“第一金属层 ”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果34592446个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种阵列基板及显示面板-CN201821501613.3有效
发明人：黄北洲 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种阵列基板及显示面板。阵列基板包括：基底；第一金属层，设置在基底上；绝缘层，设置在第一金属层上；半导体层，设置在绝缘层上；第二金属层，设置在半导体层上；所述第一金属层与第二金属层之间存在重叠区域；所述第一金属层与第二金属层重叠区域的面积小于第一金属层与第二金属层非重叠区域的面积第一金属层与第二金属层重叠区域的面积小于第一金属层与第二金属层非重叠区域的面积，重叠区域面积减小，第一金属层与第二金属层之间产生的寄生电容减小，有利于显示面板的高分辨及开口率，提升显示面板的显示品质。
第一金属层第二金属层显示面板重叠区域阵列基板绝缘层非重叠区域半导体层基底本实用新型寄生电容面积减小显示品质高分辨开口率减小

[发明专利]显示装置-CN201610984607.7有效
发明人：蔡奇哲;林柏青;吴威谚;许惠珍 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提出一种显示装置。显示装置包括一第一基板、一第二基板、一第一阻障层、一第二阻障层、一显示介质以及一金属围墙(metal enclosing wall)。第一阻障层设置于第二基板上，第二阻障层设置于第一基板上，显示介质设置于第一阻障层和第二阻障层之间。金属围墙设置于第一基板和第二基板之间，金属围墙围绕显示介质。金属围墙包括一第一金属层、一第二金属层及一第三金属层。第一金属层位于第二阻障层上，第一金属层具有多个第一开口。第二金属层位于第一阻障层上。第三金属层形成于第一金属层和第二金属层之间。
阻障层第一金属层金属围墙第二金属层第二基板第一基板显示介质显示装置金属层开口

[发明专利]导体结构以及面板装置-CN201710136814.1有效
发明人：陈明俊;黄旭闵;杨士贤 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种导体结构以及面板装置，该导体结构包括第一金属层、第二金属层以及控制层。第二金属层配置于第一金属层上，其中第一金属层的材质与第二金属层的材质包括至少一种相同的金属元素。控制层配置于第一金属层与第二金属层之间，其中控制层的厚度小于第一金属层的厚度及第二金属层的厚度。
导体结构以及面板装置

[发明专利]一种金属互连结构及其制造方法-CN202110924471.1在审
发明人：朱宝;尹睿;张卫 -专利权人：上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属互连结构及其制造方法，包括：间隔设置的金属互连线，第一金属层分别设于所述金属互连线上，第二金属层，分别设于所述第一金属层，介质层，设于所述第一金属层和所述第二金属层的两侧边，与所述第一金属层和所述第二金属层均具有间隙，金属扩散覆盖层，覆盖所述介质层和所述第二金属层。本发明通过将介质层设置在第一金属层和第二金属层的两侧边，且介质层与第一金属层和第二金属层均具有间隙，形成的金属互连结构由于该间隙，降低了寄生电容，且第一金属层和第二金属层与介质层之间存在的间隙可以进一步降低金属离子向介质层扩散
一种金属互连结构及其制造方法

[发明专利]金属绝缘体金属电容器及其制造方法-CN200810126244.9无效
发明人：裵铉洙 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-06-26 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：金属－绝缘体－金属(MIM)电容器包括：下部金属层，包括形成在半导体衬底上的第一下部金属层和第二下部金属层；上部金属层，包括形成在所述下部金属层上的第一上部金属层和第二上部金属层；电容器介电层，形成在所述下部金属层和所述上部金属层之间；第一焊接金属层，形成在所述上部金属层上，以及第二焊接金属层，形成在所述下部金属层；第一连接布线，形成在所述上部金属层和所述第一焊接金属层之间，用于将所述上部金属层直接连接至所述第一焊接金属层；以及第二连接布线，形成在所述下部金属层和所述第二焊接金属层之间，用于将所述下部金属层直接连接至所述第二焊接金属层。
金属绝缘体电容器及其制造方法

