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[发明专利]一种柔性衬底上纳米半导体多孔电极材料的烧结方法-CN201310468445.8有效
发明人：贾威;于俭;刘博文;胡明烈;柴路;王清月 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-10-08 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01G9/052 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性衬底上纳米半导体多孔电极材料的烧结方法，包括在柔性衬底上镀有透明导电薄膜，在透明导电薄膜上均匀涂覆纳米半导体颗粒浆，用手工或机械压制，形成纳米半导体薄膜；选择超短脉冲激光作为激光源，调节激光光路，通过物镜聚焦在纳米半导体薄膜适当深度内；当超短脉冲激光的强度大于等于多光子吸收阈值时，纳米半导体薄膜发生多光子吸收电离，价带电子跃迁到导带，晶格发生弱化；纳米半导体薄膜表面发生熔化，相邻的纳米半导体颗粒连接在一起；随着超短脉冲激光焦点在整个纳米半导体薄膜上的扫描，把所有纳米半导体颗粒连接起来，形成网络即实现了烧结。本发明提高了纳米半导体多孔薄膜电极的烧结质量，避免了对柔性衬底本身性能的影响。
一种柔性衬底纳米半导体多孔电极材料烧结方法

[发明专利]染料敏化太阳电池用有上转换功能的纳米多孔半导体薄膜-CN200810152279.X有效
发明人：张晓丹;赵颖;蔡宁;耿新华;熊绍珍 -专利权人：南开大学
申请日： 2008-10-10 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明公开一种染料敏化太阳电池用有上转换功能的纳米多孔半导体薄膜，纳米多孔半导体薄膜，是由染料敏化纳米太阳电池用的常规纳米多孔半导体薄膜和具有上转换功能的上转换材料的组合，或是采用化学的或物理的方法直接合成具有上转换功能的纳米多孔半导体薄膜常规纳米多孔半导体薄膜和上转换材料的组合，是通过机械搅拌或超声混合的方式组合成纳米多孔半导体薄膜，或是直接将稀土离子掺入到常规的纳米多孔半导体薄膜中，形成具有上转换功能的纳米多孔半导体薄膜。上转换材料和常规纳米多孔半导体薄膜之间的比例为0.01－1之间。本发明它可将红外光上转换为染料敏化纳米材料易于吸收的可见光，可以有利于增强染料分子吸收更宽谱域的太阳光，这样将进一步提高电池的光电转换效率。
染料太阳电池用有上转换功能纳米多孔半导体薄膜

[发明专利]一种真空压强传感器-CN201310106267.4无效
发明人：郑学军;王现英;程宏斌;谢澍梵 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： G01L21/00 文献下载
摘要：一种真空压强传感器，包括：一片基底；一层半导体薄膜；一个半导体纳米线阵列；以及两片电极，其中，所述半导体薄膜粘合在所述基底上，所述半导体纳米线阵列贯穿所述半导体薄膜垂直粘合在所述基底上，所述两片电极固定于所述半导体纳米线阵列顶部
一种真空压强传感器

[发明专利]一种有机场效应晶体管-CN202210069897.8在审
发明人：李立强;戚建楠;陈小松;胡文平 -专利权人：天津大学
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及有机半导体技术领域，公开了一种有机场效应晶体管，包括栅极、源极、漏极、介电层和有机半导体层；其中，所述有机半导体层包括纳米粒子，所述纳米粒子在有机半导体层中分布均匀且不连续，所述纳米粒子体积占有机半导体层体积的本发明在有机半导体层的有机半导体薄膜表面或薄膜内部引入微量的纳米粒子，纳米粒子均匀且不连续，不会影响有机半导体薄膜本身的电学性能。有机半导体薄膜的晶界、位错、层错以及表面等被纳米粒子钉扎，导致有机半导体薄膜聚集态结构变化的势垒增加，从而增强其聚集态稳定性，进而大幅增加有机场效应晶体管的最高工作温度以及储存寿命。
一种有机场效应晶体管

[发明专利]一种堆叠纳米线及其制造方法-CN201711406301.4在审
发明人：马雪丽;王晓磊;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种堆叠纳米线及其制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上制备堆叠纳米线；在所述堆叠纳米线上沉积半导体薄膜，其中，所述半导体衬底的第一半导体材料与所述半导体薄膜的第二半导体材料不相同；对所述堆叠纳米线进行氧化退火和去除生成的氧化物，促使所述半导体薄膜中的半导体原子扩散进入所述堆叠纳米线，形成目标纳米线。本发明提供的器件和方法，用以解决现有技术中在硅衬底上制备的硅纳米线存在的电子和空穴迁移率低的技术问题。实现了在半导体衬底上制备与衬底不同材料的纳米线的方法。
纳米线堆叠衬底半导体制备半导体材料半导体薄膜沉积半导体薄膜半导体原子空穴迁移率硅纳米线目标纳米氧化退火硅衬底氧化物去除制造扩散

