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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体封装器件及其制造方法-CN202211401715.9在审
发明人：许二岗;曹凯;张雷;张建平 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：氮化物半导体封装器件包括氮化物外延叠层、至少一电极、绝缘层、导电通孔、第一金属层、第二金属层以及重配置线路层。至少一电极设于所述氮化物外延叠层上。绝缘层包覆电极与氮化物外延叠层。导电通孔设于电极上且在绝缘层内延伸。第一金属层与第二金属层，设于绝缘层上。第一金属层位于导电通孔上方且通过导电通孔与电极电性连接，且第一金属层与第二金属层隔开。重配置线路层设于第一金属层与第二金属层之间且连接第一金属层与第二金属层，其中重配置线路层具有相对的第一端部与第二端部，第一端部覆盖第一金属层，第二端部覆盖第二金属层，其中重配置线路层的材料不同于第一金属层与第二金属层的材料
半导体封装器件及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体器件、互连结构及其制造方法-CN202211330574.6在审
发明人：陈邦星;曹凯;张雷 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：氮化物半导体器件包括氮化物外延叠层、至少一电极、绝缘层、导电通孔、第一金属层、第二金属层以及重配置线路层。至少一电极设于所述氮化物外延叠层上。绝缘层包覆电极与氮化物外延叠层。导电通孔设于电极上且在绝缘层内延伸。第一金属层与第二金属层，设于绝缘层上。第一金属层位于导电通孔上方且通过导电通孔与电极电性连接，且第一金属层与第二金属层隔开。重配置线路层设于第一金属层与第二金属层之间且连接第一金属层与第二金属层，其中重配置线路层具有相对的第一端部与第二端部，第一端部覆盖第一金属层，第二端部覆盖第二金属层，其中重配置线路层的材料不同于第一金属层与第二金属层的材料
氮化物半导体器件互连结构及其制造方法

[发明专利]基板及其制备方法、显示面板-CN202010519240.8在审
发明人：胡宏波 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种基板及其制备方法、显示面板，该基板包括：衬底；第一导电层，形成于衬底上，图案化形成第一金属线，第一导电层为第一金属和第二金属构成的多膜层结构，第一导电层远离衬底的表面为第一金属膜层；第一金属为不易被蚀刻的金属，第二金属为易被蚀刻的金属；绝缘层，形成于第一导电层上；第二导电层，形成于绝缘层上，图案化形成第二金属线和第一金属保护线，第一金属保护线覆盖第一金属线未被绝缘层覆盖的侧边。通过在第一金属线未被绝缘层覆盖的侧边上设置第一金属保护线，实现对未被绝缘层覆盖的第一金属线侧边的保护，避免第二导电层刻蚀过程对第一金属线的侧蚀，提高了产品信赖性和制造良率。
及其制备方法显示面板

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610620077.8有效
发明人：傅世刚;吴宪昌;苏莉玲;李明翰;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：在制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成介电层。在第一层间介电层中形成第一图案和第二图案。第一图案的宽度大于第二图案的宽度。在第一图案和第二图案中形成第一金属层。在第一图案中形成第二金属层。对第一和第二金属层实施平坦化操作以便形成通过第一图案的第一金属布线和通过第二图案的第二金属布线。第一金属层的金属材料不同于第二金属层的金属材料。第一金属布线包括第一和第二金属层并且第二金属布线包括第一金属层但不包括第二金属层。本发明的实施例还涉及半导体器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]封装结构及其制作方法-CN201010243789.5有效
发明人：陈家庆;丁一权 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了一种封装结构及其制作方法。该封装结构包括基板、芯片、第一金属层、第二金属层、第三金属层及防焊层。基板具有第一表面、第二表面及至少一贯孔。芯片配置于基板上且位于第一表面上。第一金属层配置于第一表面上且延伸至芯片上。第二金属层配置于第二表面上。第三金属层覆盖贯孔的内壁且连接第一金属层与第二金属层。芯片通过第一金属层与第三金属层及第二金属层电性连接。防焊层填充贯孔且包覆芯片、至少部分第一金属层、至少部分第二金属层及第三金属层。
封装结构及其制作方法

