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[发明专利]等离子体扩散设备和系统及在处理炉中扩散等离子体的方法-CN201980025769.X在审
发明人：威廉·A·莫法特;克雷格·瓦尔特·麦科伊 -专利权人：良率工程系统公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种扩散等离子体的装置和方法，其允许在较大的处理腔室压力范围内进行等离子体蚀刻。等离子体源，例如线性感应等离子体源，可以被阻塞以改变等离子体源内的背压。然后可以在偏转盘周围扩散等离子体源，所述偏转盘在圆顶下扩散等离子体，这样就可以在基板的表面上实现非常均匀的等离子体蚀刻速率。该设备可以包括位于等离子体扩散部分上面的线性感应等离子体源，所述等离子体扩散部分在水平配置的晶片或其他衬底上扩散等离子体。衬底支撑件可以包括适于增强蚀刻的加热元件。
等离子体扩散设备系统处理方法

[发明专利]基板处理设备-CN202110333560.9在审
发明人：沈光辅;尹芝勋;申东辉;吴贤优;姜佳岚 -专利权人： PSK有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：该设备包括：工艺处理单元，用于提供在其中执行基板处理的处理空间；以及产生等离子体的等离子体产生单元，其中，所述等离子体产生单元包括：等离子体室，具有等离子体产生空间；气体供应单元，用于将处理气体供应到等离子体产生空间；功率施加单元，用于通过使处理气体离开等离子体产生空间而产生等离子体；扩散室，布置在等离子体室的下方，并且具有扩散空间，该扩散空间用于扩散在等离子体产生空间中产生的等离子体和/或供应至等离子体产生空间的处理气体，以将其均匀地输送至处理空间，其中具有至少一个穿孔的扩散板可以布置在扩散空间中。
处理设备

[发明专利]一种负氢离子源系统-CN202110725106.8在审
发明人：高飞;王英杰;王友年 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种负氢离子源系统。该系统包括：等离子体产生装置和负氢离子引出装置；等离子体产生装置的等离子体出射口处设置负氢离子引出装置；负氢离子引出装置包括外壳、过滤磁场产生装置和扩散区；外壳内设置扩散区；外壳包括金属侧壁和金属顶面；金属顶面为静磁屏蔽面；金属顶面开设有等离子体通道；等离子体产生装置产生的等离子体从等离子体通道进入扩散区的顶部，并从扩散区的底部引出负氢离子；过滤磁场产生装置设置在金属侧壁的外部且位于扩散区的底部。本发明能够在冷却扩散区的电子的同时，避免等离子体产生装置内放电源区等离子体密度的降低。
一种氢离子系统

[实用新型]微波等离子体辅助原子层沉积设备-CN202221851674.9有效
发明人：王东君;陈宇林;郭敏 -专利权人：英作纳米科技（北京）有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微波等离子体辅助原子层沉积设备，包括：微波等离子体发生器、等离子体扩散腔、真空反应室和反应源接口。微波等离子体发生器含有等离子体快速发生装置。微波等离子体发生器通过等离子体扩散腔与真空反应室相连通。等离子体扩散腔与真空反应室通过开合装置连接，通过该开合装置，可以方便样品取放样。本实用新型的微波等离子体辅助原子层沉积设备，能够提供微波辐照，提高等离子体的能量和密度，为原子层沉积的提供合适的能量，降低反应温度。本实用新型的微波等离子体辅助原子层沉积设备含有等离子体快速发生装置以及等离子体反应气体特殊脉冲进入模式，可以实现毫秒级的等离子体脉冲，大大缩短反应时间。
微波等离子体辅助原子沉积设备

[发明专利]一种超高声速目标烧蚀扩散物等离子体发生器-CN202111346800.5在审
发明人：贾洁姝;谢志杰;都妍;何鸿飞;冯明;廖意 -专利权人：上海无线电设备研究所
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高声速目标烧蚀扩散物等离子体发生器，包括等离子体电源、电极、加速通道、真空系统和减速通道；所述等离子体电源加载在所述电极处可产生等离子体，气流通过所述电极中心的气孔将所述等离子体扩散至所述加速通道中；所述加速通道可将该等离子体加速为高速动态等离子体，并使其进入所述真空系统中；通过在所述加速通道出口设置烧蚀材料靶板或通过真空系统充入烧蚀材料颗粒，形成含烧蚀扩散物高速等离子体；该等离子体发生器可模拟超高声速目标所处的多种环境，从而得到超高声速目标烧蚀扩散物等离子体的电磁特性。
一种超高声速目标扩散等离子体发生器

