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[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法-CN201410109573.8在审
发明人：周明杰;黄辉;张振华;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2014-03-21 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述电子阻挡层的材质为双极性有机材料和锌化合物形成的混合材料，所述空穴阻挡层的材质为金属硫化物和磷光材料形成的混合材料。该有机电致发光器件空穴阻挡层可以较好的阻挡空穴，避免空穴在电子传输层中复合，提高光的反射，提高出光效率；所述电子阻挡层可有效阻挡电子穿越到空穴传输层中复合，有利于空穴的传输，最终提高有机电致发光器件的发光效率
一种有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201410110070.2在审
发明人：周明杰;黄辉;张振华;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2014-03-21 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极；电子阻挡层的材料为第一化合物与磷光材料的混合物，第一化合物为双极性金属氧化物上述有机电致发光器件，电子阻挡层既可以提高空穴的传输速率，又能将电子阻挡在电子阻挡层靠近发光层的一侧，空穴阻挡层能够将空穴阻挡在空穴阻挡层靠近发光层的一侧，从而使激子的复合区域控制在发光层，提高有机电致发光器件的发光效率
有机电致发光器件及其制备方法

[实用新型]一种有机发光二极管和显示面板-CN201821525618.X有效
发明人：李维维;彭兆基;何麟;田景文;李田田;李梦真 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种有机发光二极管，该有机发光二极管包括：第一电极、第二电极、发光层和空穴阻挡层；第一电极与第二电极相对设置；发光层位于第一电极与第二电极之间；空穴阻挡层位于发光层与第二电极之间；其中，空穴阻挡层包括堆叠的至少两层子空穴阻挡层，至少两层子空穴阻挡层的LUMO能级依次降低。本实用新型实施例提供的技术方案，通过设置空穴阻挡层包括堆叠的至少两层子空穴阻挡层，至少两层子空穴阻挡层的LUMO能级依次降低，有利于电子传输至发光层，且可有效阻挡空穴由发光层传输至第二电极侧，从而可提升发光层中电子和空穴的数量，使较多的电子和空穴在发光层中复合，用于发光，从而可提升有机发光二极管的发光效率和寿命。
空穴阻挡层发光层第二电极有机发光二极管两层空穴第一电极本实用新型堆叠电子传输发光效率显示面板相对设置发光传输复合阻挡

[发明专利]用于发光器件中高效电子和空穴阻挡的应力ALGAINP层-CN201880063257.8在审
发明人： L.布萨尔;T.钟;P.德布 -专利权人：亮锐有限责任公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：该发光器件包括电子阻挡层，其中，该电子阻挡层的至少一部分被布置为具有拉伸应力，空穴阻挡层，其中，该空穴阻挡层的至少一部分被布置为具有压缩应力，以及设置在该空穴阻挡层和电子阻挡层之间的有源层。
用于发光器件高效电子空穴阻挡应力 algainp

[发明专利]一种有机电致发光器件和显示装置-CN201811019655.8在审
发明人：李国孟;魏金贝;李梦真;李维维;何麟 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供一种有机电致发光器件和显示装置，其中有机电致发光器件，包括发光层、空穴阻挡层和电子阻挡层，其中：发光层的材料包括主体材料；构成空穴阻挡层和电子阻挡层的材料均与主体材料相同。本发明提供的有机电致发光器件，使用同一款材料作为发光层的主体材料、空穴阻挡层和电子阻挡层，可以有效的降低器件中发光层主体与相邻的空穴阻挡层和电子阻挡层之间的能级势垒，降低器件开启电压，提高发光效率，同时还提高了器件的使用寿命
有机电致发光器件电子阻挡层空穴阻挡层主体材料发光层降低器件显示装置能级发光层主体发光效率开启电压使用寿命势垒

[发明专利]具有双空穴阻挡层的磷光有机发光器件-CN200980110328.6有效
发明人：威廉·詹姆斯·贝格利;廖良生;辛西娅·A·派洛 -专利权人：全球OLED科技有限责任公司
申请日： 2009-01-27 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机发光器件，所述有机发光器件具有与磷光发光层接触的第一空穴阻挡层和与所述第一空穴阻挡层接触的第二空穴阻挡层。所述第一空穴阻挡层中的材料的三线态能量高于所述磷光层的主体的三线态能量，并且所述第二空穴阻挡层中的材料的三线态能量高于所述磷光层中的掺杂剂的三线态能量。两种空穴阻挡材料都具有低于所述磷光发光层的所述主体的HOMO能量。
具有空穴阻挡磷光有机发光器件

