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[发明专利]一种具有双离子源的高场不对称波形离子迁移谱仪及方法-CN202310046227.9在审
发明人：陈池来;金娇;李山;刘友江;王晗;张瑞 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01J49/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有双离子源的高场不对称波形离子迁移谱仪及方法。该迁移谱仪包括：双离子源组件、FAIMS分析器和数据采集控制单元；双离子源组件包括紫外光离子源和气体放电离子源；数据采集单元的输入端与FAMIS分析器的输出端相连，数据采集单元的输出端分别与紫外光离子源、气体放电离子源相连；数据采集控制单元，用于控制双离子源组件的工作方式并对FAIMS分析器内部离子迁移产生的电信号进行采集处理。本发明利用两种离子源电离产物的不同以扩展可分析化合物的范围和精度，在同时或者切换离子源实现多模式下FAIMS的测量。
一种具有离子源不对称波形离子迁移方法

[发明专利]在离子注入工艺中使用同位素富集等级的掺杂剂气体组分的方法-CN201310561130.8有效
发明人： A·K·辛哈;C·I·李 -专利权人：普莱克斯技术有限公司
申请日： 2013-09-23 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：在此提供了一种使用富集和高富集掺杂剂气体的新型工艺，由于能够实现与这种掺杂剂气体的离子注入相关的工艺优势，因此消除了终端使用者当前所遭遇的问题。对于在指定范围内的给定流速，与其相应非富集或较少富集掺杂剂气体相比，设计为在降低的离子源的总功率等级下运行以降低该富集掺杂剂气体的电离效率。还降低了源灯丝的温度，从而当利用含氟富集掺杂剂气体时减轻了氟刻蚀和离子源寿命缩短的不利效果。当有利地将射束电流维持在不用难以接受地背离原来限定的等级时，该降低的总功率等级与降低的电离效率和降低的离子源温度组合，能够相互协同作用以改善并延长离子源寿命。
离子注入工艺使用同位素富集等级掺杂气体组分方法

[发明专利]一种高能离子注入机用冷阴极潘宁离子源装置-CN202010515930.6有效
发明人：陈根;宋云涛;赵燕平;毛玉周 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明公开一种高能离子注入机用冷阴极潘宁离子源装置，包括：离子源，引出电极，永磁体，腔体，其中离子源包括：防护罩、阳极罩、阳极座、阴极、对阴极、阴极座、绝缘陶瓷和套管；永磁体提供轴向磁场，引出电极通高压提供电场，电子在离子源阴极—阳极—对阴极之间的电场作用下在轴向来回振荡，并在磁场作用下作螺旋运动；阴极和对阴极侧面设计有高压接口，通相同的电压；阳极罩接地，内部设计有进气管道和引出口。本发明通过在阳极座内设计水冷管道且具有可清洗功能，可间接降低离子源阳极罩的温度，通过束流动力学仿真优化阳极罩引出口的结构，极大地提高了离子的引出效率，降低打火风险。
一种高能离子注入机用冷阴极离子源装置

[实用新型]复合型质谱离子源装置-CN201921185982.0有效
发明人：史志强 -专利权人：广州汇弘科技有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01J49/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种复合型质谱离子源装置，包括：离子源、辅助加热装置、离子源支架、调节装置及腔体；离子源支架安装于腔体上；离子源包括有电喷雾离子源及大气压化学电离源，电喷雾离子源及大气压化学电离源之间通过离子源支架相互替换安装于所述腔体上，辅助加热装置以及调节装置被安装于所述腔体上；腔体的内部中空，腔体的内部具有电离区域，离子源支架、辅助加热装置的朝向方向均朝向电离区域。本实用新型要解决的技术问题是，电喷雾离子源及大气压化学电离源能够同时兼容并相互替换安装在同一个腔体上，企业在设备采购过程中，只需采购一种设备，便能拥有电喷雾离子源及大气压化学电离源这两种功能，极大地减少了企业的购置成本
腔体离子源大气压化学电离源电喷雾离子源辅助加热装置支架本实用新型电离区域调节装置替换质谱离子源装置内部中空设备采购支架安装兼容采购

