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[发明专利]等离子体处理方法以及等离子体处理装置-CN201310330382.X有效
发明人：武藤悟;小野哲郎;大越康雄;永德宏文 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2013-08-01 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种随着等离子体处理时间的经过，使等离子体的离解状态逐渐地变化，从而能够进行期望的等离子体处理的等离子体处理方法以及等离子体处理装置。在本发明中，在使用具备对试样进行等离子体处理的等离子体处理室、供给等离子体生成用的第一高频电力的第一高频电源、以及对载置所述试样的试样台供给第二高频电力的第二高频电源的等离子体处理装置的等离子体处理方法中，通过第一脉冲对所述第一高频电力进行调制，通过随着等离子体处理时间的经过逐渐地控制所述第一脉冲的占空比，将等离子体的离解状态控制为期望的离解状态。
等离子体处理方法以及装置

[实用新型]一种用于更换直线等离子体源的装置-CN202022283213.3有效
发明人：桑超峰;王越;孙长江;叶灏;王奇 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： G21B1/25 文献下载
摘要：一种用于更换直线等离子体源的装置，属于直线等离子体装置应用技术领域。这种用于更换直线等离子体源的装置采用等离子体源通过连接法兰与真空室法兰连接，在等离子体源上设有可移动的磁体线圈。Helical型螺旋波等离子体源通过A型法兰与真空室法兰连接，蚊香型螺旋波等离子体源通过B型法兰与真空室法兰连接，六硼化镧等离子体源通过C型法兰与真空室法兰连接。通过不同的法兰接口可以连接不同的等离子体源，分别调节每种等离子体源所需要的最优磁场环境，从而快速方便的更换等离子体源，根据需求创造不同的等离子体环境。
一种用于更换直线等离子体装置

[发明专利]线性高能射频等离子体离子源-CN201880068516.6有效
发明人：克雷格·A·奥滕 -专利权人：丹顿真空设备有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01J23/08 文献下载
摘要：一种等离子体离子源，包括等离子体腔体，该等离子体腔体具有至少一个用于将进料气体引入等离子体腔体的内部的入口。等离子体腔体与附接到等离子体腔体的真空腔电隔离。等离子体腔体的内部中的电感天线配置为根据供应到电感天线上的RF电压来供应电磁能量源。等离子体离子源包括设置在等离子体腔体的端部的引出栅格。引出栅格和等离子体腔体之间的电压差加速等离子体放电中的带电物质，以产生输出准中性等离子体离子束。施加至等离子体腔体的偏置电压包括与脉冲DC电压结合的供应至天线的RF电压的部分。
线性高能射频等离子体离子源

[发明专利]混合等离子体源阵列-CN202210560233.1在审
发明人：龙茂林 -专利权人：北京屹唐半导体科技股份有限公司;玛特森技术公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了一种等离子体源阵列。等离子体源阵列包括设置在基板上的多个混合等离子体子源。每个混合子源包括：具有内部区域和外部表面的介电管；感应耦合等离子体源，感应耦合等离子体源用于产生感应耦合等离子体并靠近介电管的外部表面设置；电容耦合等离子体源，电容耦合等离子体源用于产生电容耦合等离子体并设置在介电管的内部区域内还提供了包含等离子体源阵列的等离子体处理设备和使用方法。
混合等离子体阵列

[发明专利]等离子体处理方法和基板处理装置-CN201380008244.8无效
发明人：郑成炫;李香周 -专利权人：威特尔有限公司
申请日： 2013-02-21 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体处理方法和基板处理装置。所述等离子体处理方法包括：在腔室上安装至少一个第一等离子体源和至少一个第二等离子体源；向第一等离子体源提供第一气体；向第二等离子体源提供不同于第一气体的第二气体；向第一等离子体源施加电力以形成第一等离子体；向第二等离子体源施加电力以形成第二等离子体；以及通过使用第一和第二等离子体处理设置在所述腔室内部的基板。
等离子体处理方法装置

[发明专利]一种采用磁镜场约束的等离子体密封窗及其密封方法-CN201110427059.5无效
发明人：朱昆;黄胜;史本良;陆元荣;颜学庆;王智 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H05H1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用磁镜场约束的等离子体密封窗及其密封方法。本发明的等离子体密封窗包括：等离子体密封窗窗体，窗体中间形成的等离子体通道；在等离子体通道的一端设置有阴极；在窗体的另一端设置有阳极；在阴极和阳极上连接有密封窗电源；在窗体外设置有约束磁铁；给约束磁铁供电的磁铁电源本发明采用约束磁铁产生磁镜场来约束等离子体密封窗内的离子，磁镜场的结构是两边高，中间低的磁场位型，可以约束等离子体通道内的等离子体，只有高于一定能量的离子和电子可以离开等离子体通道。从而使等离子体密封窗内的离子和电子离开等离子体密封窗的速度变慢，达到增加等离子体密封窗的压强差，降低等离子体密封窗的功耗的目的。
一种采用磁镜约束等离子体密封及其方法

