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[实用新型]等离子体发生器固定支架-CN201120260272.7有效
发明人：张兴;杨金华;蔡飞;呼志杰;王学东;纪书信;唐宏 -专利权人：烟台龙源电力技术股份有限公司
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： F16M11/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于等离子体燃烧器的等离子体发生器固定支架，其特征在于，该等离子体发生器固定支架包括滑动架(1)和支架本体(2)，该支架本体包括滚动轨道(21)，所述滑动架(1)用于安装等离子体发生器(4)并且能够在滚动轨道上沿着等离子体发生器的轴线方向移动；该等离子体发生器固定支架还包括用于调整安装于等离子体燃烧器弯头上的等离子体发生器(4)轴线与等离子体燃烧器的燃烧筒(6)轴线的平行度的调节装置本实用新型提供的等离子体发生器固定支架，材料消耗少、重量轻、承载强，且能保证等离子体发生器轴线与等离子体燃烧器的燃烧筒轴线的平行度公差、可灵活调整。
等离子体发生器固定支架

[实用新型]一种等离子体炬绝缘密封装置-CN202021500805.X有效
发明人：马东;郑文强;李新中;张晓英;靳莎;张成刚 -专利权人：内蒙古东源科技有限公司;内蒙古金科发新材料科技有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子体炬绝缘密封装置，包括等离子体炬和等离子体炬副件，等离子体炬通过等离子体炬绝缘圈与等离子体炬副件连接，等离子体炬和等离子体炬副件均通过外套绝缘圈与外套连接，等离子体炬与外套之间填充有绝缘油，垂直于等离子体炬上部设有气体管，垂直于等离子体炬下部设有电路接头，垂直于等离子体炬副件上部设有地线接头，外套通过连接管与油泵连接，油泵通过进油管与绝缘油换热器连接，绝缘油换热器通过出油管与外套连接。
一种等离子体绝缘密封装置

[实用新型]一种等离子体炬自动进退装置-CN202120256911.6有效
发明人：王山;孙毅晨;陶应翔;吴忠勇;王卫民;谢庚;雷仲波 -专利权人：重庆新离子环境科技有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： F27B14/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子体炬自动进退装置，包括一端连接在熔炉炉壁上且与等离子体炬进出通道平行的滑轨，滑轨上开设齿轮，滑轨啮合驱动移动结构，驱动移动结构连接控制器，驱动移动结构上连接等离子体炬固定圈，等离子体炬固定圈上沿等离子体炬进出通道方向连接等离子体炬；通过控制器，实现驱动移动结构沿滑轨移动，进而带动等离子体炬沿等离子体炬进出通道移动，完全替代人工拆装等离子体炬，避免了人工拆装的安全风险；滑轨上位于齿轮两端分别连接一个光电开关，起到对等离子体炬的限位作用，且在等离子体炬进水管上连接流量开关，提高等离子体炬使用的安全性。
一种等离子体自动进退装置

[实用新型]一种等离子体活化氨气燃烧器-CN202220954750.2有效
发明人：程诚;兰彦;方世东;丁军;李海燕 -专利权人：合肥综合性国家科学中心能源研究院（安徽省能源实验室）
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： F23D14/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种等离子体活化氨气燃烧器，包括：等离子体炬电源系统、控制系统、供气系统、若干等离子体炬组件、燃烧腔体、等离子体炬与燃烧腔体的连接组件和等离子体炬喷口处混合气源的注入组件；等离子体炬组件与等离子体电源和控制系统连接，所述供气系统等离子体炬组件和等离子体炬喷口处混合气源的注入组件连接，所述等离子体炬组件与燃烧腔体通过等离子体炬与燃烧腔体的连接组件连接。本实用新型通过等离子体炬电离氨气，同时利用高温和高能粒子将氨气和空气混合气进一步活化，使得氨气的燃烧特性大幅提高，解决现有氨气直接燃烧困难的问题，实现氨替代煤粉或天然气用于煤电锅炉或重燃气轮机。
一种等离子体活化氨气燃烧

[发明专利]组合型晶片区域压力控制和等离子体限定组件-CN200980150482.6有效
发明人：安德里亚斯·费舍尔;阿基拉·舆石 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2009-12-16 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：提供了在衬底的等离子体处理过程中限定等离子体以及为至少部分地调节等离子体处理室中的压力而配置的组合型压力控制/等离子体限定组件。该组件包括其中有多个穿孔且被配置为于伸出时包围等离子体的可移动等离子体限定结构。该组件还包括可移动压力控制结构，设置在可移动等离子体限定结构外面，使得可移动等离子体限定结构在等离子体处理过程中设置于等离子体与可移动压力控制结构之间，可移动压力控制结构可随可移动等离子体限定结构而伸出和缩回以便于处理衬底，可移动压力控制结构相对于可移动等离子体限定结构独立地移动以通过阻塞至少部分多个穿孔来调节压力。
组合晶片区域压力控制等离子体限定组件

