[发明专利]一种优化管内壁镀膜的镀膜装置及基于该装置的镀膜方法在审
| 申请号： | 202110655311.1 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113388807A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 田修波;吴厚朴;巩春志 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/02;C23C14/32;C23C14/35 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 杨晓辉 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种优化管内壁镀膜的镀膜装置及基于该装置的镀膜方法，属于管件内壁薄膜沉积技术领域，本发明为解决现有管筒件内壁镀膜工艺等离子体进入管筒件内部距离较短、等离子体密度低的问题。平面等离子体阴极靶头和辅助阳极装置分别置于管筒件的管头和管尾侧，并均与管筒件的端口正对，励磁线圈安装在平面等离子体阴极靶头后方；平面等离子体阴极靶头、励磁线圈、辅助阳极装置和管筒件的等轴；励磁线圈连接有线圈电源，通过励磁线圈产生的磁场对等离子体进行聚焦，推动等离子体进入管筒件内部；辅助阳极装置连接有电源，吸引电子向辅助阳极装置侧运动，使等离子体进入管筒件内部深处。本发明用于对管筒件内壁进行镀膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 内壁 镀膜 装置 基于 方法 | ||
【主权项】：
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