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[发明专利]等离子体镀膜装置-CN201210556511.2无效
发明人：韦学运;杨思泽 -专利权人：韦学运
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：等离子体镀膜装置，其包括真空室和抽真空装置，在真空室上有阀门；传动系统包括真空室内的样品台和传动装置；同轴等离子体枪系统包括同轴内外电极及工程陶瓷绝缘套，内外电极间有间隙；脉冲电磁阀进气系统；同轴等离子体枪系统；充放电系统包括电源、与其连的充放电元件及控制系统；同轴等离子体枪系统部分在真空室内，真空室内的端部开口，脉冲电磁阀进气系统与内电极连接，工程陶瓷绝缘套在脉冲电磁阀进气系统与内电极的连线外，有充氮气口，本发明通过等离子体镀膜装置对材料表面进行改性、镀膜，解决了PVD和CVD的问题。
等离子体镀膜装置

[发明专利]等离子体镀膜装置-CN201010135905.1在审
发明人：裴绍凯 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2010-03-30 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：一种等离子体镀膜装置，包括腔体及收容于该腔体内的反应装置，该腔体的内壁设置有待镀基板，该反应装置包括两个相对设置的电极基板及前驱物存储腔，该前驱物存储腔与该两个电极基板之间所形成的电场相连通，该前驱物存储腔包括一载流气体入口，载流气体由该载流气体入口进入该前驱物存储腔并将被气化的该非气态反应物由该气体出口带入到该电场中与该气态反应物进行反应以对待镀基板进行镀膜。与现有技术相比，本发明所提供的该等离子体镀膜装置，其通过将待镀基板设置在电场之外并将助镀离子限制在电场内，减小了高速运动的助镀离子对待镀基板表面的撞击伤害，提高了镀膜的品质。
等离子体镀膜装置

[实用新型]一种等离子体发生装置及镀膜设备-CN202221007639.9有效
发明人：靳伟;何云鹏;戴秀海 -专利权人：光驰科技（上海）有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及镀膜技术领域，尤其涉及一种等离子体发生装置及镀膜设备。该等离子体发生装置包括等离子体发生机构和磁约束组件。其中，等离子体发生机构用于产生等离子体，且等离子体发生机构包括用于容纳等离子体的壳体，磁约束组件沿垂直于等离子体的出口方向设置在壳体的外周，磁约束组件通过磁场调节等离子体中的带电粒子的运动，从而降低作用在基片上的等离子体的能量，进而有利于避免高温导致基片损坏，有利于保证镀膜效果和基片质量，进而提高基片的成品率。该镀膜设备，通过上述等离子体发生装置，有利于提高基片的镀膜质量，避免基片高温下受到损坏。
一种等离子体发生装置镀膜设备

[发明专利]等离子体蚀刻挂板和等离子体蚀刻装置-CN202211180908.6在审
发明人：赵成伟;邬文波 -专利权人：西实显示高新材料（沈阳）有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体蚀刻挂板和等离子体蚀刻装置。等离子体蚀刻挂板用于装载待镀膜产品，其包括主体以及吸热结构，主体具有抵接面，待镀膜产品具有镀膜面及背离镀膜面的安装面，抵接面与安装面相贴合。在对待镀膜产品进行等离子体刻蚀镀膜时，将待镀膜产品安装至主体，且将待镀膜产品的安装面与抵接面贴合。通过在主体上设置吸热结构将主体及待镀膜产品所汇聚的热量吸收，从而对主体及待镀膜产品进行降温。产品温度降低可以使得等离子体较快地沉积在镀膜面，从而形成较为稳定的膜层，提高膜层质量。尤其是等离子体形成温度较高的镀膜场景下，采用该等离子体蚀刻挂板和等离子体蚀刻装置可以较好地保护待镀膜产品。
等离子体蚀刻装置

[发明专利]电感耦合等离子体镀膜装置-CN202110139689.6在审
发明人：宗坚;李福星 -专利权人：江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C23C16/507 文献下载
摘要：本发明主要提供一种电感耦合等离子体镀膜装置，用于为至少一待镀膜基材镀膜，所述电感耦合等离子体镀膜装置包括至少一装置主体、一基于电感耦合的等离子体发生单元、一介质板以及一支架，其中所述装置主体具有一反应腔室，所述待镀膜基材能够被设置于所述支架，所述支架被设置于所述反应腔室，所述等离子体发生单元被设置于所述装置主体的外侧壁以在所述反应腔室内产生一等离子体区，所述介质板被固定设置于所述等离子体发生单元与所述反应腔室之间以区隔所述等离子体发生单元和所述等离子体区
电感耦合等离子体镀膜装置

