“等离子体放电腔”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果6830836个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种安全防爆的等离子体协同多技术烟气净化设备-CN202121998471.8有效
发明人：钱黎明;陆晓飞;吴成旺;陈燕明;荣新战 -专利权人：中科新天地(合肥)环保科技有限公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： B01D53/75 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种安全防爆的等离子体协同多技术烟气净化设备，包括箱体、等离子体发生装置和协同净化装置；箱体的两个相对端分别设有进气口和出气口，箱体内部由进气口至出气口方向依次设有等离子体净化腔室和协同净化腔室；等离子体发生装置包括柜体、等离子体放电模块、等离子体放电电源和等离子体注入系统，柜体位于箱体外部，柜体包括第一腔室和第二腔室，第一腔室与第二腔室相互隔离，等离子体放电模块安装在第一腔室内，等离子体放电电源安装在第二腔室内，等离子体放电模块与等离子体放电电源电性连接，第一腔室通过等离子体注入系统与等离子体净化腔室连通。
一种安全防爆等离子体协同技术烟气净化设备

[发明专利]一种大面积、高密度微波等离子体产生装置-CN201510535652.X在审
发明人：陈龙威;赵颖;孟月东 -专利权人：中国科学院等离子体物理研究所
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积高密度微波等离子体产生装置，由多组线形微波等离子体放电单元排列形成，每放电单元包括有放电腔、扩散腔，放电腔的顶端和两侧分别设有永磁铁组，形成类磁镜场位形磁场分布或者发散位形场磁场分布，以增强和稳定位形等离子体放电；放电腔的等离子体发生区设有与气源连接的上、下进气管以及与同轴微波源相连接的同轴圆波导；扩散腔通过多组放电腔产生的等离子体径向和纵向扩散，形成较均匀的等离子体密度分布。本发明通过远程通入反应气体实现薄膜的快速、连续沉积，可实现半导体薄膜、掺杂半导体薄膜、导体薄膜的沉积，或者用于等离子体清洗，或者用于等离子体干法刻蚀，或者用于材料表面的等离子体改性。
一种大面积高密度微波等离子体产生装置

[发明专利]在半导体工艺期间对等离子体放电进行辨认和寻址的方法-CN202010710244.4在审
发明人：王志佑 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用于对等离子体放电进行辨认和寻址的方法。一种等离子体放电探测系统探测半导体工艺腔室内的不期望的等离子体放电事件。等离子体放电探测系统包括位于半导体工艺腔室周围的一个或多个相机。相机从半导体工艺腔室内拍摄图像。等离子体放电探测系统包括从相机接收图像的控制系统。控制系统对图像进行分析并基于图像探测半导体工艺腔室内的等离子体放电。控制系统可响应于探测到等离子体放电而实时调整半导体工艺。本公开可使半导体晶片及其集成电路中产生更好的均匀性。
半导体工艺期间等离子体放电进行辨认寻址方法

[发明专利]等离子体工艺腔室电弧放电的监测方法及系统-CN202011398761.9在审
发明人：蒋志超;罗兴安;胡淼龙;张春雷;桂铭阳 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体工艺腔室电弧放电的监测方法及系统，监测方法的特征在于，包括：在所述等离子体工艺腔室中定义多个监测区域；在等离子体工艺过程中，通过监测多个所述监测区域的等离子体辉光强度，判断出现电弧放电的监测区域本发明通过在等离子体工艺腔室中定义多个监测区域，在等离子体工艺过程中，通过监测多个监测区域的等离子体辉光强度，判断是否有电弧放电发生，以及具体在哪个监测区域发生。本发明在等离子体工艺腔室出现电弧放电后能够精确定位其发生位置，使后续设备维护时能有助于分析发生电弧放电的原因，防止再发。
等离子体工艺电弧放电监测方法系统

[发明专利]一种射频感应耦合等离子体中和器-CN201711446538.5在审
发明人：陈庆川;聂军伟;黄琪;石连天 -专利权人：核工业西南物理研究院;成都同创材料表面科技有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明属于低温等离子体技术领域，具体涉及一种射频感应耦合等离子体中和器。本发明包括用于容纳放电等离子体的等离子体放电腔、高压绝缘气路装置、射频耦合天线、用于收集离子和屏蔽射频容性耦合的阴极、屏蔽外壳和用于从等离子体放电腔中抽取电子束的阳极，该射频感应耦合等离子体中和器结构一方面可有效屏蔽射频耦合天线和放电等离子体间的容性耦合，降低射频容性耦合效应对等离子体放电腔内壁的溅射，减少放电等离子体中的杂质污染，同时也可有效减少射频感应耦合等离子体中和器陶瓷绝缘件上的污染，提高射频感应耦合等离子体中和器的寿命和稳定性，具有结构简单、
射频感应耦合等离子体中和器等离子体放电腔放电等离子体容性耦合电子束射频耦合射频天线低温等离子体技术阴极陶瓷绝缘件阳极高压绝缘工作稳定屏蔽外壳气路装置有效减少有效屏蔽杂质污染无电极屏蔽溅射内壁束流污染离子抽取洁净容纳