[发明专利]控制等离子体处理室中的蚀刻工艺的方位角均匀性-CN201680001356.4有效
发明人：弗拉迪米尔·纳戈尔尼 -专利权人：马特森技术有限公司;北京屹唐半导体科技有限公司
申请日： 2016-03-17 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了一种用于控制等离子体处理室中的蚀刻工艺的方位角均匀性的装置、系统和方法。在一个实施方式中，等离子体处理装置可以包括等离子体处理室和布置在所述等离子体处理室之上的RF罩。介电窗可以将等离子体处理室和RF罩分开。装置可以包括布置在介电窗之上的等离子体生成线圈。等离子体生成线圈能够进行操作以在被激励时在等离子体处理室中生成电感耦合等离子体。装置还包括布置在RF罩内接近等离子体生成线圈的至少一部分的导电表面。导电表面被布置成在等离子体生成线圈被激励时在导电表面与等离子体生成线圈之间生成方位角可变电感耦合。
控制等离子体处理中的蚀刻工艺方位角均匀

[发明专利]对物件进行等离子体处理的装置和方法-CN200480042839.6无效
发明人： M·沙伊肯斯;C·D·伊亚科范格洛;J·N·约翰逊;W·A·莫里森 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2004-03-01 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体源(102)，其中，可以响应等离子体室(104)内的选定条件而将间隙(110)(即阴极与阳极之间距离)实时地调节为所希望的距离。至少一个传感器(116)监视并检测等离子体室(104)内的所述条件的任何变化。包括至少一个等离子体源(102)的装置(100)产生至少一种稳定的、并可实时调节的等离子体。在一个实施例中，装置(100)包括多个等离子体源(102)，可以实时地将这些等离子体源(102)“调谐”，以产生互相类似的等离子体，或者相反地，可以将它们“去调谐”，以产生不相类似的等离子体。装置(100)可用于等离子体处理(例如但不限于物件(160)的镀膜、蚀刻和激活)。也公开了提供所述等离子体以及使用所述等离子体处理物件(160)的方法。
物件进行等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体生成设备和方法以及具有可调工作周期的RF驱动电路-CN200480023258.8无效
发明人：帕特里克·普莱拜尔 -专利权人：等离子控制系统有限公司
申请日： 2004-06-21 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：公开了一电抗电路，该电路作为产生高密度等离子体的方法和系统的一部分，该方法和系统不需要使用动态匹配网络而直接驱动表现出动态阻抗的等离子体。经设计，电抗网络在等离子体电抗是第一等离子体电抗时提供小的总电抗，且在为第二等离子体电抗时表现出不超过具体限值的电抗。第一和第二等离子体电抗覆盖了动态等离子体电抗的预期范围的主要部分。第一和第二等离子体电抗值可以，例如，分别对应于预期的等离子体电抗上限和预期的等离子体电抗下限，或第一等离子体电抗可以对应于预期的等离子体电抗的平均值。
等离子体生成设备方法以及具有可调工作周期 rf 驱动电路

[发明专利]微波等离子体CVD装置及利用其合成金刚石的方法-CN201811252049.0在审
发明人：杨竣焜 -专利权人：六晶科技有限公司
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波等离子体CVD装置，其包括：等离子体腔、波导、激励探头、微波窗以及基片支持台。本发明提供的微波等离子体CVD装置通过设置可移动的部件，便于调节等离子体腔内的阻抗，来最大化地吸收微波，使产生的等离子体远离石英窗，同时通过改变基片支持台附近的等离子体的形状使得等离子体和基片支持台之间的接触最大化、改变等离子体的能量密度或在生长时维持沉积基片与等离子体的相对位置。
微波等离子体 cvd 装置利用合成金刚石方法

[发明专利]空间控制等离子体-CN202080048162.6在审
发明人：伊夫·洛德韦克·玛丽亚·克瑞顿;安徳里斯·莱夫尔斯 -专利权人：荷兰应用自然科学研究组织TNO
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体输送设备，包括：设置在输送设备的外表面中的等离子体源，外表面被布置成面向待处理的基板；传送机构，被配置为相对于彼此传送基板和外表面；等离子体源包括气体入口，用于向等离子体生成空间提供气流；等离子体生成空间，其流体耦合到布置在外表面中的至少一个等离子体输送口；其中，等离子体生成空间由工作电极和对电极的外表面界定；包括介电层的工作电极；至少一个等离子体排气口，至少一个等离子体排气口设置在外表面中并且远离等离子体输送口，以经由所述等离子体排气口排出沿外表面流动的等离子体，其中，所述至少一个等离子体输送口和至少一个等离子体排气口被布置成提供沿相反方向流动的至少两个连续的等离子体流，每个等离子体流由至少两个工作电极中的相应一个工作电极产生
空间控制等离子体

