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[发明专利]一种硅基陶瓷型芯成型方法-CN201810009989.0有效
发明人：乔经纬;徐泽跃;陆丽芳;伦文山;武振飞;庞佳敏 -专利权人：江苏省陶瓷研究所有限公司
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C04B35/82 文献下载
摘要：一种硅基陶瓷型芯成型方法，一种两步法制备硅基陶瓷型芯：第一步,以注射成型工艺制备氧化硅型芯粗坯；第二步：用溶胶凝胶结合超临界干燥工艺在粗坯中引入纳米及亚微米级颗粒，增强硅基陶瓷型芯的综合性能。与单独用注射成型方式制备硅基陶瓷型芯的工艺相比，本发明过程可控度更高，制备的产品收缩率更小，产品的组织结构更均匀，强度更高，能极大提高硅基陶瓷型芯的良率。
一种陶瓷成型方法

[实用新型]粗端型硅碳棒-CN201320628826.3有效
发明人：陈建有 -专利权人：登封市煜昊高温元件有限公司
申请日： 2013-10-12 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H05B3/42 文献下载
摘要：本实用新型涉及硅碳棒，提供了一种原料成本低的粗端型硅碳棒。粗端型硅碳棒，包括发热段和设置在发热段的棒体端头的冷端，所述发热段的棒体的直径小于冷端的直径。与现有技术中发热段棒体和冷端直径相同的硅碳棒相比，在不降低发热效率的同时减少了原材料的使用量，能够降低原料成本，并且冷端的直径较大能够保证装夹强度。
粗端型硅碳棒

[外观设计]粗端型硅碳棒-CN201630630763.4有效
发明人：吴一凯;杨嵩民;吴涛勤;刘早强;郭金明;孙振林 -专利权人：登封市宏远电热元件有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： 23-03 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称粗端型硅碳棒。2．本外观设计产品的用途本外观设计产品用于制造工业窑炉。3．本外观设计产品的设计要点产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片主视图。
粗端型硅碳棒

[发明专利]一种超高介孔含量的Y型分子筛及其制备方法-CN201510147802.X有效
发明人：申宝剑;袁德林;高雄厚;王宝杰;赵红娟;李浩;王闻年;康春燕;郭巧霞;任申勇;曾鹏晖;包立业;郭成玉;李江成;孙建学;郑庆庆;申波俊 -专利权人：中国石油大学(北京)
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： C01B39/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种超高介孔含量的Y型分子筛及其制备方法。该方法包括将Y型沸石在300‑600℃下预处理1‑5h；降温至200‑600℃；在无水干燥环境中，向经过预处理的Y型沸石中通入被脱铝补硅剂饱和的干燥气体，反应0.5‑7h，得到粗产品；或在无水干燥环境下，将温度匀速升温至250℃‑700℃的同时，向经过预处理的Y型沸石中通入被脱铝补硅剂饱和的干燥气体，反应0.5‑7h，得到粗产品；被脱铝补硅剂饱和的干燥气体的通入速率为50mL/min；粗产品进行酸处理；对酸处理后的粗产品进行碱处理，得到Y型分子筛。本发明还提供了由上述方法制得的超高介孔含量的Y型分子筛，其是一种硅铝比高且范围广、高介孔含量的Y型分子筛，而且制备方法的操作简单、原料成本低。
一种超高含量分子筛及其制备方法

[实用新型]一种基于Si衬底的四结太阳电池-CN201820149421.4有效
发明人：李俊承;姜伟;何胜;吴真龙;王亚丽;涂洁磊;王向武 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于Si衬底的四结太阳电池，所述四结太阳电池包括：硅电池；在所述硅电池沿着第一方向依次设置的P型接触层、底电池、第一隧穿结、中电池、第二隧穿结、顶电池以及粗化层，其中，所述第一方向为垂直于所述硅电池，且由所述硅电池指向所述P型接触层；设置在所述粗化层背离所述顶电池一侧的N电极；设置在所述N电极与所述粗化层之间的N型接触层；设置在所述硅电池背离所述P型接触层一侧的P电极。
硅电池粗化层顶电池隧穿结衬底背离本实用新型工艺难度依次设置转换效率底电池指向垂直电池制作优化