[发明专利]等离子体扩散器-CN201580033372.7有效
发明人： F.莱盖因;E.罗格;G.费斯 -专利权人：欧洲等离子公司
申请日： 2015-04-22 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： D06M10/02 文献下载
摘要：本发明涉及至少部分地防止由等离子体涂覆工艺引起的基底变色的方法，其通过在将所述等离子体沉积到所述基底上而形成涂层之前和/或期间扩散等离子体。本发明也涉及包括用于在待涂覆的基底附近使等离子体密度均匀化的等离子体扩散器的等离子体涂覆装置。
等离子体扩散器

[实用新型]等离子体增强原子层沉积设备-CN201320165837.2有效
发明人：王东君 -专利权人：王东君
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子体增强原子层沉积设备，包括：相互贯通的等离子体产生腔体、扩散腔体、反应腔体以及抽气腔体，其中：所述等离子体产生腔体具有等离子体产生气体进气口以及使来自所述等离子体产生气体进气口的等离子体产生气体产生等离子体的等离子发生装置；所述等离子体产生腔体和所述扩散腔体之间设置有反应物进气口，来自所述反应物进气口的反应物与产生的等离子体在所述扩散腔体的内部均匀混合；所述反应腔体的内部设置有用于放置与所述反应物发生反应的待沉积样品的样品台
等离子体增强原子沉积设备

[发明专利]气蚀等离子体水处理装置及方法-CN201510940723.4在审
发明人：李芳;赵赫 -专利权人：李芳;赵赫
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： C02F1/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种气蚀等离子体水处理装置及方法，所述装置包括文丘里管，所述文丘里管包括入口段（1）、收缩段（2）、喉舌段（3）和扩散段（4），所述扩散段（4）内设置有等离子体发生器（5），水体通过文丘里管的入口（6）进入入口段（1），再顺势进入收缩段（2），再进入喉舌段（3），流进扩散段（4），在扩散段（4）内有等离子体发生器（5）对水体及水体中的空泡发生作用，产生水处理效果。本发明一种气蚀等离子体水处理装置及方法，它在气蚀环境中应用等离子体进行水处理，技术构成简单，将气蚀的液体输送不利因素变成了等离子体工作条件，大大增强了等离子体的水处理效果，出现单纯等离子体水处理不可替代的优势
气蚀等离子体水处理装置方法

[实用新型]原子层沉积镀膜设备-CN202122978612.6有效
发明人：陈文翰;李哲峰 -专利权人：深圳市原速科技有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开一种原子层沉积镀膜设备，包括镀膜腔室、等离子体发生器以及将所述等离子体发生器与所述镀膜腔室相连接的扩散腔，还包括与扩散腔相连接的源进气装置、设置于所述等离子体发生器和所述扩散腔之间用于过滤等离子体中预定粒子的屏蔽孔板该原子层沉积镀膜设备通过在等离子体发生器和扩散腔之间设置用于过滤等离子体中预定粒子的屏蔽孔板，可以避免等离子体源中预定粒子持续轰击非金属材料而产生粉尘的问题，可显著镀膜质量，整体提高良品率，降低镀膜成本
原子沉积镀膜设备

[发明专利]具有有效的无损害原位灰化的等离子体蚀刻器设计-CN201210194993.1有效
发明人：萧颖;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-06-13 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：在一些实施例中，本发明涉及一种等离子体蚀刻系统，该等离子体蚀刻系统具有与处理室连通的直流和局部化等离子体源。直流等离子体源用于将直流等离子体提供给处理室以蚀刻半导体工件。直流等离子体具有通过将大的偏压施加给工件形成的高电势。在完成蚀刻以后，关断偏压和直流等离子体源。然后，局部化等离子体源用于将低电势局部化等离子体提供在处理室内的适当位置使得局部化等离子体与工件空间分离。空间分离导致形成与工件接触的具有零电势/低电势的扩散等离子体。零电势/低电势的扩散等离子体使得实施反应灰化，而降低了由于正等离子体电势所引起的离子轰击造成的工件损伤。本发明还公开了具有有效的无损害原位灰化的等离子体蚀刻器设计。
具有有效损害原位灰化等离子体蚀刻设计