[实用新型]一种多层介质隔离结构-CN202021677046.4有效
发明人：郭德霄;林科闯;汪晓媛;王立阁;何俊蕾;刘成;叶念慈 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多层介质隔离结构，包括基底和至少一形成于基底上的金属互联结构，金属互联结构包括第一金属层和第二金属层，第一金属层与第二金属层连接，还包括粘附层、钝化层、平坦化层和保护层；粘附层、钝化层和平坦化层依次覆盖于基底上；粘附层、钝化层和平坦化层所形成的结构覆盖第一金属层并在第一金属层的顶部上开设第一通孔；保护层覆盖于平坦化层表面和第一通孔的内壁；第一金属层设于基底上，第二金属层凸设于保护层上并延伸至第一通孔内与第一金属层接触，平坦化层的厚度大于第一金属层的厚度。本实用新型通过在既有的半导体器件表面形成隔离结构，可提升金属互联隔离效果、降低器件表面平粗糙度。
一种多层介质隔离结构

[发明专利]射频功率放大器的散热装置-CN202211446186.4在审
发明人：张毕禅;王显泰;龙海波;王虹;钱永学;孟浩;黄鑫 -专利权人：北京昂瑞微电子技术股份有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明提供一种用于无线通信的射频功率放大器的散热装置，包括：第一层金属、第一层金属通孔、发射极金属、集电极金属、背孔电镀金属、导电胶层、第二层金属和第二层金属通孔，其中，第二层金属通孔和第二层金属构成导热顶盖结构，发射极金属通过第一层金属通孔而连接到第一层金属，第一层金属通过第二层金属通孔而连接到第二层金属，并且第一层金属还通过第一层金属通孔而连接到集电极金属，集电极金属与背孔电镀金属连通，并且背孔电镀金属通过导电胶层连接到共地面
射频功率放大器散热装置

[实用新型]一种高强电容器金属化膜-CN201821289262.4有效
发明人：章阳华;李伟;李正强 -专利权人：安徽长容电子有限公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01G4/008 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高强电容器金属化膜，包括第一锌金属层、第一铝金属层、第一塑料薄膜层、加强筋、第二锌金属层、第二铝金属层、第二塑料薄膜层；所述第二塑料薄膜层上表面设有第二铝金属层，所述第二铝金属层上表面设有第二锌金属层；所述第二锌金属层上表面设有第一塑料薄膜层，所述第一塑料薄膜层上表面设有第一铝金属层，所述第一铝金属层上表面设有第一锌金属层；所述第一塑料薄膜层与第二塑料薄膜层中间设有加强筋，所述加强筋为尼龙纤维。本实用新型提高了金属化膜金属化强度，能够防止在卷制中出现破损情况，提高电容产品的质量。
塑料薄膜层铝金属层锌金属层上表面加强筋电容器金属化膜本实用新型电容产品金属化膜尼龙纤维金属化卷制破损

[发明专利]一种导热结构及其制备方法、移动终端-CN201810063758.8有效
发明人：李明;蔡程;周伟杰 -专利权人：维沃移动通信有限公司
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明公开了一种导热结构及其制备方法、移动终端。该导热结构包括第一金属导热层和材质与所述第一金属导热层的材质不同的第二金属导热层，其中所述第二金属导热层电镀在所述第一金属导热层的外侧，所述第二金属导热层上开设有使所述第一金属导热层外露的开孔。如此设置，第一金属导热层与第二金属导热层直接接触，第二金属导热层的热量更容易传导至第一金属导热层，而且第一金属导热层部分外露。因此可以提高第一金属导热层的导热效率，从而提高导热结构的导热效率。
一种导热结构及其制备方法移动终端

[发明专利]半导体发光装置-CN201610012015.9有效
发明人：小幡进;小岛章弘 -专利权人：阿尔发得株式会社
申请日： 2016-01-08 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明提供包含半导体部、第一金属柱、第二金属柱及绝缘层的半导体发光装置。半导体部包含第一面、第二面及发光层。第二面包含与发光层重叠的第一区域及不与发光层重叠的第二区域。第一金属柱与第二区域电性连接。第一金属柱包含第一金属层及第二金属层。第二金属层的硬度比第一金属层的硬度硬。第一金属层设置在第二面与第二金属层的至少一部分之间。第二金属柱在第二方向与第一金属柱并排，与第一区域电性连接，第二方向与从第一面朝向第二面的第一方向交叉。第二金属柱包含第三金属层及第四金属层。第四金属层的硬度比第三金属层的硬度硬。第三金属层设置在第二面与第四金属层的至少一部分之间。绝缘层设置在第一金属柱与第二金属柱之间。
半导体发光装置