[发明专利]一种面向等离子体部件及聚变装置-CN201910027785.4有效
发明人：程杨洋;段慧玲;孟垂舟;余龙 -专利权人：新奥科技发展有限公司;北京大学
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G21B1/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种面向等离子体部件及聚变装置，涉及核聚变技术领域，能够解决当前面向等离子体单元中的钨材料一部分处于低温环境和一部分处于高温环境中，脆性较大，容易形成裂纹，而导致面向等离子体部件失效的难题。该面向等离子体部件包括面向等离子体单元和冷却单元，面向等离子体单元主要由钨材料构成，且至少包括耐热晶粒层和耐冷晶粒层，耐热晶粒层位于面向等离子体单元靠近等离子体热冲击的一侧，耐冷晶粒层位于面向等离子体单元远离等离子体热冲击的一侧；面向等离子体单元沿耐热晶粒层到耐冷晶粒层的方向，所述钨材料的晶粒尺寸由大到小呈梯度变化。本发明用于直接面向等离子体，承受等离子体的热冲击。
一种面向等离子体部件聚变装置

[实用新型]晶圆键合设备-CN202121204761.0有效
发明人：赵志远;袁绅豪;刘武;刘淼;锁志勇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶圆键合设备，包括用于对待键合晶圆的表面进行激活处理的等离子体处理装置，所述等离子体处理装置包括：等离子体腔；等离子体生成气体管道，与所述等离子体腔连接；水汽管道，与所述等离子体腔连接；位于所述等离子体腔内的电极，所述电极用于使等离子体生成气体生成等离子体以对待键合的晶圆的表面进行激活处理；设置在所述水汽管道上的第一阀门；所述第一阀门被配置为在所述电极通电之前开启以在所述生成等离子体之前通过所述水汽管道向所述等离子体腔中引入水汽；或者所述第一阀门被配置为在所述电极通电过程中开启以在所述生成等离子体的同时通过所述水汽管道向所述等离子体腔中引入水汽。
晶圆键合设备

[发明专利]平面射流等离子体产生装置-CN201210245290.7有效
发明人：刘彦明;谢楷;李小平;赵良;艾伟;付强新 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-07-17 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面射流等离子体产生装置，主要解决目前射流等离子产生装置中等离子体稳定性差、温度高、面积小、密度和流速分布不均匀的问题。整个装置包括等离子体产生腔体（2）、电源装置（3）和气压调节装置（5），等离子体产生腔体（2）的左侧和右侧分别与导流装置（1）和等离子体射流腔体（4）连接；导流装置（1）的进气端和等离子体射流腔体（4）的出气端气压调节装置（5）连接，等离子体射流腔体（4）上开有电极通孔和观察窗，用于施加正交电磁二维场；电源装置（3）为等离子产生腔体（2）提供电源。本发明延长了等离子体持续时间，降低了等离子体温度，扩大了均匀等离子体的面积，可用于研究电磁场对射流等离子体的影响。
平面射流等离子体产生装置

[实用新型]一种等离子加工系统-CN201921441190.5有效
发明人：杨京华;王晓;潘宇锋;涂有波;钱俊华 -专利权人：常州九圣焊割设备股份有限公司
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01J37/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种等离子加工系统，包括电源主机、等离子体炬控制箱和等离子体炬，等离子体炬控制箱包括电源主机控制模块、气体控制模块、冷却系统接入模块、高压引弧系统、数控机床信号连接模块、等离子体炬的电流、气体、冷却液的汇总接入接口模块和控制电路板；电源主机由等离子体炬控制箱控制；等离子体炬控制箱通过控制信号电缆与电源主机进行连接，等离子体炬通过离子体炬电缆与等离子体炬控制箱连接。本实用新型简化了电源主机与等离子体炬控制箱的电缆连接，大电流的电缆只需要负极电缆和引弧电缆接入等离子体炬控制箱，连接工件的阳极电缆无需接入等离子体炬控制箱，提高了连接可靠性。
一种等离子加工系统

[发明专利]在等离子体室中对衬底进行等离子体处理的方法和等离子体处理系统-CN202080066867.0在审
发明人： W·加耶夫斯基;K·鲁达;J·斯维亚特尼基 -专利权人：通快许廷格有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种在等离子体室中对衬底进行等离子体处理的方法，包括以下步骤：a.向等离子体室供应电源信号，以便在等离子体室中形成等离子体；b.监测与等离子体处理相关的至少一个参数；c.确定与所监测的所述至少一个参数相关的特征；d.在等离子体处理期间调整电源信号以修改特征。
等离子体衬底进行处理方法系统