[发明专利]遮光层介电常数测量方法及介电常数检测面板-CN201911291949.0在审
发明人：郑风云;徐阳;陈建伦;刘力明;雷国奖 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种遮光层介电常数测量方法及介电常数检测面板，遮光层介电常数测量方法包括：在玻璃基板上形成第一金属层；在第一金属层上形成遮光层，其中，遮光层在玻璃基板上的投影与第一金属层在玻璃基板上的投影部分重叠；在遮光层上形成第二金属层；获取第一金属层与第二金属层之间的电容值；根据电容值获取遮光层的介电常数。遮光层在玻璃基板上的投影与第一金属层在玻璃基板上的投影部分重叠，使得第一金属层的部分表面曝露，便于检测装置同时与第一金属层和第二金属层接触，从而便于获取第一金属层和第二金属层之间的电容值，进而便于获取第一金属层和第二金属层之间的遮光层的介电常数
遮光介电常数测量方法检测面板

[发明专利]ReRAM器件结构-CN201310121335.4有效
发明人：洪庄敏;库-米恩·昌;周峰 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：公开了一种ReRAM器件结构。电阻式随机存取存储器（ReRAM）包括第一金属层。所述第一金属层有第一金属以及在所述第一金属层上的金属氧化物层。所述金属氧化物层包括所述第一金属。所述ReRAM还包括在金属氧化物层上的第二金属层以及物理接触金属氧化物层的第一金属层的侧壁的第一连续导电阻挡层。
reram 器件结构

[实用新型]基于显示面板的金属层结构、显示面板及电子设备-CN201920026708.2有效
发明人：林建伟;王欢;庄崇营;李林 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基于显示面板的金属层结构、显示面板及电子设备，涉及显示面板制造技术领域。该金属层结构包括：基板，以及在基板上依次设置的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层、导电层，第一金属层靠近第二金属层的边缘设置有第一凸起结构、第二金属层靠近第一金属层的边缘设置有第二凸起结构，第一凸起结构和第二凸起结构之间用于尖端放电，第一绝缘层上设置多个第一过孔、第二绝缘层上设置多个第二过孔，第一过孔位于第一金属层的投影区域、且非第二金属层的投影区域，第一金属层、第二金属均通过第一过孔、第二过孔与导电层导电连接实现了增强第一金属层和第二金属层之间导电能力的效果。
第一金属层第二金属层显示面板绝缘层凸起结构金属层结构边缘设置电子设备投影区域导电层基板本实用新型导电连接导电能力尖端放电依次设置金属制造

[发明专利]多重气体感测器及其制作方法-CN201110193610.4有效
发明人：刘文超;陈慧英;蔡宗翰;陈泰佑;张仲甫;许启祥 -专利权人：刘文超
申请日： 2011-07-05 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：一种多重气体感测器，包括：一基板、一磊晶层、一金属氧化物层、一第一金属层、一第二金属层及多个第三金属层。磊晶层成长于基板上，并且具有一第一磊晶结构及一第二磊晶结构，第一磊晶结构及第二磊晶结构之间具有一间隙。金属氧化物层成长于第一磊晶结构上；第一金属层成长于第二磊晶结构上，且第一金属层具有至少两种金属；第二金属层成长于第二磊晶结构上，并且第二金属层与第一金属层之间保持一段距离；以及，第三金属层成长于金属氧化物层、第一金属层及二金属层上。
多重气体感测器及其制作方法

[发明专利]布线基板-CN202180079100.6在审
发明人：汤川英敏 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H05K3/24 文献下载
摘要：本公开所涉及的布线基板包括绝缘树脂层和位于绝缘树脂层上的布线导体。布线导体包括：第一基底金属层；第二基底金属层，位于第一基底金属层上；布线金属层，位于第二基底金属层上；锡层，配置为覆盖第一基底金属层、第二基底金属层及布线金属层；以及硅烷偶联剂层，配置为覆盖锡层。在沿宽度方向剖视布线导体的情况下，布线金属层从第一基底金属层侧起包括比第一基底金属层的宽度窄的部分、与第一基底金属层的宽度相同的部分、以及比第一基底金属层的宽度宽的部分。
布线

