“黄治成”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果56个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种多功能酒精浓缩器-CN202321710527.4有效
发明人：向涛;陈仲锐;刘艳;黄永明;黄治成 -专利权人：温州鹏睿流体科技有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B01D1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多功能酒精浓缩器包括蒸发组件和二次蒸发组件，本实用新型中安装有二次蒸发室，当酒精一次蒸发冷却后进入检测器内提取检测，若达标通过后端安装的排液管将酒精向外排出，若不达标，通过底部安装的连接管将酒精送入二次蒸发室内，蒸汽从蒸汽连接管进入内部安装的加热管中，酒精进入后加热管对其加热使其蒸发，而安装在二次蒸发室后端的转动电机带动输出端安装的转动杆同步进行转动，转动杆转动将内部酒精进行搅拌，使其快速完成二次蒸发，再经过第二冷却室冷却后进行收集，能够便于工作人员对内部酒精浓度的检测，且在检测后能够第一时间对酒精进行二次处理，减少工作人员的操作失误，为其提供便捷化操作。
一种多功能酒精浓缩器

[实用新型]一种卫生级止回阀-CN202320969856.4有效
发明人：陈仲锐;向涛;况莉;黄治成;黄永明 -专利权人：温州鹏睿流体科技有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： F16K27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种卫生级止回阀，包括连接模块和加强模块，所述连接模块包括阀体、可拆卸与所述阀体连接的两个T形连管、开设于所述T形连管上的多个弧形开口、与所述阀体连接的多个L形杆，多个L形杆分别贯穿多个弧形开口，所述加强模块包括活动套接于所述阀体两端的两个加强环、安装于所述加强环外侧的多个插杆、与所述T形连管连接的两个U形杆。本实用新型中，将两个T形连管放在阀体两侧，然后控制每个L形杆贯穿弧形开口，之后旋转两个T形连管，使T形连管初步固定，之后移动加强环，使每个插杆都贯穿一个弧形开口，插杆与L形杆过盈配合，有效提高了T形连管与阀体的连接强度，提高本装置的结构稳定性。
一种卫生止回阀

[实用新型]一种球阀-CN202320970842.4有效
发明人： 黄治成;黄永明;邹贤敏;陈仲锐;向涛 -专利权人：温州鹏睿流体科技有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： F16K5/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种球阀，包括球阀模块和对准模块，所述球阀模块包括压盖式球阀、与所述压盖式球阀顶部连接的阀座、与所述阀座螺纹连接的两个通扣螺丝、活动连接于两个通扣螺丝之间的支架、套接于所述通扣螺丝外侧的两个第一螺母、与所述阀座活动连接的阀杆，所述阀杆竖向贯穿支架，所述对准模块包括活动连接于两个通扣螺丝之间的压盖。本实用新型中，完成通扣螺丝与阀座的连接后，在两个通扣螺丝外侧套接支架，然后用第一螺母固定支架，然后按同样的方式安装压盖，然后打开板套，并且取出储物框内的垫板，将垫板塞入缝隙，使阀杆两侧到圆口内壁的距离相等，然后上紧第二螺栓，有效防止扭矩增大，保证阀杆的使用寿命。
一种球阀

[发明专利]一种TMCP掺氢输氢用管线钢的生产方法-CN202310743976.7在审
发明人：吴仲文;肖大恒;熊祥江;李中平;张青学;高擎;罗登;马仲新;黄治成;彭清;王红涛;邓彪;于青;冷鹏 -专利权人：湖南华菱湘潭钢铁有限公司
申请日： 2023-06-24 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C21D8/02 文献下载
摘要：一种TMCP掺氢输氢用管线钢的生产方法，其特征在于：钢的化学成分含量：C=0.03%~0.05%、Si=0.12%~0.30%、Mn=0.95%~1.05%、P≤0.004%、S≤0.0010%、Alt=0.020%~0.045%、Nb=0.040%~0.050%、Ti=0.010%~0.020%，余量为Fe和不可避免的杂质。钢板除了具备常规管线钢应有的力学性能外，还具备良好的氢环境兼容性能。A溶液环境下HIC：CSR≤2%、CLR≤15%、CTR≤5%；在6.3MPa的纯氢环境下的光滑试样的抗拉强度和断面收缩率大于空气环境下的80%和95%；同时，在6.3MPa纯氢环境下，台阶型紧凑拉伸试样的K1C≥100MPa·m1/2，疲劳寿命≥10万次。
一种 tmcp 掺氢输氢用管线生产方法