[发明专利]硅微/纳米柱的制备方法-CN202210686875.6在审
发明人：仝柯;赵松;田永君 -专利权人：燕山大学
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种硅微/纳米柱的制备方法，属于硅微/纳米结构的制备技术领域。本方法包括如下步骤：(1)从磨抛好的块体硅样品中利用FIB电镜提取用于加工微/纳米柱的初始坯料；(2)利用FIB电镜加工圆台型粗坯；(3)借助FIB电镜，使用环形加工图案对圆台型粗坯进行粗加工，获得硅微/纳米柱粗坯；(4)保持环形加工图案内径不变，逐渐增加其外径进行精加工，确保直径符合需求；(5)利用FIB电镜削平硅微/纳米柱顶部，确保高度符合需求；(6)去除加工过程引入的非晶层。采用本发明的技术方案，可制备尺寸精度高、加工锥度小的硅微/纳米柱，所制备的硅微/纳米柱直径偏差不大于10％，锥度小于10°。所得硅微/纳米柱可用作原位电镜力学测试样品。
硅微纳米制备方法

[发明专利]处理低品级硅钙质胶磷矿的联合选矿方法-CN202111623104.4在审
发明人：李丰;杨勇;刘星强;朱孔金;冯春晖 -专利权人：中蓝连海设计研究院有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： B03B9/00 文献下载
摘要：一种处理低品级硅钙质胶磷矿的联合选矿方法，属于矿物加工技术领域。将低品级硅钙质型胶磷矿一段磨矿调浆后入螺旋溜槽重选；重选精尾矿经浓密后重选精矿反浮选脱硅，脱硅尾矿浓密，浓密溢流返回反浮选脱硅作业，脱硅精矿酸浸，酸浸底流经浓密、过滤后给入下一段化工作业，浓密溢流一部分返回酸浸重选中矿和重选粗尾矿反浮选脱镁，反浮选脱镁作业槽内产品至二段磨矿分级后给至正浮选脱硅作业。本发明针对低品级胶磷矿，通过重选提前选出一部分含硅低和含镁低的石英型粗精矿，大大降低了磨矿量和正浮选脱硅的给矿量，降低选矿成本，重选粗精矿采用酸浸方法，提高了重选粗精矿的回收率，改善了反浮选和过滤结垢问题
处理品级钙质磷矿联合选矿方法

[发明专利]一种微细硅酸盐型低品位难选赤铁粗选精矿提质降硅工艺-CN201611058096.2有效
发明人：邢志华;蔺朝晖;宋钊刚;蔡正鹏;刘洋 -专利权人：玉溪大红山矿业有限公司
申请日： 2016-11-27 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： B03B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微细硅酸盐型低品位难选赤铁粗选精矿提质降硅工艺，包括将浓度25～45%、Fe品位30～40%、Si品位30～40%的微细硅酸盐型低品位难选赤铁粗选精矿矿浆经隔粗设备得到隔粗筛下矿和隔粗筛上矿的隔粗步骤；将A步骤得到的隔粗筛下矿经离心跳汰得到提质降硅精矿和尾矿的离心跳汰步骤。本发明采用精矿隔粗、离心跳汰二重选别，实现赤铁矿及部分与硅酸盐脉石连生、包裹细粒嵌布弱磁性赤铁矿的回收，达到提高低品位赤铁精矿品位和降低硅含量的目的，同时提高铁矿的产率，克服反浮选工艺废水净化和药剂成本较高、单一重选工艺产率低、弱磁—离心工艺精矿质量低的难题，具有工艺简便、提质降硅效果明显、产率高的特点。
低品位降硅提质硅酸盐精矿粗选精矿微细产率赤铁粗筛心跳赤铁矿品位硅酸盐脉石赤铁精矿工艺废水离心工艺细粒嵌布药剂成本重选工艺反浮选弱磁性矿浆弱磁尾矿重选铁矿回收净化