[发明专利]磁存储器和制造磁存储器的方法-CN201480076776.X有效
发明人：园田康幸;中山昌彦;李敏硕;吉川将寿;杉浦邦晃;黄智焕 -专利权人：东芝存储器株式会社;SK海力士公司
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：根据一个实施例，磁存储器包括：包括第一金属的第一金属层；在第一金属层上的第二金属层，第二金属层包括比第一金属更易被氧化的第二金属，第二金属层具有接触第一金属层的第一侧壁部，第二金属层具有在第一侧壁部上面的第二侧壁部，第二侧壁部从第一侧壁部后退；在第二金属层上的磁阻元件；在磁阻元件上的第三金属层；以及接触磁阻元件的侧壁部和第二金属层的第二侧壁部的第一材料，第一材料包括第二金属的氧化物。
磁存储器制造方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201710385165.9有效
发明人：简昭欣;徐崇浚;季维均;刘继文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种制造半导体装置的方法，包含下列步骤。在半导体基板上形成第一金属层，并在第一金属层上形成第二金属层。第二金属层由与第一金属层不同的金属形成。施加微波辐射于半导体基板、第一金属层和第二金属层，以形成包含第一金属层、第二金属层和半导体基板的成分的合金。
制造半导体装置方法

[实用新型]显示模组和电子设备-CN202223121131.4有效
发明人：陈建军 -专利权人：维沃移动通信有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10K59/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种显示模组和电子设备，其中，显示模组，包括：第一金属膜层；第二金属膜层，第二金属膜层设有第一凸部；第一有机膜层，位于第一金属膜层和第二金属膜层之间，第一有机膜层设有第一通孔，第一凸部穿过第一通孔与第一金属膜层连接；第一无机膜层，位于第一有机膜层和第一金属膜层之间，第一无机膜层覆盖在第一凸部、通孔和第一金属膜层的连接处，第一无机膜层还覆盖在第一金属膜层朝向第一有机膜层的中部的外周壁。
显示模组电子设备

[发明专利]透明导电玻璃及其表面电阻降低方法-CN202210166901.2有效
发明人：吴倩颖;顾文灏;赵乐;陈君;周凯;丁洋;卢礼呈 -专利权人：江苏铁锚玻璃股份有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本申请涉及一种透明导电玻璃及其表面电阻降低方法。表面电阻降低方法包括以下步骤：于玻璃的表面形成第一金属膜层；于第一金属膜层的部分区域形成第二金属膜层，第二金属膜层与第一金属膜层的对应区域形成并联电路。透明导电玻璃包括玻璃、第一金属膜层和第二金属膜层，第一金属膜层设置于玻璃的表面，第二金属膜层设置于第一金属膜层的部分区域，第二金属膜层与第一金属膜层的对应区域形成并联电路。本申请通过在第一金属膜层的部分区域设置第二金属膜层，使第二金属膜层与第一金属膜层的对应区域形成并联电路，实现降低第一金属膜层对应区域的表面电阻，如此可以减少镀膜膜层的返工次数，提高镀膜膜层的合格率。
透明导电玻璃及其表面电阻降低方法

[发明专利]封装基板及其制造方法-CN201110161551.2有效
发明人：朴珠炫;洪荣文;金锡奉 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-06-02 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种封装基板及其制造方法。封装基板包括一第一介电层、一第一金属层、一第二金属层、一第三金属层、一第二介电层及一第四金属层。第一介电层具有一第一凹槽、一第二凹槽及一第三凹槽。第三凹槽位于第一凹槽及第二凹槽之间。第一金属层内埋于第一凹槽内。第二金属层内埋于第二凹槽内。第三金属层内埋于第三凹槽内。第三金属层的上表面低于第一介电层的上表面。第二介电层设置于第二凹槽内，并覆盖至少部份的第三金属层。第四金属层覆盖部份的第一介电层及第二介电层，并电性连接第一金属层及第二金属层。
封装及其制造方法

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