[发明专利]量子点光电探测器以及制备方法-CN201910640177.0在审
发明人：王恺;李晨昊;孙小卫;郑凡凯;刘皓宸 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种量子点光电探测器以及制备方法，包括：基底；形成在所述基底上的阳极；形成在所述阳极上的空穴传输层；形成在所述空穴传输层上的电子阻挡层；形成在所述电子阻挡层上的量子点有源层；形成在所述量子点有源层上的空穴阻挡层；形成在所述空穴阻挡层上的电子传输层；形成在所述电子传输层上的阴极。本发明实施例提供的技术方案，通过空穴阻挡层阻挡阴极的注入空穴从阴极向量子点有源层传输，电子阻挡层阻挡阳极的注入电子从阳极向量子点有源层传输，减小了暗电流，从而增强了光电探测器的光电性能。
量子点阳极源层阴极电子阻挡层光电探测器空穴阻挡层电子传输层空穴传输层基底制备空穴阻挡光电性能传输暗电流减小

[发明专利]一种AlInGaN基发光二极管-CN201910522319.3在审
发明人：全知觉;刘军林;张建立;江风益;莫春兰;郑畅达;王小兰 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlInGaN基发光二极管，从下至上依次包括：N型AlInGaN层、具有V坑的AlInGaN超晶格层、n区空穴阻挡层、AlInGaN基有源层、P型AlInGaN层，其特征在于：所述P型AlInGaN层中含有p区空穴阻挡层；所述n区空穴阻挡层仅形成于所述具有V坑的AlInGaN超晶格层的V坑侧壁，禁带宽度大于n区空穴阻挡层两侧半导体层；所述AlInGaN基有源层表面上具有V坑和连接所述V坑的平面区，所述P型AlInGaN层形成于所述平面区的上面并填充所述V型缺陷，所述p区空穴阻挡层仅位于所述平面区的上面，禁带宽度大于p区空穴阻挡层两侧半导体层。本发明采用高铝组分的空穴阻挡层，使空穴和电子集中在平面区复合发光，大大地提高了发光效率。
空穴阻挡层平面区发光二极管半导体层超晶格层禁带源层空穴发光效率复合发光侧壁高铝填充

[发明专利]利用电子/空穴阻挡激子阻挡层增强有机光伏电池开路电压-CN201510062121.3有效
发明人：史蒂芬·R·福里斯特;李宁 -专利权人：密歇根大学董事会
申请日： 2010-01-12 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本发明涉及利用电子/空穴阻挡激子阻挡层增强有机光伏电池开路电压。一种光敏光电子器件包括电子阻挡层或空穴阻挡层中的至少一个。本发明还公开了通过利用电子阻挡层或空穴阻挡层中的至少一个而增大在光敏光电子器件中的功率转换效率的方法。通过降低光伏电池的暗电流成分，本发明公开的电子阻挡层和空穴阻挡层可以降低电子泄漏电流。
电子阻挡层空穴阻挡层光敏光电子器件功率转换效率有机光伏电池激子阻挡层光伏电池开路电压空穴阻挡暗电流电子泄漏效果显示改进

[实用新型]一种AlInGaN基发光二极管-CN201920907952.X有效
发明人：全知觉;刘军林;张建立;江风益;莫春兰;郑畅达;王小兰 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种AlInGaN基发光二极管，从下至上依次包括：N型AlInGaN层、具有V坑的AlInGaN超晶格层、n区空穴阻挡层、AlInGaN基有源层、P型AlInGaN层，其特征在于：所述P型AlInGaN层中含有p区空穴阻挡层；所述n区空穴阻挡层仅形成于所述具有V坑的AlInGaN超晶格层的V坑侧壁，禁带宽度大于n区空穴阻挡层两侧半导体层；所述AlInGaN基有源层表面上具有V坑和连接所述V坑的平面区，所述P型AlInGaN层形成于所述平面区的上面并填充所述V型缺陷，所述p区空穴阻挡层仅位于所述平面区的上面，禁带宽度大于p区空穴阻挡层两侧半导体层。本实用新型采用高铝组分的空穴阻挡层，使空穴和电子集中在平面区复合发光，大大地提高了发光效率。
空穴阻挡层平面区本实用新型半导体层超晶格层禁带源层空穴发光二极管发光效率复合发光侧壁高铝填充