[实用新型]一种液体瀑布式处理的介质阻挡低温等离子体装置-CN202020465416.1有效
发明人：余莉萍;沈中增;唐田田;窦凤玲;李玲玲 -专利权人：苏州敬天爱人环境科技有限公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及等离子体技术领域，特别涉及一种液体瀑布式处理的介质阻挡低温等离子体装置，包括等离子体装置本体，等离子体装置本体的下表面固定设置有等离子体装置底板，等离子体装置底板的上表面焊接设置有等离子体装置主承轴等离子体装置主承轴采用不锈钢材料制成，本实用新型通过设计的等离子体介质阻挡器可在电子离开原子核时进行阻挡，使得电离的过程中离子中正负电荷总量相等，通过设计的等离子体介质阻挡控制按钮可有效对介质阻挡进行控制，等离子体低温调节器可有效使得离子体装置就需要在低温环境下进行，使得外层电子摆脱原子核的束缚成为自由电子稳定，通过设计的等离子体装置电源开关可有效控制等离子体装置开关。
一种液体瀑布处理介质阻挡低温等离子体装置

[发明专利]等离子体源-CN201310251929.7有效
发明人：井内裕;谷井正博 -专利权人：日新离子机器株式会社
申请日： 2013-06-24 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01J27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体源，能使防着板的交换周期延长、能提高等离子体源的运转率。等离子体源（1）包括：等离子体生成容器（2），具有冷却机构，生成等离子体用的气体导入其内部；防着板（5），配置在所述等离子体生成容器（2）的内侧；多个永磁体（3），配置在所述等离子体生成容器（2）的外侧，用于生成会切磁场；并且包括磁体（4），在等离子体生成容器（2）的内侧，在隔着等离子体生成容器（2）的壁面与永磁体（3）相对的位置，以与等离子体生成容器（2）的内壁面抵接的方式配置于等离子体生成容器（2
等离子体

[发明专利]一体化等离子体制氢装置-CN201810405426.3在审
发明人：路运龙;王文光 -专利权人：杭州世路胜环保科技有限公司
申请日： 2018-04-29 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： C01B3/32 文献下载
摘要：一体化等离子体制氢装置，属于等离子体放电制氢技术领域。包括壳体，壳体内设置等离子体高频电源、等离子体催化器，等离子体催化器上设置至少一对等离子体电弧放电电极，等离子体电弧放电电极通过高压线与等离子体高频电源配合连接，等离子体催化器进气端连接预制氢气体进气管，等离子体催化器出气端连接等离子体富氢气体出气管，等离子体高频电源连接直流电源接头。上述一体化等离子体制氢装置，其体积小，易集成安装，高压连接线短、电阻小、损耗小、放电效率高，保障和提高了制氢效率；且催化器制造方便，生产成本低，外壳不易开裂损坏，使用安全可靠。
等离子体等离子体催化高频电源等离子等离子体电弧放电电极一体化制氢等离子体放电直流电源接头高压连接线生产成本低放电效率富氢气体集成安装配合连接出气端出气管催化器进气端进气管氢气体体积小高压线电阻壳体预制体内制造

[实用新型]一体化等离子体制氢装置-CN201820633752.5有效
发明人：路运龙;王文光 -专利权人：杭州世路胜环保科技有限公司
申请日： 2018-04-29 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C01B3/32 文献下载
摘要：一体化等离子体制氢装置，属于等离子体放电制氢技术领域。包括壳体，壳体内设置等离子体高频电源、等离子体催化器，等离子体催化器上设置至少一对等离子体电弧放电电极，等离子体电弧放电电极通过高压线与等离子体高频电源配合连接，等离子体催化器进气端连接预制氢气体进气管，等离子体催化器出气端连接等离子体富氢气体出气管，等离子体高频电源连接直流电源接头。上述一体化等离子体制氢装置，其体积小，易集成安装，高压连接线短、电阻小、损耗小、放电效率高，保障和提高了制氢效率；且催化器制造方便，生产成本低，外壳不易开裂损坏，使用安全可靠。
等离子体等离子体催化高频电源等离子等离子体电弧放电电极一体化制氢等离子体放电直流电源接头高压连接线生产成本低放电效率富氢气体集成安装配合连接出气端出气管催化器进气端进气管氢气体体积小高压线电阻壳体预制体内制造