[发明专利]一种P型低位错锗单晶制备工艺-CN202210203200.1有效
发明人： 黄治成;郭晨光;包炤东 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明属于单晶生长技术领域，公开了一种P型低位错锗单晶的制备工艺，具体包括：原料酸法腐蚀、引细颈、放肩、转肩、等径生长、收尾退火、降温冷却，该工艺在放肩阶段保持温度恒定不变，分两个阶段线性降低晶体生长速度，第一阶段：在3~3.5h内，把生长速度从2.0~2.5mm/min降到0.5~1.0mm/min；第二阶段：在5~5.5h内，把生长速度从0.5~1.0mm/min降到0.2~0.25mm/min。本发明在原有的CZ工艺基础上对放肩工艺进行改进，可生长出低位错密度的P型锗单晶，为以后实现零位错、低缺陷太阳能级P型锗单晶打下坚实的基础。
一种低位错锗单晶制备工艺

[实用新型]一种多功能提取罐-CN202320589050.2有效
发明人：黄永明;黄治成;况莉;向涛;陈仲锐 -专利权人：温州鹏睿流体科技有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： B01D11/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多功能提取罐，包括摆动模块和摇晃模块，所述摆动模块包括基板、与所述基板顶部连接的两个T形撑板、活动安装于所述T形撑板内侧的L形板、连接于两个L形板之间的连接板、活动贯穿于所述连接板的主轴、与所述主轴顶端连接的提取罐主体、与所述基板顶部连接的垫台一。本实用新型中，向提取罐主体内部填充中药药饼和温水，然后在确定提取罐主体关紧后，启动电机一和电机二，然后电机一通过两个L形板、连接板、主轴使提取罐主体做前后摇晃，电机二通过第一锥齿轮使第二锥齿轮、主轴和提取罐主体左右摆动，然后提取罐主体内的中药和温水剧烈晃动，二者充分融合，确保药液提取效果。
一种多功能提取

[实用新型]一种压力人孔-CN202320974565.4有效
发明人：陈仲锐;向涛;黄小琴;黄治成;黄永明 -专利权人：温州鹏睿流体科技有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B65D90/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种压力人孔，包括压盖模块和泄压模块，所述压盖模块包括法兰、与所述法兰连接的两个锁紧件、与所述法兰顶部活动连接的盖板、设于两个锁紧件之间并且与所述盖板连接的挂钩、滑动连接于所述锁紧件和挂钩之间的滑杆，所述泄压模块包括安装于所述法兰内部的限位环、活动安装于所述法兰内部的活塞板、活动贯穿于所述活塞板的泄压管。本实用新型中，压力处于非正常时，活塞板被顶着上浮，然后第一通孔与第二通孔错开，油罐车内的压力无法泄出，然后位于活塞板顶部的折杆，被推着插入杆套内部，此时，即使工人滑动滑杆，盖板在折杆和杆套的限位下，也难以打开，有效保护了工人的生命安全。
一种压力

[实用新型]一种酶解反应罐-CN202320646714.4有效
发明人：黄永明;黄治成;黄小琴;向涛;陈仲锐 -专利权人：温州鹏睿流体科技有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C12M1/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种酶解反应罐，包括压合模块和刮动模块，所述压合模块包括入料通道、套接于所述入料通道底部的酶解室、与所述酶解室内腔顶部连接的两个支撑架、活动连接于两个支撑架之间的碾压筒、安装于所述酶解室后侧的L形坐板。本实用新型中，碾压筒在将原料和酶碾碎后，被碾压部分向碾压筒外侧移动，然后圆筒上的引导槽影响L形针杆移动，L形支撑杆带着气缸、齿轮轴、刮板和齿板平移，当刮板前移时，外接PLC控制气缸带着齿板收缩，然后齿轮轴带着刮板水平放置，在刮板后移时，按着相同的方式，使得刮板倾斜，刮板将酶解室内的原料挂送至碾压筒内，使原料和酶充分融合，加快酶解速度。
一种反应