[发明专利]一种基于Si衬底的四结太阳电池及制作方法-CN201810082545.X在审
发明人：李俊承;姜伟;何胜;吴真龙;王亚丽;涂洁磊;王向武 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Si衬底的四结太阳电池及制作方法，所述四结太阳电池包括：硅电池；在所述硅电池沿着第一方向依次设置的P型接触层、底电池、第一隧穿结、中电池、第二隧穿结、顶电池以及粗化层，其中，所述第一方向为垂直于所述硅电池，且由所述硅电池指向所述P型接触层；设置在所述粗化层背离所述顶电池一侧的N电极；设置在所述N电极与所述粗化层之间的N型接触层；设置在所述硅电池背离所述P型接触层一侧的P电极。
一种基于 si 衬底太阳电池制作方法

[发明专利]一种从硅橡胶废品中回收硅单体的方法-CN99117198.5无效
发明人：陈彦霖;郭家铭 -专利权人：陈彦霖;郭家铭
申请日： 1999-11-09 - 公布日： 2003-06-18 - 主分类号： C08J11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种从硅橡胶废品中回收硅单体的方法：在常压空气下，硅橡胶废品中加入复合型催化剂在300～600℃催化裂解生成有机硅混合环体(DMC)粗油；在DMC粗油中加入水溶性氧化剂处理除去变色杂质；取部分氧化处理过的DMC粗油，添加复合型催化剂常压100～200℃回流5～7小时，以此为反应母液，其他DMC粗油用泵连续式进料与反应母液混合在一起，在180～240℃下反应得到DMC精油；DMC精油经精馏分离得到有机硅单体
一种硅橡胶废品回收单体方法

[发明专利]一种基于键合结构的温度不敏感型硅光发射芯片-CN202310466256.0有效
发明人：王继厚;尹坤;柴田;刘硕;郭清水;应小俊;刘士圆 -专利权人：之江实验室
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于键合结构的温度不敏感型硅光发射芯片，其特征在于，包括依次连接的激光器、硅光调制器、温度不敏感型阵列波导光栅和光发射芯片输出端，其中所述激光器和硅光调制器均设置有若干个，且所述激光器和所述硅光调制器一对一连接；所述激光器为相移光栅型分布反馈激光器，所述激光器与所述硅光调制器间通过苯并环丁烯材料键合，所述温度不敏感型阵列波导光栅通过硅波导实现，相邻阵列波导间存在长度差△L，每根阵列波导由粗波导和细波导级联而成
一种基于结构温度敏感型硅光发射芯片

[实用新型]一种端氢基聚硅氧烷生产系统-CN201320463626.7有效
发明人：薛常洪;谭军;欧阳玉霞;程旭阳;鄢清佳;陈关喜 -专利权人：嘉兴联合化学有限公司
申请日： 2013-07-31 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： C08G77/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种端氢基聚硅氧烷生产系统，包括：原料预处理装置，用于对原料甲基环硅氧烷进行脱水、脱氯处理；调聚釜，供原料反应，得到粗产物；粗产物后处理装置，用于去除粗产物中的杂质；成品储罐，用于收集成品端氢基聚硅氧烷本实用新型生产系统利用甲基环硅氧烷和四甲基二氢二硅氧烷生产端氢基聚硅氧烷，不需添加有机溶剂，反应条件温和，而且不排放有害气体，安全环保。
一种端氢基聚硅氧烷生产系统