[实用新型]一种射频感应耦合等离子体中和器-CN201721863054.6有效
发明人：陈庆川;聂军伟;黄琪;石连天 -专利权人：核工业西南物理研究院;成都同创材料表面科技有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型属于低温等离子体技术领域，具体涉及一种射频感应耦合等离子体中和器。本实用新型包括用于容纳放电等离子体的等离子体放电腔、高压绝缘气路装置、射频耦合天线、用于收集离子和屏蔽射频容性耦合的阴极、屏蔽外壳和用于从等离子体放电腔中抽取电子束的阳极，该射频感应耦合等离子体中和器结构一方面可有效屏蔽射频耦合天线和放电等离子体间的容性耦合，降低射频容性耦合效应对等离子体放电腔内壁的溅射，减少放电等离子体中的杂质污染，同时也可有效减少射频感应耦合等离子体中和器陶瓷绝缘件上的污染，提高射频感应耦合等离子体中和器的寿命和稳定性，具有结构简单、
射频感应耦合等离子体中和器等离子体放电腔放电等离子体容性耦合电子束本实用新型射频耦合射频天线低温等离子体技术阴极陶瓷绝缘件阳极高压绝缘工作稳定屏蔽外壳气路装置有效减少有效屏蔽杂质污染无电极屏蔽溅射内壁束流污染离子抽取洁净容纳

[发明专利]一种火花放电自激励喷射等离子体产生装置-CN201410225853.5有效
发明人：刘轩东;刘善红;张乔根;铁维昊 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2014-05-26 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H05H1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种火花放电自激励喷射等离子体产生装置，所述装置包括至少一微型放电腔，所述放电腔设有一喷孔，其特征在于，所述装置通过施加脉冲高压在微型放电腔内发生火花放电产生带电粒子，并在所述放电腔内瞬间升高的气压作用下，从放电腔的喷孔处喷射等离子体。该装置采用火花放电的形式，能够在没有外部吹气的条件下、在瞬间升高的气压的作用下产生高速喷射的等离子体。所述的喷射等离子体产生装置由于采用火花放电的形式，施加脉冲电压较高，等离子体获得的初始能量较大，导致等离子体喷射速度大，活性高，可适用于常压、高压环境。
一种火花放电激励喷射等离子体产生装置

[实用新型]一种等离子体淤泥修复装置-CN202222980845.4有效
发明人：李丹;李文超;陈巨辉;边兆哲;段立盼;付威 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C02F11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子体淤泥修复装置，主要包括：等离子体弧光放电腔和等离子体修复腔。所述等离子体弧光放电腔设有锥形阴极和环形阳极；多个进气口置于阳极内部并与装置轴向成12°和径向30°角安装，环形磁铁置于阳极上端，切向气体和静态磁场的结合，使电弧沿着锥形阴极螺旋向上位移，产生更大的等离子体体积所述等离子体修复腔内部设有搅拌柱实现物料运移；等离子体修复腔顶端设有活性炭，实现修复后废气的二次净化；等离子体修复腔底部和等离子体弧光放电腔之间设有多孔鼓泡板，实现等离子体活性组分气体以微气泡的形式分散于淤泥内
一种等离子体淤泥修复装置

[发明专利]一种离子速度矢量可控的高密度等离子体源-CN202210622397.2在审
发明人：张尊;刘佳;孙宇哲;贾晴晴;杭观荣;汤海滨 -专利权人：北京航空航天大学;上海空间推进研究所
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体源技术领域，提供了一种离子速度矢量可控的高密度等离子体源，将工质气体通过流量控制器的分配后经过管路进入MPDA模块中进行初步电离，获得的低密度等离子体通过进入端进入陶瓷放电腔；在磁镜阵列磁场的约束下，陶瓷放电腔内种子电子不断电离低密度等离子体；对高密度高能量等离子体的离子速度方向和大小的调节；高密度高能量等离子体突破磁镜阵列的约束，向陶瓷放电腔的等离子体引出端汇聚，将高密度高能量等离子体在等离子体引出端的磁喷管加速喷出本发明的方案实现了产生等离子体能量高、电离率高、可控性强的目的。
一种离子速度矢量可控高密度等离子体

[发明专利]离子源-CN202211531693.8在审
发明人：冯喆;曾麟淇;任秀艳;毋丹;徐昆;王国宝 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01J49/14 文献下载
摘要：本申请的实施例提供一种离子源，包括：气化机构，用于将固态原料气化形成饱和蒸汽；分配机构，设置有至少一个气体入口和多个气体出口，气体入口与气化机构连接；多个等离子体生成机构，分别与气体出口连接，以接收来自气化机构的饱和蒸汽，等离子体生成机构形成有放电腔，饱和蒸汽能够在放电腔中电离形成等离子体；电子发射机构，电子发射机构能够向放电腔中发射电子，以使放电腔中的饱和蒸汽发生电离；以及引出机构，引出机构能够对放电腔中形成的等离子体施加电场，以将等离子体引出放电腔并形成离子束流。
离子源