[发明专利]尘埃等离子体生成系统-CN201910348396.1有效
发明人：李海龙;龙俊凯;王茂琰;王彬;殷勇;蒙林;袁学松 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H05H1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种尘埃等离子体生成系统，属于尘埃等离子体领域。该尘埃等离子体生成系统包括尘埃等离子体射流装置；尘埃等离子体射流装置分别与用于将其内部气体喷射至尘埃等离子体射流装置的气体装置、用于电离进入尘埃等离子体射流装置内的气体的电离装置、用于将其内部尘埃喷出与流经尘埃等离子体射流装置的电离后的气体混合而形成尘埃等离子体的尘埃装置及用于对尘埃等离子体进行电子密度检测的密度检测装置连接
尘埃等离子体生成系统

[发明专利]使用等离子体火焰热处理的等离子体喷涂增强-CN201480042397.9在审
发明人： J·Y·孙;陈益凯;B·P·卡农戈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-09-17 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： B05B1/04 文献下载
摘要：一种用于在制品上形成抗等离子体的陶瓷涂层的方法，包括以下步骤：将制品放置到等离子体喷涂系统的腔室或喷涂单元中。随后，以粉末馈送速率将陶瓷粉末馈送至等离子体喷涂系统中，并且在等离子体喷涂工艺中，由所述等离子体喷涂系统将抗等离子体的陶瓷涂层沉积到制品的至少一个表面上。随后，使用等离子体喷涂系统以执行对抗等离子体的陶瓷涂层的原位等离子体火焰热处理，从而在抗等离子体的陶瓷涂层上形成壳层。
使用等离子体火焰热处理喷涂增强

[发明专利]一种全等离子体通道系统及其控制方法-CN201510246513.5在审
发明人：佟为明;金显吉;李中伟;陶宝泉;林景波;李凤阁;赵志衡 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H05H1/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种全等离子体通道系统及其控制方法，该系统包括公共等离子体通道模块、截断器模块、快等离子体通道模块和溜槽线圈模块。该方法用于等离子体通道对等离子体进行的输运、筛选和注入的控制，能有效提高等离子体束能量的一致性、减少等离子体损失。
一种等离子体通道系统及其控制方法

[发明专利]等离子体处理设备与溅镀系统-CN201380039732.5有效
发明人：卢多维克·葛特;阿德金·沙拉积历 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2013-07-25 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：揭示一种等离子体处理设备(200)与溅镀系统。所述等离子体处理设备包括经配置以在处理腔室(202)中产生等离子体(140)的源(206)与等离子体鞘调节器(208)，处理腔室(202)具有邻近工件(138)的前表面的等离子体鞘(242)。等离子体鞘调节器控制等离子体与等离子体鞘之间的边界(241)的形状，使得所述边界的形状的一部分不平行于由工件的朝向等离子体的前表面定义的平面(151)。金属靶材(209)附加于等离子体鞘调节器的后表面，以与等离子体鞘调节器电性地隔离，且金属靶材被电性地施加偏压，使得离开等离子体且穿过等离子体鞘调节器中的孔洞的离子(102)被吸引朝向金属靶材。这些离子造成金属靶材被溅射，从而允许工件的三维金属沉积。
等离子体处理设备系统

[发明专利]一种直线等离子体实验装置-CN202011100888.8在审
发明人：桑超峰;孙长江;王奇;叶灏;王越 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G09B23/06 文献下载
摘要：本发明公开一种直线等离子体实验装置，包括等离子体源、等离子体源室、辅助加热室、靶室、材料分析交换室和送样单元，等离子体源室、辅助加热室、靶室和材料分析交换室均连接有分子泵；等离子体源、等离子体源室、辅助加热室和靶室的外部均设置磁体线圈；辅助加热室内设置天线，天线连接有加热电源，天线为能够允许等离子束穿过的环形，天线固定于辅助加热室的内壁上。本发明的直线等离子体实验装置，具备等离子体实验功能，在等离子体源室与靶室之间设置了辅助加热室，能够对等离子体源产生的等离子体进行二次加热，提供的环境能够充分研究等离子体在整个刮削层和偏滤器中的输运、脱靶
一种直线等离子体实验装置