[实用新型]一种石墨坩埚-CN202222915746.8有效
发明人： 黄治成;郭晨光;尹士平 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本实用新型属于单晶炉技术领域，公开了一种石墨坩埚。包括石墨外锅、石墨内锅和连接杆，石墨外锅和石墨内锅均为顶部开口，所述石墨内锅通过连接杆悬置在石墨外锅内、且所述石墨内锅外壁与石墨外锅内壁之间留有间隙，所述石墨内锅底部设置与石墨外锅连通的漏料孔。本实用新型的石墨坩埚结构简单，在单晶炉使用过程中，运用该石墨坩埚，可有效去除晶体生长初期熔体表面浮渣，大大缩短晶体生长周期，降低能源消耗，节约成本。
一种石墨坩埚

[发明专利]多种元胞设计的复合PiN肖特基二极管-CN202010311920.0有效
发明人：任娜;黄治成;刘旺;李宛曈 -专利权人：元山（济南）电子科技有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及多种元胞设计的复合PiN肖特基二极管，包括：第二导电区域排布有多个元胞；多个元胞中的第一元胞包括第一区域和第二区域，第一区域环绕第二区域设置，多个元胞中的第二元胞包括第三区域，多个元胞中的第三元胞包括第四区域，第一区域和/或第三区域与外延层间形成第一PN结，所述第二区域与外延层间形成第二PN结，第四区域与所述外延层间形成第三PN结；第三PN结的宽度大于所述第一PN结和所述第二PN结的宽度，用于使在浪涌大电流的条件下，第三PN结比第一PN结和所述第二PN结先开启。通过不同尺寸PN结的设计，可以在尽量保持或不影响肖特基二极管正常电流导通模式性能的情况下，更高效的利用器件有源区面积，使浪涌大电流均匀的分散在器件的表面，从而有效的降低因局部过热而造成的器件损坏，提高其稳定性。
多种设计复合 pin 肖特基二极管

[发明专利]一种去除钢中残余元素锑的炼钢方法-CN202211211329.3在审
发明人：杜豪;杨建;姚建华;迟云广;黄治成;周禹;周煦;周凯;李文华;门阳阳 -专利权人：湖南华菱湘潭钢铁有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C21C7/00 文献下载
摘要：一种去除钢中残余元素锑的炼钢方法。工艺步骤包括：1）LF炉进站后迅速调整渣料，石灰、预熔渣加入量≥2t；2）首次送电完毕后，喂入纯钙线150~200m，使得钢中的[Ca]≥0.0020%；3）LF炉继续进行渣料配比，保证精炼渣碱度控制在10~12之间，CaO/Al2O3=1.8~2.0；4）根据过程样喂入纯钙线，保持钢中[Ca]≥0.0020%；5）LF炉最后一次温度调整时加入200kg石灰，之后喂入200m纯钙线，软吹出站；6）VD炉破空喂入纯钙线150m，然后保持软吹状态直至上台浇注。精炼全过程保证钢液中的[Ca]≥0.0020%，LF炉造高碱度大渣量的精炼渣，使得在精炼过程钢中残余[Sb]与[Ca]发生反应，可将钢中残锑降至0.0025%以下。
一种去除残余元素炼钢方法

