系元素离子本征弛豫速率参数的方法-CN202210359846.9在审
发明人：符泰然;付琳;吴宇颂 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量上转换材料中镧系元素离子本征弛豫速率参数的方法，包括：(1)采用多个与上转换材料系统中离子的激发能级相匹配的波长的激光对上转换材料系统进行激发，获得每个波长下稳态荧光测量数据及瞬态荧光测量数据；(2)分别采用多个波长的激光激发上转换材料，分别获得描述多个波长激发发光物理过程的多组速率方程；(3)从低能级到高能级逐级求解获得各个能级下的离子本征弛豫速率参数。采用该方法可以实现多能级上转换材料系统中各个能级的离子辐射与非辐射弛豫速率参数的高精度测量，适用于多能级本征弛豫速率参数的确定，克服了现有测量方法无法有效解析各个能级间的本征弛豫速率参数的局限性问题。
测量转换材料中镧系元素离子征弛豫速率参数方法

[发明专利]一种高压功率模块封装绝缘的老化状态评估方法及设备-CN202310416572.7在审
发明人：穆海宝;姚欢民;李鹤;赵浩翔;张大宁 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G06F18/26 文献下载
摘要：所提出的方法包括：对封装绝缘的频域介电谱中包含的弛豫过程进行分解；确定分解出来的所述弛豫过程分别对应的特征变异因子，并根据所述特征变异因子确定分解出来的所述弛豫过程中，与所述封装绝缘的老化状态相关度最高的弛豫过程；构建所述相关度最高的弛豫过程对应的介电特征参量与老化时间的对应关系，并利用所述对应关系确定所述封装绝缘的老化状态。
一种高压功率模块封装绝缘老化状态评估方法设备

[发明专利]自对准硅锗鳍式FET-CN201511001598.7有效
发明人： N·卢贝;P·莫林 -专利权人：意法半导体公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种自对准SiGe鳍式FET器件的特征在于经弛豫的具有高锗浓度的沟道区。初始地形成经弛豫的沟道以接受锗，而不是首先将锗引入该沟道然后尝试使所产生的应变膜弛豫。对准栅极结构之后，硅鳍被分段以使硅晶格弹性地弛豫。然后，将锗引入到经弛豫的硅晶格中，以产生基本上无应力并且也无缺陷的SiGe沟道。
对准硅锗鳍式 fet

[发明专利]垂直层叠应变Si/SiGe异质结CMOS器件结构及其制备方法-CN201510411372.8有效
发明人：舒斌;吴继宝;范林西;陈景明;张鹤鸣;宣荣喜;胡辉勇;宋建军;王斌 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-07-03 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直层叠应变Si/SiGe异质结CMOS器件结构及其制备方法，该器件从下往上依次包括硅衬底、弛豫SiGe缓冲层、弛豫Si0.7Ge0.3虚衬底、n+δ掺杂层、弛豫Si0.7Ge0.3间隔层、应变Si沟道、弛豫Si0.7Ge0.3中间层、应变Si0.5Ge0.5沟道、弛豫Si0.7Ge0.3帽层和应变Si帽层。
垂直层叠应变 si sige 异质结 cmos 器件结构及其制备方法

[发明专利]具有高相变温度、优异抗疲劳性和高机电性能的弛豫铁电铅基陶瓷材料及制备方法和应用-CN202210116189.5有效
发明人：常云飞;刘琳婧;谢航;寇蔷薇;孙媛;吕蕊;杨彬 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C04B35/499 文献下载
摘要：具有高相变温度、优异抗疲劳性和高机电性能的弛豫铁电铅基陶瓷材料及制备方法和应用，涉及弛豫铁电铅基陶瓷材料及制备方法和应用。解决现有技术下弛豫铁电陶瓷材料存在相变温度较低、抗电学疲劳性能较差，无法兼顾高机电性能、高相变温度和优异抗疲劳性的问题，而且含Zr类弛豫铁电织构陶瓷制备过程中存在热动力学问题。弛豫铁电铅基陶瓷材料化学通式为(1‑x‑y)Pb(A,Nb)O3‑xPbZrO3‑yPbTiO3<
具有相变温度优异疲劳机电性能弛豫铁电铅基陶瓷材料制备方法应用

[发明专利]具有超晶格结构和超高储能效率的多组分弛豫铁电薄膜材料及其制备方法-CN202110739598.6有效
发明人：陈骞鑫;钟高阔;李江宇;钟向丽;黄明强;王金斌;任传来 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种具有超晶格结构和超高储能效率的多组分弛豫铁电薄膜材料及其制备方法。多组分弛豫铁电薄膜材料包括基底层、形成于基底层上的底电极层以及形成于底电极层上的实际功能层，实际功能层为基于底电极层生长的具有弛豫铁电性的多层结构薄膜；其制备方法为：选取晶面取向为[100]的刚性STO层作为基底层；在STO基底上生成SRO层作为底电极层；在SRO层上生成BTO‑STO‑BFO多层结构作为实际功能层，得到多组分弛豫铁电薄膜材料。本申请的多组分弛豫铁电薄膜材料为超晶格结构，具有高饱和极化强度值、低剩余极化强度值、高击穿场强的优点，同时具有优异的储能密度与储能效率。
具有晶格结构超高效率组分弛豫铁电薄膜材料及其制备方法