[发明专利]一种激子限域结构的QLED及其制备方法-CN201510591150.9有效
发明人：李正吉 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2015-09-16 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：所述具有激子限域结构的QLED，包括阳极、量子点发光层和阴极，还包括空穴传输/电子阻挡层和电子传输/空穴阻挡层，且所述阳极、空穴传输/电子阻挡层、量子点发光层、电子传输/空穴阻挡层和阴极从下往上依次层叠设置
一种激子结构 qled 及其制备方法

[发明专利]发光器件、显示基板和显示装置-CN202110308623.5有效
发明人：陈磊;陈雪芹;孙玉倩 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H10K50/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种发光器件、显示基板和显示装置，发光器件包括：依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层和电子注入层，发光层包括多个发光单元，至少两个发光单元发出的光线的波长不同；电子阻挡层的空穴迁移率大于或等于空穴注入层与空穴传输层的空穴迁移率；空穴注入层与空穴传输层的方阻大于或等于5×1010Ω/sq。通过在空穴传输层与发光层之间设置电子阻挡层可以阻挡电子，电子阻挡层的空穴迁移率大于或等于空穴注入层与空穴传输层的空穴迁移率可以防止电压偏高的问题，保证器件电压和性能，减小空穴注入层与空穴传输层的横向电流
发光器件显示显示装置

[发明专利]具有多Al组分电子阻挡层结构的深紫外LED及其制备方法-CN202210873125.X在审
发明人：张骏;张毅;岳金顺;陈景文 -专利权人：苏州紫灿科技有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有多Al组分电子阻挡层结构的深紫外LED及其制备方法，该深紫外LED包括依次层叠布置的蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、量子阱有源层、复合电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层和p型GaN接触层；沿量子阱有源层至p型AlGaN空穴注入层的方向，复合电子阻挡层包括依次层叠布置的第一子阻挡层和第二子阻挡层，第一子阻挡层的平均Al组分百分数大于第二子阻挡层的平均Al组分百分数，且p型AlGaN空穴注入层的平均Al组分百分数小于第一子阻挡层的平均Al组分百分数。本发明通过引入复合型电子阻挡层结构，提高了复合电子阻挡层对电子限制能力，同时改善空穴从p型AlGaN空穴注入层向量子阱有源层的输运能力，从而提高了深紫外LED的发光效率。
具有 al 组分电子阻挡结构深紫 led 及其制备方法

[发明专利]掺杂有机电致发光器件及其制备方法-CN201180074540.9无效
发明人：周明杰;王平;黄辉;冯小明 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂有机电致发光器件，包括依次层叠的如下结构：导电阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；所述电子阻挡层的材质为掺杂了铯盐的空穴传输材料。这种掺杂有机电致发光器件的电子阻挡层的材质为掺杂了铯盐的空穴传输材料，铯盐的功函数较低，约为-2.0eV，可以有效的阻挡电子，通过将低功函数的铯盐掺杂到空穴传输材料中作为电子阻挡层，从而使得空穴传输材料的LUMO能级大大提升，使电子阻挡层与发光层之间的势垒增大，电子难以跃迁到空穴传输层这一边，电子阻挡效果较好。
掺杂有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种氮化物半导体发光二极管-CN201710935627.X有效
发明人：郑锦坚;周启伦;钟志白;陈松岩;康俊勇;杜伟华;李志明;邓和清;臧雅姝;伍明跃;徐宸科;林峰;李水清 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物半导体发光二极管，包括：N型氮化物半导体，多量子阱，P型氮化物半导体；所述多量子阱具有V‑pits；所述V‑pits的侧壁具有V‑pits侧壁阻挡层，所述V‑pits侧壁阻挡层包括V‑pits侧壁电子阻挡层和V‑pits侧壁空穴阻挡层的组合，所述V‑pits侧壁电子阻挡层的势垒高度大于多量子阱无V‑pits区域上方的第一氮化物半导体的势垒高度，所述V‑pits侧壁空穴阻挡层的势垒高度大于多量子阱无V‑pits区域上方的第二氮化物半导体的势垒高度，所述V‑pits侧壁的电子阻挡层和空穴阻挡层形成高势垒，阻挡电子和空穴往V‑pits中心输运，防止被V‑pits底部的穿透位错吸收产生非辐射复合，提升电子和空穴在无V‑pits区域的沿c轴的纵向输运，提升电子和空穴的注入和复合效率。
一种氮化物半导体发光二极管

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