[发明专利]带有等离子体扩散层的复合PiN肖特基二极管-CN202010311264.4有效
发明人：任娜;刘旺;黄治成;李宛曈 -专利权人：元山（济南）电子科技有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及带有等离子体扩散层的复合PiN肖特基二极管，包括：第二导电区域，其中，所述第二导电区域由元胞和等离子体扩散层构成；所述等离子体扩散层包括多条条形结构的等离子扩散通道，所述等离子扩散通道用于连接所述多个构成第二导电区域元胞中的部分元胞，以使器件在承受浪涌电流冲击的情况下产生的等离子体通过所述等离子扩散通道均匀的扩散到器件表面。本发明通过设计等离子体扩散层，将多个独立的元胞结构连接起来，使得器件在受到浪涌大电流冲击的情况下，器件内部的电流以及产生的热量可以均匀地扩散到整个器件的各个区域，有效地防止器件发生局部过热造成器件损坏，
带有等离子体扩散复合 pin 肖特基二极管

[发明专利]一种大面积、高密度微波等离子体产生装置-CN201510535652.X在审
发明人：陈龙威;赵颖;孟月东 -专利权人：中国科学院等离子体物理研究所
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积高密度微波等离子体产生装置，由多组线形微波等离子体放电单元排列形成，每放电单元包括有放电腔、扩散腔，放电腔的顶端和两侧分别设有永磁铁组，形成类磁镜场位形磁场分布或者发散位形场磁场分布，以增强和稳定位形等离子体放电；放电腔的等离子体发生区设有与气源连接的上、下进气管以及与同轴微波源相连接的同轴圆波导；扩散腔通过多组放电腔产生的等离子体径向和纵向扩散，形成较均匀的等离子体密度分布。本发明通过远程通入反应气体实现薄膜的快速、连续沉积，可实现半导体薄膜、掺杂半导体薄膜、导体薄膜的沉积，或者用于等离子体清洗，或者用于等离子体干法刻蚀，或者用于材料表面的等离子体改性。
一种大面积高密度微波等离子体产生装置

[发明专利]空调室内机、空调器及控制方法-CN202010355849.6在审
发明人：张军 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： F24F1/0076 文献下载
摘要：本发明公开了一种空调室内机、空调器及控制方法，其中空调室内机包括机体，机体内设置有等离子体装置，等离子体装置设有朝向机体内侧的电极，且电极的连线与出风口平行。工作时，等离子体装置通过电极放电产生等离子体，等离子体呈离子状态而形成离子风，在离子风的作用下，等离子体能够朝向调室内机的内部方向扩散，采用电极的连接与出风口平行的结构，等离子体向机体内部传播时，正离子或负离子不经过邻近的电极，从而减少正离子和负离子的中和数量，使得等离子体扩散距离更远，这样利用等离子体能够有效杀灭空调室内机内部的细菌，提高杀菌效率，杀菌效果显著，有效避免细菌滋生。
空调室内空调器控制方法

[实用新型]空调室内机和空调器-CN202020696868.0有效
发明人：张军 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： F24F1/0076 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种空调室内机和空调器，其中空调室内机包括机体，机体内设置有等离子体装置，等离子体装置设有朝向机体内侧的电极，且电极的连线与出风口平行。工作时，等离子体装置通过电极放电产生等离子体，等离子体呈离子状态而形成离子风，在离子风的作用下，等离子体能够朝向调室内机的内部方向扩散，采用电极的连接与出风口平行的结构，等离子体向机体内部传播时，正离子或负离子不经过邻近的电极，从而减少正离子和负离子的中和数量，使得等离子体扩散距离更远，这样利用等离子体能够有效杀灭空调室内机内部的细菌，提高杀菌效率，杀菌效果显著，有效避免细菌滋生。
空调室内空调器

[发明专利]等离子体产生装置及等离子体处理方法-CN201980101498.1在审
发明人：岩田卓也 -专利权人：株式会社富士
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：等离子体产生装置具备：装置主体，形成有用于使处理气体等离子体化的反应室；至少一个排出通路，与反应室连接；扩散室，与至少一个排出通路连接；及多个喷出通路，与扩散室连接，且喷出在上述反应室中被等离子体化的等离子体气体，在这多个喷出通路中的至少一个喷出通路的朝向扩散室的开口形成有锥面。
等离子体产生装置处理方法

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