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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]等离子蚀刻方法-CN201310015232.X有效
发明人：渡边智行;森本未知数;药师寺守;小野哲郎 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2013-01-16 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及等离子蚀刻方法，其与现有技术相比，能够进一步提高相对于与被蚀刻膜不同的膜的被蚀刻膜的蚀刻选择比。本发明的等离子蚀刻方法，其相对于与被蚀刻膜不同的膜选择地蚀刻所述被蚀刻膜，其特征在于，使用能够生成含有与所述膜的成分同样成分的堆积膜的气体，等离子蚀刻所述被蚀刻膜。
等离子蚀刻方法

[发明专利]等离子体处理方法以及等离子体处理装置-CN201310330382.X有效
发明人：武藤悟;小野哲郎;大越康雄;永德宏文 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2013-08-01 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种随着等离子体处理时间的经过，使等离子体的离解状态逐渐地变化，从而能够进行期望的等离子体处理的等离子体处理方法以及等离子体处理装置。在本发明中，在使用具备对试样进行等离子体处理的等离子体处理室、供给等离子体生成用的第一高频电力的第一高频电源、以及对载置所述试样的试样台供给第二高频电力的第二高频电源的等离子体处理装置的等离子体处理方法中，通过第一脉冲对所述第一高频电力进行调制，通过随着等离子体处理时间的经过逐渐地控制所述第一脉冲的占空比，将等离子体的离解状态控制为期望的离解状态。
等离子体处理方法以及装置

[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理方法-CN201310045137.4有效
发明人：安藤阳二;小野哲郎;臼井建人 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2013-02-05 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：本发明提供一种具备高灵敏度化了的等离子体发光检测单元的等离子体处理装置以及使用了高灵敏度化了的等离子体发光检测单元的等离子体处理方法。本发明提供一种等离子体处理装置，具备：处理室，进行等离子体处理；气体供给单元，对所述处理室供给工艺气体；高频电源，供给用于对供给到所述处理室内的工艺气体进行等离子体化的高频电力；以及光检测器，检测在所述处理室内生成的等离子体的发光，所述离子体处理装置的特征在于：所述光检测器具备：检测部，在规定的曝光时间的期间，检测通过脉冲调制了的高频电力生成的等离子体的发光；以及控制部，进行控制以使在各所述曝光时间内检测的所述等离子体的发光的量成为恒定。
等离子体处理装置以及方法

[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理方法-CN201310018419.5有效
发明人：森本未知数;大越康雄;大平原勇造;小野哲郎 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2013-01-18 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：发明提供一种具备供给可宽范围并且高精度地控制的进行了时间调制的高频电力的高频电源的等离子体处理装置以及使用了所述等离子体处理装置的等离子体处理方法。本发明提供一种等离子体处理装置，具备：真空容器；第1高频电源，用于在所述真空容器内生成等离子体；试样台，配置于所述真空容器内来载置试样；以及第2高频电源，对所述试样台供给高频电力，所述等离子体处理装置的特征在于：所述第1高频电源或者所述第2高频电源的至少某一个供给进行了时间调制的高频电力，控制所述时间调制的参数中的一个具有2个以上的不同的控制范围，所述控制范围中的一个是用于进行高精度的控制的控制范围。
等离子体处理装置以及方法

[发明专利]等离子处理方法-CN201110239141.5有效
发明人：井上喜晴;森本未知数;松本刚;小野哲郎;金清任光;药师寺守;宫地正和 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2011-08-19 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在使用堆积性气体的等离子处理中，抑制被处理体的处理枚数的增加所产生的异物的等离子处理方法。本发明提供一种等离子处理方法，从被导入到处理室内的堆积性气体生成等离子体，通过使载置于该处理室内所设置的试料台上的被处理体以施加了高频电力的状态暴露于上述等离子体中来进行上述被处理体的蚀刻，该等离子处理方法的特征在于：通过重复将上述被处理体暴露于上述等离子体中的第一期间和将上述被处理体暴露于上述等离子体中且针对上述被处理体的蚀刻速率低于该第一期间的第二期间，在向上述处理室内壁面的堆积膜成为非结晶的蚀刻条件下蚀刻上述被处理体。
等离子处理方法

[发明专利]等离子处理方法和装置-CN02142185.4无效
发明人： 小野哲郎;濑户口胜美;山本秀之 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2002-08-29 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在使用等离子处理晶片的工艺中，不降低生产率而抑制每个晶片加工尺寸的变动且加工重复性良好的晶片。在真空处理室20内产生等离子体的同时，给配置晶片的下部电极27施加高频电压，在周期性接通·断开调制下部电极27上施加的高频电压，而且对处理的每个晶片或每次多个晶片控制高频电压接通·断开的占空比，对晶片32进行等离子处理。
等离子处理方法装置

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