[发明专利]等离子体处理装置-CN201080005409.2有效
发明人：野野村胜;土师宏;有田洁 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-01-25 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置，能够获得对确定在等离子体处理期间的异常放电的原因有用的数据并能够确保可追溯性。该等离子体处理装置在处理腔(3a)中持有基板(9)以使其经历等离子体处理。该等离子体处理装置被提供有：放电检测传感器(23)，检测处理腔(3a)内部的异常放电；以及照相机(26)，通过窗口部分(2a)拍摄处理腔(3a)内部的图像并输出运动图像数据。当已检测到异常放电时，等离子体处理装置存储与一时间段对应的运动图像数据，该时间段包括检测到异常放电的时间，并且当未检测到异常放电时，等离子体处理装置存储示出正常放电状态的运动图像或静止图像的数据作为示出已执行等离子体处理的正常历史图像数据因此，可以获得对确定等离子体处理中的异常放电的原因有用的数据并确保可追溯性。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体反应器及利用该反应器的等离子体点火方法-CN201380004082.0有效
发明人：崔相敦 -专利权人：株式会社新动力等离子体
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体反应器及利用该反应器的等离子体点火方法。本发明的等离子体反应器包括：多个磁芯，具有初级线圈；交流电源供给源，用于向所述初级线圈供给交流电力；多个等离子体腔室主体，设置有所述磁芯，电压直接感应，从而感应产生感应电动势；及多个浮动腔室，通过绝缘区域与所述等离子体腔室主体连接，并从所述等离子体腔室主体间接传导感应电动势，其中，所述等离子体腔室主体与所述浮动腔室在内部具有用于等离子体放电的一个放电路径，根据从所述交流电源供给源供给的交流电力的相位变化而在所述等离子体腔室主体与所述浮动腔室之间产生电压差根据本发明的等离子体反应器及利用该反应器的等离子体点火方法，在供给与以往相比相对低的电压来产生等离子体的情况下，也能够进行等离子体放电，因此能够供给低价产品，并能够使电弧放电引起的等离子体反应器的损伤最小化并且，供给与以往相同的电压的情况下，在气体流动流量压力低的状态下，也能够容易进行用于等离子体放电的点火。并且，供给与以往相同的电压的情况下，在低温下也能够容易进行用于等离子体放电的点火。
等离子体反应器利用点火方法

[发明专利]一种等离子密度可调的离子源装置-CN202110002168.6在审
发明人：胡冬冬;张瑶瑶;刘小波;张怀东;刘海洋;李娜;郭颂;李晓磊;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子密度可调的离子源装置，包括从内至外依次同轴设置的放电腔、螺旋线圈和离子源腔；放电腔的外壁面上设置有金属箔，金属箔能够屏蔽放电腔的内边缘磁场强度，中和趋肤效应所造成的等离子体密度偏高，使得放电腔内等离子体密度分布均匀。金属箔的宽度W取值范围为1~20mm，金属箔的厚度T取值范围为0.1mm~t，其中，t为趋肤深度；根据放电腔中的边缘等离子体密度和中心区域等离子体密度的差异性，选择金属箔的厚度T和表面积。本发明通过在放电腔外增加法拉第结构，并对法拉第结构进行功率分配，针对不同工况进行等离子体密度调节，从而有效改善刻蚀均匀性。
一种等离子密度可调离子源装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201080005411.X有效
发明人：野野村胜;土师宏;有田洁 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-01-25 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置，能够获得对确定在等离子体处理期间的异常放电的原因有用的数据。该等离子体处理装置在处理腔(3a)中持有基板(9)以使其经历等离子体处理。该等离子体处理装置被提供有：放电检测传感器(23)，检测处理腔(3a)内部的异常放电；以及照相机(26)，通过窗口部分(2a)拍摄处理腔(3a)内部的图像并输出运动图像数据。当检测到异常放电时，等离子体处理装置存储与提取目标时间段对应的运动图像数据作为历史数据，该提取目标时间段被设置为包括从异常放电的时间点往前一精确预定时间的在先时间点和异常放电的检测时间点，所述在先时间点例如是等离子体产生时间点或开始加载基板因此，可以获得对确定在等离子体处理期间的异常放电的原因有用的数据。
等离子体处理装置

[发明专利]微波天线调控磁增强线形等离子体源产生系统-CN201811258419.1有效
发明人：张文瑾;陈龙威;江贻满;刘成周;赵颖;单家芳;刘甫坤 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波天线调控磁增强线形等离子体源产生系统，包括有微波等离子体放电腔和扩散腔，放电腔外部设有磁铁组件，扩散腔底部设有真空机组，放电腔与扩散腔之间相连通；放电腔为等离子体产生区，设有与气源连接的上下进气管以及与微波源相连接的同轴圆波导，同轴圆波导内设有同轴微波天线；在磁铁组件产生的磁场增强下，使用同轴圆波导以及同轴微波天线在微波传输过程中控制微波能量损耗和馈入，从而激发工作气体产生均匀高密度线形微波等离子体源，并在扩散腔形成较均匀的高密度等离子体分布。本发明通过磁场增强和同轴微波天线，提高等离子体密度，调节微波传输过程中能量损耗及馈入，得到均匀高密度微波线形等离子体源。
微波天线调控增强线形等离子体产生系统

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条