[发明专利]半导体性碳纳米管薄膜的制备方法-CN201010017136.5无效
发明人：李红波;金赫华;陈艳芳;李清文 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2010-01-08 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明揭示了一种半导体性碳纳米管薄膜的制备方法，属于纳米材料制备领域，其特征在于：在分散的单壁碳纳米管溶液中，加入与半导体性碳纳米管选择性吸附的介质，并在介质表面形成半导体性碳纳米管富集层，最后以酸化消除介质的方式分离、提纯单壁碳纳米管溶液中的半导体性碳纳米管薄膜。利用本发明方法制备纯的半导体性碳纳米管薄膜，无需任何特殊装置和繁杂工序，制备过程简便、实用，而且低成本，有利于实现大面积碳纳米管薄膜的制备，促进半导体性碳纳米管薄膜在诸多领域的应用。
半导体纳米薄膜制备方法

[发明专利]核壳半导体纳米棒薄膜、偏振发光二极管及其制备方法-CN201610820014.7在审
发明人：刘政;杨一行;曹蔚然;钱磊;向超宇 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开核壳半导体纳米棒薄膜、偏振发光二极管及其制备方法，包括步骤将核壳半导体纳米棒分散于非极性溶剂中，得到核壳半导体纳米棒溶液；过滤后得到提纯后的核壳半导体纳米棒溶液；将提纯后的核壳半导体纳米棒溶液滴加到极性溶剂中分散，待非极性溶剂挥发完全后，形成核壳半导体纳米棒薄膜。本发明得到纳米棒成膜非常均匀，薄膜中的纳米棒阵列高度有序排列。通过微接触转印技术，将纳米棒阵列薄膜转移集成到多层结构的发光二极管器件上，并实现电致器件偏振发光。核壳半导体纳米棒薄膜可转移到各种基质的二极管器件衬底，未来可用于保护视力的偏振显示器或者3D显示系统。
半导体纳米薄膜偏振发光二极管及其制备方法

[发明专利]立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法-CN201510763100.4有效
发明人：潘东;赵建华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种立式III‑V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法，包括：步骤(a)：在半导体衬底上制备用于催化纳米线生长的多个金属催化剂颗粒；步骤(b)：在半导体衬底上利用金属催化剂颗粒催化生长III‑V族半导体纳米线，该金属催化剂颗粒位于III‑V族半导体纳米线的顶端；步骤(c)：在III‑V族半导体纳米线的轴向上外延立式III‑V族锑化物半导体单晶薄膜，完成制备。本发明很容易实现立式III‑V族锑化物半导体单晶薄膜的大批量生产，可以大大节约III‑V族锑化物半导体单晶薄膜的生产成本。
半导体单晶薄膜锑化物金属催化剂颗粒制备半导体纳米线衬底半导体催化纳米生长催化生产成本节约生产

[发明专利]金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法-CN201110197871.3无效
发明人：吴春艳;揭建胜;王莉;于永强;胡治中;张梓晗;周国方 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2011-07-14 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法，是通过一次紫外光刻的方法在半导体纳米线上制备两对金属薄膜电极，其中一对金属薄膜电极通过所述半导体纳米线连通，与半导体纳米线呈欧姆接触；对另一对金属薄膜电极施加交流电场，金属纳米线被吸附到施加交流电场的金属薄膜电极对上，所述金属纳米线与所述半导体纳米线相交呈肖特基接触，形成金属/半导体纳米线交叉结构异质结。本发明制备方法简单易行，稳定可靠，可以应用到各种纳米尺寸的包括肖特基二极管或以金属纳米线作为栅极的金属-半导体场效应管在内的电子元件、光学元件中如纳米光电探测器、气体传感器、太阳能电池等。
金属半导体纳米交叉结构异质结制备方法

[发明专利]一种基于宽禁带半导体纳米管阵列薄膜结构的同位素电池-CN201410421891.8有效
发明人：伞海生;张强;张鸿;陈然斌 -专利权人：厦门大学
申请日： 2014-08-25 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：一种基于宽禁带半导体纳米管阵列薄膜结构的同位素电池，涉及同位素电池。设有衬底、收集电极、半导体纳米管阵列薄膜和同位素辐射源，半导体纳米管阵列薄膜经过表面修饰和掺杂改性形成肖特基结或异质结，同位素辐射源位于半导体纳米管阵列薄膜的纳米管内，收集电极和衬底分别设于半导体纳米管阵列薄膜的上表面和下表面,将半导体纳米管阵列薄膜膜与分别镀有收集电极层的上下衬底封装。基于宽禁带半导体纳米管阵列薄膜结构的同位素电池可为单层同位素电池，或并联堆垛级联结构同位素电池，或串联堆垛级联结构同位素电池，或串并联堆垛级联结构同位素电池。采用高比表面积、垂直有序的纳米管结构和长半衰期的同位素辐射源，转换效率高。
一种基于宽禁带半导体纳米阵列薄膜结构同位素电池