[发明专利]镀膜装置-CN200910312962.X无效
发明人：裴绍凯 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：一种镀膜装置，包括镀膜室、安装在该镀膜室内的镀膜件放置板、蒸镀装置。蒸镀装置与镀膜件放置板相对设置。镀膜件放置板为一平板。镀膜装置还包括设于镀膜室内，且位于蒸镀装置与镀膜件放置板之间的等离子体发射器。等离子体发射器包括相互平行且共面的多个等离子体发射管，多个等离子体发射管所形成的平面与镀膜件放置板平行。该镀膜装置的镀膜效果较好。
镀膜装置

[实用新型]电感耦合等离子体镀膜组件-CN202120288593.1有效
发明人：宗坚;李福星 -专利权人：江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种电感耦合等离子体镀膜组件，用于为至少一待镀膜基材镀膜，其包括至少一装置主体、一基于电感耦合的等离子体发生单元、以及一介质板，其中所述装置主体具有一反应腔室，所述等离子体发生单元被设置于所述装置主体的外侧壁以在所述反应腔室内产生一等离子体区，所述介质板被固定设置于所述等离子体发生单元与所述反应腔室之间以区隔所述等离子体发生单元和所述等离子体区。
电感耦合等离子体镀膜组件

[发明专利]多功能连续式真空等离子体镀膜系统-CN201510260335.1有效
发明人：董小虹;王桂茂;区名结 -专利权人：广东世创金属科技股份有限公司
申请日： 2015-05-19 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明涉及多功能连续式真空等离子体镀膜系统，包括放卷装置、收卷装置、真空等离子体镀膜装置和控制装置，其特征在于放卷装置位于真空等离子体镀膜装置的前面，收卷装置位于真空等离子体镀膜装置的后面，三者为独立分体结构；真空等离子体镀膜装置的工件进、出口处各设有防泄气结构；在真空等离子体镀膜装置的工件进口处设有工件末端检测器，工件末端检测器的信号输出端连接控制装置的信号输入端，放卷装置、收卷装置的控制信号输入端各连接控制装置的一个控制信号输出端；卷材从放卷装置送出，经过真空等离子体镀膜装置镀膜后再进入收卷装置，整个过程始终保持卷材工件处于张紧状态。
多功能连续真空等离子体镀膜系统

[发明专利]一种优化管内壁镀膜的镀膜装置及基于该装置的镀膜方法-CN202110655311.1在审
发明人：田修波;吴厚朴;巩春志 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：一种优化管内壁镀膜的镀膜装置及基于该装置的镀膜方法，属于管件内壁薄膜沉积技术领域，本发明为解决现有管筒件内壁镀膜工艺等离子体进入管筒件内部距离较短、等离子体密度低的问题。平面等离子体阴极靶头和辅助阳极装置分别置于管筒件的管头和管尾侧，并均与管筒件的端口正对，励磁线圈安装在平面等离子体阴极靶头后方；平面等离子体阴极靶头、励磁线圈、辅助阳极装置和管筒件的等轴；励磁线圈连接有线圈电源，通过励磁线圈产生的磁场对等离子体进行聚焦，推动等离子体进入管筒件内部；辅助阳极装置连接有电源，吸引电子向辅助阳极装置侧运动，使等离子体进入管筒件内部深处。本发明用于对管筒件内壁进行镀膜。
一种优化内壁镀膜装置基于方法

[实用新型]原子层沉积镀膜设备-CN202122978612.6有效
发明人：陈文翰;李哲峰 -专利权人：深圳市原速科技有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开一种原子层沉积镀膜设备，包括镀膜腔室、等离子体发生器以及将所述等离子体发生器与所述镀膜腔室相连接的扩散腔，还包括与扩散腔相连接的源进气装置、设置于所述等离子体发生器和所述扩散腔之间用于过滤等离子体中预定粒子的屏蔽孔板该原子层沉积镀膜设备通过在等离子体发生器和扩散腔之间设置用于过滤等离子体中预定粒子的屏蔽孔板，可以避免等离子体源中预定粒子持续轰击非金属材料而产生粉尘的问题，可显著镀膜质量，整体提高良品率，降低镀膜成本
原子沉积镀膜设备