[发明专利]多种元胞设计的复合PiN肖特基二极管-CN202010311245.1有效
发明人：任娜;李宛曈;刘旺;黄治成 -专利权人：元山（济南）电子科技有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及多种元胞设计的复合PiN肖特基二极管，包括：第二导电区域排布有多个元胞；第一元胞包括第一区域和第二区域，第二元胞包括第三区域，第三元胞包括第四区域，第四区域呈四边形，第一区域和/或第三区域与外延层间形成第一PN结，第二区域与外延层间形成第二PN结，第四区域与外延层间形成第三PN结；第三PN结的宽度大于第一PN结和第二PN结的宽度，用于使在浪涌大电流的条件下，第三PN结比第一PN结和所述第二PN结先开启。通过不同尺寸PN结的设计，可以在尽量保持或不影响肖特基二极管正常电流导通模式性能的情况下，更高效的利用器件有源区面积，使浪涌大电流均匀的分散在器件的表面，从而有效的降低因局部过热而造成的器件损坏，提高其稳定性。
多种设计复合 pin 肖特基二极管

[实用新型]直流功率端子组合件及包含该组合件的功率半导体模块-CN202221958883.3有效
发明人：王兴华;张顺;刘祥龙;张忠孝;黄治成 -专利权人：元山（济南）电子科技有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种直流功率端子组合件及包含该组合件的功率半导体模块。所述组合件包括第一、二端子，第一、二端子各自分别相应具有顺序连接的第一、二接触部、第一、二折弯部及一个或两个以上的第一、二引脚；第一、二引脚各自具有第一、二连接部和第一、二键合部；第一、二键合部同时沿第二方向同向延伸且在第一方向上彼此相邻，第二方向与第一方向彼此垂直；第一、二折弯部均具有数量相等且彼此以预定间隔层叠设置的至少一处折弯。本实用新型能够在有限的体积下达到更多重和/或更大面积的叠层效果，使模块整体的寄生电感大幅降低；且解决了叠层结构过于复杂或者叠层面积较小的问题，能更有效降低组合件及功率半导体模块的寄生电感。
直流功率端子组合包含半导体模块

[发明专利]一种大尺寸锗单晶生长方法-CN202111094281.8有效
发明人： 黄治成;熊聪;郭晨光;尹士平;黄雪丽 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸锗单晶生长方法，包括以下步骤：S100：将高纯度的区熔锗锭装入石墨坩埚中进行高温熔化为熔体，将籽晶插入所述熔体表面进行熔接；S200：引晶阶段；S300：缩径阶段；S400：放肩阶段；S500：等径阶段；S600：收尾脱离阶段；S700：降温退火阶段。该大尺寸锗单晶生长方法通过在等径阶段中的前阶段、中阶段和后阶段三个阶段不断的提高坩埚的埚转速率，使得坩埚出现离心力，通过离心力降低熔体的中间液面的凸起幅度，使得熔体的中间液面和周围液面的高度保持一致，从而使得液面保持平整，当晶体在平整的液面中生长时，就不容易出现变晶现象。因此，该大尺寸锗单晶生长方法有效避免大尺寸锗单晶在生长过程中出现变晶现象，提高产品的良率。
一种尺寸锗单晶生长方法

[发明专利]带有等离子体扩散层的复合PiN肖特基二极管-CN202010311264.4有效
发明人：任娜;刘旺;黄治成;李宛曈 -专利权人：元山（济南）电子科技有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及带有等离子体扩散层的复合PiN肖特基二极管，包括：第二导电区域，其中，所述第二导电区域由元胞和等离子体扩散层构成；所述等离子体扩散层包括多条条形结构的等离子扩散通道，所述等离子扩散通道用于连接所述多个构成第二导电区域元胞中的部分元胞，以使器件在承受浪涌电流冲击的情况下产生的等离子体通过所述等离子扩散通道均匀的扩散到器件表面。本发明通过设计等离子体扩散层，将多个独立的元胞结构连接起来，使得器件在受到浪涌大电流冲击的情况下，器件内部的电流以及产生的热量可以均匀地扩散到整个器件的各个区域，有效地防止器件发生局部过热造成器件损坏，从而提高器件的抗浪涌电流能力，增强器件的可靠性。
带有等离子体扩散复合 pin 肖特基二极管

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 56 条