[实用新型]防硫化的LED封装结构-CN201720481150.8有效
发明人：吕文松 -专利权人：深圳市嘉明特科技有限公司
申请日： 2017-05-03 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防硫化的LED封装结构，包括LED支架、LED芯片、导热层、封装层。LED支架包含第一金属层、第二金属层、LED围边。第一金属层与第二金属层设置在同一平面上，且第一金属层、第二金属层相隔离。LED围边位于第一金属层、第二金属层的上面；LED围边围绕第一金属层、第二金属层形成容腔。LED芯片位于该容腔内。LED芯片的两极分别与第一金属层、第二金属层电气连接。导热层位于容腔的内底部，密封第一金属层、第二金属层在容腔内的表面。封装层填充容腔的内部的剩余空间。该LED封装结构在封装层与金属层表面的镀银层之间设有散热层，散热层很好的与封装层、金属层相粘合，散热层不易与金属层相分离，气密性好，避免金属层表面被硫化。
硫化 led 封装结构

[发明专利]积层板及其制作方法-CN201410110745.3在审
发明人：罗一玲;邱秋燕;范忆君 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： B32B15/08 文献下载
摘要：本发明公开一种积层板及其制作方法，积层板包括基材、第一金属层以及第二金属层。基材的材料为聚亚酰胺或聚酰胺。第一金属层配置于基材的表面处，第一金属层包括选自Pd、Ni、Pt及其组合中的金属与硅烷化合物，金属粒子的平均粒径分布小于15nm。第二金属层配置于第一金属层上。本发明所提供的一种积层板的制作方法，使用含金属离子与硅烷化合物的第一金属前驱物溶液来浸渍基材，以于基材的表面处形成第一金属前驱物层。还原第一金属前驱物层，以于基材的表面处形成第一金属层。于第一金属层上形成一第二金属层。
积层板及其制作方法

[发明专利]一种TFT阵列基板及其显示面板-CN201910651774.3在审
发明人：明星;曹中涛 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种TFT阵列基板，其包括衬底层和设置于其上的金属层。其中所述金属层包括一金属层桥接结构，所述金属层桥接结构包括第一金属层和桥接第二金属层，其中所述第一金属层和所述桥接第二金属层间设置有绝缘层。其中所述第一金属层包括两段间隔设置的第一段第一金属层和第二段第一金属层，所述桥接第二金属层桥接所述第一段第一金属层和第二段第一金属层。本发明提供了一种TFT阵列基板，其弯折区采用新的金属层走线结构设计，避免了其第一金属层在所述弯折区的走线经过OILD填充层的两孔之间，从而有效的降低其后续因过度蚀刻而断线的风险。
第一金属层金属层桥接第二金属层桥接结构弯折区绝缘层金属层走线过度蚀刻间隔设置显示面板衬底层填充层断线两段走线

[发明专利]一种同轴线缆及通信设备-CN202011410974.9有效
发明人：谢华治;李天生;马海金;曹青松 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01B11/18 文献下载
摘要：本申请提供了一种同轴线缆及通信设备，同轴线缆包括金属导体，包裹在金属导体外侧的绝缘介质层；包裹在绝缘介质层外侧的第一金属屏蔽层；以及包裹在第一金属屏蔽层外侧的第二金属屏蔽层；第一金属屏蔽层包括套装在绝缘介质层外侧的金属膜层以及第一金属填充层，金属膜层间隔有缝隙；第一金属填充层填充在缝隙内并与金属膜层电连接；第二金属屏蔽层包括网状的金属编织层。通过采用金属膜层包裹绝缘介质层，并通过第一金属填充层填充金属膜层之间的缝隙，从而有效的改善了第一金属屏蔽层残留的PIM值。另外，第一金属屏蔽层形成一个完整的结构，屏蔽效果更好，单层薄膜不重叠缠绕的平整度更好，对线缆的幅度相位影响更小。
一种同轴线缆通信设备

[实用新型]半导体封装件-CN202320370841.6有效
发明人：刘玮玮 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体封装件，包括：电子元件，具有有源面；互连结构，包括：第一金属层，位于有源面上方；第二金属层，位于第一金属层上，第一金属层的第一金属和第二金属层的第二金属不同，第二金属层相对于第一金属层的侧壁凸出，第一金属层和第二金属层形成第一折角；封装层，位于有源面上并且包覆第一金属层和第二金属层。本实用新型的目的在于提供一种半导体封装件，以至少实现增强半导体封装件的结构稳定性。
半导体封装