[发明专利]锂电池的静置弛豫仿真方法、系统、终端设备及存储介质-CN202210689896.3有效
发明人：顾单飞;宋佩;江铭臣;郝平超;丁鹏;赵恩海;严晓;陈晓华;陈思元;吴炜坤 -专利权人：上海玫克生储能科技有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂电池的静置弛豫仿真方法、系统、终端设备及存储介质，静置弛豫仿真方法包括将弛豫前的物理量的空间连续状态函数进行余弦傅里叶变换，得到所述物理量的余弦级数函数，所述余弦级数函数的频率为ω＝(并通过所述指数衰减时间因子对所述余弦级数函数进行修正，得到时间修正后的余弦级数函数；根据预设精度确定修正后的余弦级数函数的级数，得到所述物理量随时间和空间的变化函数；根据所述物理量的变化函数计算得到锂电池的静置弛豫仿真结果本发明通过对锂电池的静置弛豫现象进行仿真，以对电池进行监控预警。
锂电池静置弛豫仿真方法系统终端设备存储介质

[发明专利]用于在电池非平衡时确定电池的荷电状态的设备和方法-CN200780040604.7无效
发明人： H·J·伯格维尔德;V·波普;P·H·L·诺滕 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2007-10-25 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： G01R31/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种方法和一种设备，比如用于确定已被充电或放电并且尚未达到其平衡状态的电池的荷电状态的充电器，所述方法包括以下步骤：通过对在所述充电或放电过程之后的弛豫期间采样的电池电压进行外插来确定所述电池的EMF，其中所述外插是基于仅仅使用在所述弛豫过程期间采样的变量的模型；以及通过使用EMF与所述荷电状态之间的预定关系从所述电池的EMF导出所述荷电状态。替代地，基于电压弛豫曲线的所测量的第一部分和对于所述弛豫曲线的该所测部分的函数的数学优化/拟合来确定电压弛豫终值。
用于电池平衡确定状态设备方法

[发明专利]通过阳极化埋置p+硅锗层获得的应变绝缘体上硅-CN200580022513.1无效
发明人：托马斯·N.·亚当;斯蒂芬·W.·贝戴尔;乔尔·P.·德索扎;基思·E.·佛格尔;亚历山大·雷茨尼采克;德温德拉·K.·萨达纳;加瓦姆·沙赫迪 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-05-27 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：该方法包括在衬底上生长各种外延半导体层，其中至少一层半导体层是在应变半导体层下方的掺杂且弛豫的半导体层；借助电解阳极化过程将掺杂且弛豫的半导体层转化成多孔半导体；以及氧化将多孔半导体转化成埋置氧化物层。所述方法提供了SSOI衬底，其包括在衬底上的弛豫的半导体层；在该弛豫的半导体层上的高质量埋置氧化物层；以及在该高质量埋置氧化物层上的应变半导体层。根据本发明，弛豫的半导体层和应变半导体层具有相同的晶体学取向。
通过阳极化埋置硅锗层获得应变绝缘体

[发明专利]基于多频电磁感应和弛豫频率参数的识别方法、系统-CN202011554578.3在审
发明人：瞿诗华;姜和俊;罗朝鹏;雷杰;吴美武 -专利权人：上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所）
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： F41H11/136 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于多频电磁感应和弛豫频率参数的识别方法、系统，包括如下步骤：步骤1：运用多频电磁感应线圈频率响应计算得到探测物的弛豫频率特征参数；步骤2：运用弛豫频率参数结合机器学习算法识别探测物的物质种类本发明提供的一种基于多频电磁感应和弛豫频率参数的识别方法、系统解决了目前电磁感应探雷器难以对低金属雷的精准探测的问题，同时降低探雷器对弱磁性杂质的虚警概率。
基于电磁感应频率参数识别方法系统

[发明专利]一种磁弛豫传感技术检测探针的构建方法-CN202310402947.4在审
发明人：李永强;杨思维;董慧;丁古巧 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01N24/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁弛豫传感技术检测探针的构建方法，包括将顺磁性石墨烯量子点分散液和抗体分散液混合，并使用紫外光对其进行辐照，获得磁弛豫传感技术检测探针。可在无针对某特定标志物的特异性磁弛豫传感检测探针情况下快速构建特异性检测探针，缩短磁弛豫传感技术的检测周期。
一种磁弛豫传感技术检测探针构建方法

[发明专利]具有弛豫铁电基板的射频识别标签及其制造方法-CN200880131853.1无效
发明人：尹晚焞 -专利权人：伊诺瓦有限公司;盛陶盟有限公司
申请日： 2008-10-02 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： G06K19/07 文献下载
摘要：本发明是利用具有弛豫铁电材质特性的陶瓷材料，以改善射频识别的标签天线的特性。更明确地来说，本发明是有关于射频识别标签，此射频识别标签是由有介电常数3,000或以上且包含有无铅基底的氧化物的弛豫铁电材质所形成，为了延伸其使用性与为了显示改善的定位性，其是藉由在平面的圆盘上或其他形状而形成无铅基底的弛豫铁电材质，藉由一般干燥成形方法，或藉由粉末输入铸造来制造的不同形状的无铅基底的弛豫铁电材质。
具有弛豫铁电基板射频识别标签及其制造方法

[发明专利]磁力弛豫检测分析物的方法和化合物以及它们的用途-CN96191613.3无效
发明人：沃纳·魏特席斯;罗曼·科蒂茨;卢茨·特拉姆斯;托马斯·帮特 -专利权人：舍林股份公司
申请日： 1996-01-29 - 公布日： 1998-03-11 - 主分类号： G01N33/543 文献下载
摘要：本发明涉及定量磁力弛豫检测液相和固相中之分析物的方法,磁力弛豫检测所用的化合物,以及它们在分析和免疫磁力记录法中的用途。
磁力检测分析方法化合物以及它们用途

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