[发明专利]一种高温下高尺寸稳定性的硅基陶瓷型芯的制备方法-CN201910183515.2在审
发明人：张力;陈晓;刘春阳;郑文龙;张武 -专利权人：东北大学
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： C04B35/14 文献下载
摘要：一种高温下高尺寸稳定性的硅基陶瓷型芯的制备方法，包括如下步骤：(1)将石英玻璃粉按粒度分为粗粉和细粉；(2)部分粗粉浸入纳米氧化物溶胶内，搅拌混合，烘干后煅烧，冷却后过筛，获得氧化物膜粗粉；(3)将剩余的粗粉、氧化物膜粗粉、细粉和锆英石粉混合；(4)混料机升温后放入增塑剂；增塑剂熔化后，加入混合粉料搅拌混合，倒出冷却；(5)置于热压铸机的浆桶中，加热熔化后搅拌，注射压力制成生坯；(6)生坯放入钵体中，填料覆盖并摇匀震实本发明的方法制备的陶瓷型芯高温浇铸时提高了型芯的重烧收缩温度，降低硅基陶瓷型芯的重烧收缩率。
粗粉硅基陶瓷型芯制备高尺寸稳定性氧化物膜增塑剂放入生坯细粉冷却纳米氧化物溶胶熔化石英玻璃粉浸入高温浇铸混合粉料加热熔化随炉冷却陶瓷型芯逐渐升温注射压力焙烧炉混料机热压铸收缩率锆英石烘干钵体倒出过筛浆桶摇匀震实煅烧保温收缩覆盖

[发明专利]一种减少埋层空洞型SOI晶片化学机械研磨破裂的工艺-CN201110136688.2有效
发明人：颜秀文;贾京英;朱宗树;刘咸成;蒋超 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2011-05-25 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少埋层空洞型SOI晶片化学机械研磨破裂的工艺，属于微电子材料工艺技术领域。针对埋层空洞型SOI晶片(Cavity SOI)的化学机械研磨减薄，主要步骤为：压力设定、键合、粗磨、精抛，完成埋层空洞型SOI晶片的制作。根据SOI晶片顶层硅膜的最终厚度设定键合腔内压力，以及粗磨、精抛两级化学机械抛光的步骤。通过设定键合腔内压力可以平衡化学机械研磨过程的热致顶层硅膜变形，从而避免或减少SOI晶片顶层硅膜的破裂，提高了顶层硅膜厚度一致性，很好地控制了产品质量，降低了加工成本。
一种减少空洞 soi 晶片化学机械研磨破裂工艺

[发明专利]一种高铝高硅型铝土矿的分步脱硅提质方法-CN201710324219.0有效
发明人：谢海云;丁超;高利坤;庄故章;周平;魏志聪;陈禄政;张鹏飞;童雄 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： B03B9/00 文献下载
摘要：本发明属矿物加工工程技术领域,涉及一种高铝高硅型铝土矿的分步脱硅提质方法,先将高铝高硅铝土矿粗磨并调浆，采用螺旋溜槽进行第一步脱硅，经粗选和精选后得到粗粒铝土矿精矿；将第一步的各中矿合并再磨后调浆，依次用水力旋流器和螺旋溜槽进行第二步脱硅，先用水力旋流器脱泥，其沉砂再经螺旋溜槽粗选和精选，得到中粒铝土矿精矿；将第一、二步的中、尾矿合并后浮选脱硅，采用浮选闭路流程得到细粒铝土矿精矿；本发明利用“粗磨后螺旋溜槽富集粗粒矿，中矿再磨后水力旋流器联合螺旋溜槽富集中粒矿，尾矿细泥浮选富集细粒矿”的分步脱硅提质方法，阶段获得不同粒级的铝土矿精矿，具有药耗低、回收率高、脱硅彻底等优点。
脱硅螺旋溜槽铝土矿精矿水力旋流器浮选高铝提质高硅型铝土矿粗粒粗磨粗选调浆富集尾矿细粒再磨矿物加工工程精选高硅铝土矿闭路流程合并沉砂粒级脱泥细泥药耗回收率联合

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