[发明专利]双蒸发源与等离子体镀膜源结合的新型真空镀膜设备-CN202210625252.8在审
发明人：朱刚劲;朱刚毅 -专利权人：广东腾胜科技创新有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明公开一种双蒸发源与等离子体镀膜源结合的新型真空镀膜设备，包括真空室、设于真空室内的放卷系统和收卷系统，在放卷系统和收卷系统之间设有双镀膜辊，真空室内设有隔气板，隔气板将真空室内部分成等离子体镀膜源腔室和蒸发镀膜室，双镀膜辊设于等离子体镀膜源腔室中，薄膜基材从放卷系统输出，进入等离子体镀膜源腔室及蒸发镀膜室、绕过双镀膜辊后复卷在收卷系统上。本发明的一种双蒸发源与等离子体镀膜源结合的等离子体镀膜源结合的新型真空镀膜设备，复合蒸发镀膜和等离子体镀膜源成膜于一体，实现等离子体镀膜源成膜与热蒸发相互交替的镀膜方式，提升膜层均匀性和结合力，来回往复镀膜，加快镀膜厚度的沉积、提升镀膜速度和生产效率。
蒸发等离子体镀膜结合新型真空镀膜设备

[发明专利]等离子体处理容器内部件以及等离子体处理装置-CN200810083610.7有效
发明人：今福光祐 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2001-12-07 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： C23C4/00 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，使用如下所述的等离子体处理容器的再生方法进行等离子体处理，该等离子体处理容器的再生方法是：向用稀土族氧化物、聚酰亚胺和聚苯并咪唑中的任何一种喷镀膜覆盖基材表面得到的等离子体处理容器的内部部件的、随着在等离子体中的使用而劣化的喷镀膜上，再喷镀与所述喷镀膜相同的材料。
等离子体处理容器部件以及装置

[实用新型]一种双蒸发源与等离子体镀膜源结合的新型真空镀膜设备-CN202221380267.4有效
发明人：朱刚劲;朱刚毅 -专利权人：广东腾胜科技创新有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本实用新型公开一种双蒸发源与等离子体镀膜源结合的新型真空镀膜设备，包括真空室、设于真空室内的放卷系统和收卷系统，在放卷系统和收卷系统之间设有双镀膜辊，真空室内设有隔气板，隔气板将真空室内部分成等离子体镀膜源腔室和蒸发镀膜室，双镀膜辊设于等离子体镀膜源腔室中，薄膜基材从放卷系统输出，进入等离子体镀膜源腔室及蒸发镀膜室、绕过双镀膜辊后复卷在收卷系统上。本实用新型的一种双蒸发源与等离子体镀膜源结合的等离子体镀膜源结合的新型真空镀膜设备，复合蒸发镀膜和等离子体镀膜源成膜于一体，实现等离子体镀膜源成膜与热蒸发相互交替的镀膜方式，提升膜层均匀性和结合力，来回往复镀膜，加快镀膜厚度的沉积、提升镀膜速度和生产效率。
一种蒸发等离子体镀膜结合新型真空镀膜设备

[发明专利]一种射频等离子体增强化学气相沉积方法及装置-CN201710208039.6有效
发明人：邵国胜 -专利权人：郑州新世纪材料基因组工程研究院有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： C23C16/507 文献下载
摘要：本发明涉及一种射频等离子体增强化学气相沉积方法及装置。该方法包括以下步骤：对镀膜室进行抽真空，由等离子体产生室通入反应气体，开启与射频天线连接的射频源以激发反应气体等离子化，在镀膜室上相对等离子体发生室的一侧设置有用于约束等离子体流沿径向扩散的终端磁体，设定终端磁体的磁感应强度大于源磁体的磁感应强度，镀膜。该射频等离子体增强化学气相沉积方法利用源磁体和终端磁体的协同作用，对进入镀膜室的等离子体束流进行限场和分布调控，使等离子束流达到远程稳定和分布可控，等离子束流的离子密度与等离子发生室内等离子源附近的离子密度相当，实现等离子体束流的长程稳定传播。
一种射频等离子体增强化学沉积方法装置

[实用新型]一种新型的阴极电弧离子镀膜装置-CN01219841.2无效
发明人：王殿儒;张金平;程云立;王百湘 -专利权人：北京长城钛金公司
申请日： 2001-04-20 - 公布日： 2002-12-11 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：一种新型的阴极电弧离子镀膜装置，属于等离子体加速器型离子镀膜技术，本装置是扫描式离子镀膜装置，由上料真空室、真空镀膜室、下料真空室、阴极电弧蒸发离化源、等离子体加速区，所述真空镀膜室置于上料真空室与下料真空室之间，中间由左真空锁、右真空锁相隔开，置于真空镀膜室中的阴极电弧蒸发离化源为圆形、矩形、圆柱形中的任何一种，等离子体加速区与真空镀膜室相通，阴极电弧蒸发离化源置于等离子体加速区的端部。
一种新型阴极电弧离子镀膜装置

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