[发明专利]一种增强有机半导体薄膜聚集态稳定性的方法-CN202111110113.3有效
发明人：李立强;陈小松;戚建楠;胡文平 -专利权人：天津大学
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明涉及有机半导体技术领域，公开了一种增强有机半导体薄膜聚集态稳定性的方法：构筑有机半导体薄膜，然后在构筑的有机半导体薄膜表面或薄膜内部引入微量的纳米粒子，纳米粒子均匀且不连续，不会影响有机半导体薄膜本身的电学性能有机半导体薄膜的晶界、位错、层错以及表面等被纳米粒子钉扎，导致有机半导体薄膜聚集态结构变化的势垒增加，从而增强其聚集态稳定性，进而大幅增加有机场效应晶体管的最高工作温度以及储存寿命。在常温储存条件下，引入纳米粒子稳定的有机半导体形貌几乎不会发生变化，保证了以有机半导体薄膜所制备的有机晶体管器件在高温工作环境和实际大气环境中电学性能的稳定。
一种增强有机半导体薄膜聚集稳定性方法

[发明专利]一种碳纳米管薄膜的制备方法-CN201510495655.5在审
发明人：施勇 -专利权人：海门市明阳实业有限公司
申请日： 2015-08-13 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管薄膜的制备方法，属于纳米材料制备领域，在分散的单壁碳纳米管溶液中，加入与半导体性碳纳米管选择性吸附的介质，并在介质表面形成半导体性碳纳米管富集层，最后以酸化消除介质的方式分离、提纯单壁碳纳米管溶液中的半导体性碳纳米管薄膜利用本发明方法制备纯的半导体性碳纳米管薄膜，无需任何特殊装置和繁杂工序，制备过程简便、实用，而且低成本，有利于实现大面积碳纳米管薄膜的制备，促进半导体性碳纳米管薄膜在诸多领域的应用。
一种纳米薄膜制备方法

[实用新型]一种具有微纳陷光结构的染料敏化太阳能电池-CN202022927054.6有效
发明人：高梦宇;张震;夏葉;李荣;贺雨田;司杨;陈来军;杨立滨;安娜;李春来;李正曦;周万鹏;刘庭响;张海宁 -专利权人：青海大学;国网青海省电力公司;国网青海省电力公司经济技术研究院;国网青海省电力公司清洁能源发展研究院
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：其包括微纳结构纳米多孔半导体薄膜电极、电解液和对电极；微纳结构纳米多孔半导体薄膜电极和对电极被封装成密封结构，微纳结构纳米多孔半导体薄膜电极和对电极之间注有电解液；微纳结构纳米多孔半导体薄膜电极包括透明导电基底，透明导电基底上负载基于染料光敏化剂的多孔半导体薄膜层，多孔半导体薄膜层的表面构筑有微纳结构。本实用新型利用在纳米多孔半导体薄膜电极上形成的陷光结构，使染料敏化太阳能电池具备广角度光吸收性能，实现在太阳光斜入射条件下电池表面反射率的降低，从而达到提高染料敏化太阳能电池光电转换效率的目的。
一种具有微纳陷光结构染料太阳能电池

[发明专利]一种增强有机半导体薄膜形貌稳定性的方法-CN202111607446.7有效
发明人：李立强;孙首港;付瑶;陈小松;胡文平 -专利权人：天津大学
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强有机半导体薄膜形貌稳定性的方法，涉及有机半导体技术领域，本发明通过在衬底表面引入纳米颗粒，使得衬底表面粗糙化，使有机半导体薄膜的形貌难以发生变化，达到稳定有机半导体薄膜的形貌的目的。有机半导体薄膜在粗糙表面上能够在高温条件和长时间保存下表现出极高的形貌稳定性。本发明通过将有机半导体薄膜制备在纳米级粗糙表面的衬底上，借助纳米级粗糙表面大幅度增强了有机半导体薄膜的高温热稳定性和长时间保存稳定性。
一种增强有机半导体薄膜形貌稳定性方法

[发明专利]一种与金属形成欧姆接触的硅纳米薄膜及其制作方法-CN201810948501.0有效
发明人：刘驰;魏玉宁;孙东明;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及新型半导体纳米薄膜的研发与应用领域，具体为一种与金属形成欧姆接触的硅纳米薄膜及其制作方法。半导体纳米薄膜是厚度为1微米以下的半导体单晶薄膜，可作为柔性集成器件、生物集成器件、异质集成高速器件、异质结器件等新型半导体器件的构成部分。利用反应离子刻蚀工艺实现与金属形成欧姆接触的硅纳米薄膜的制备，该方法不改变半导体体内掺杂浓度，扩展薄膜的应用范围，并节约工艺成本，所得的薄膜具有良好的电学性能和力学性能。本发明提出反应离子刻蚀工艺方法，在不使用离子注入与退火工艺的情况下，实现与金属形成欧姆接触的硅纳米薄膜的规模化制备，率先制备传统方法难以得到的新型半导体器件。
一种金属形成欧姆接触纳米薄膜及其制作方法

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