[实用新型]新型霍尔离子源-CN201120375457.2有效
发明人：汤兆胜;孙红俊 -专利权人：上海兆九光电技术有限公司
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： H01J27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型霍尔离子源，包括磁棒及上导磁板，其特征在于，还包括冷却板，所述冷却板内部设置有冷却水管路，所述冷却水管路设置有进口和出口；所述的冷却板套装在磁棒上。本实用新型中的新型霍尔离子源，通过冷却板中的水循环管路，利用循环水降低磁棒的温度，可提高离子源的稳定性。
新型霍尔离子源

[发明专利]霍尔离子源励磁线圈绝缘老化程度的评估方法-CN201910910180.X在审
发明人：魏立秋;丁永杰;唐井峰;杨鑫勇;李文博;卢惠民 -专利权人：哈工大机器人(岳阳)军民融合研究院
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种霍尔离子源励磁线圈绝缘老化程度的评估方法，该方法通过测量霍尔离子源线圈的谐振频率f，对霍尔离子源励磁线圈的绝缘老化程度进行评估：如果霍尔离子源线圈的谐振频率f越大，则霍尔离子源励磁线圈绝缘老化程度越高本发明的霍尔离子源励磁线圈绝缘老化程度的评估方法利用了霍尔离子源的自身在霍尔漂移电流的影响下，霍尔离子源励磁线圈发生谐振的特性，通过检测谐振频率的大小，简易地对霍尔离子源励磁线圈绝缘老化进行评估。有效避免了在霍尔离子源励磁线圈两端施加高压测量老化程度对线圈老化程度的加速，降低了操作的复杂度。因此对于简化评估离子源励磁线圈老化程度方法做出了极大的改善。
霍尔离子源励磁线圈绝缘老化谐振频率评估老化离子源谐振测量霍尔高压测量漂移电流复杂度霍尔简易施加检测

[实用新型]一种电子束蒸发镀膜设备离子源刻蚀装置-CN202221542041.X有效
发明人：杜鸿基;陈亮 -专利权人：北京维开科技有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电子束蒸发镀膜设备离子源刻蚀装置，所述离子源刻蚀装置包括主刻蚀离子源和补偿刻蚀离子源，所述主刻蚀离子源设置于电子束蒸发镀膜设备的镀膜材料蒸发舱体内，补偿刻蚀离子源设置于电子束蒸发镀膜设备的工件装载舱体内；所述主刻蚀离子源设置于镀膜材料蒸发舱体的底平面上一侧，且朝向工件装载固定盘，所述补偿刻蚀离子源设置于工件装载舱体的底平面上一侧，且朝向工件装载固定盘，补偿刻蚀离子源下方设有角度调节机构，其相对水平面的角度调节范围为本装置能提供更精准的刻蚀工艺，双离子源的刻蚀精度在单离子源的刻蚀精度的均匀性基础上能提高2％左右。
一种电子束蒸发镀膜设备离子源刻蚀装置

[发明专利]VOCs走航监测装置-CN202010957508.6有效
发明人：刘巍;华道柱;褚梅;陈志强;黄伟;翁兴彪 -专利权人：聚光科技（杭州）股份有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01J49/00 文献下载
摘要：本发明提供了VOCs走航监测装置，包括走航工具；第一离子化单元，包括第一离子源及其传输单元，待测对象适于连通所述第一离子源；第二离子化单元，包括第二离子源及其传输单元，待测对象适于连通第二离子源；所述第一离子源和第二离子源采用不同的离子化方式；分离单元用于分离待测对象中的不同物质，并送所述第一离子源；质量分析器包括提取加速模块和离子检测器；所述第一离子化单元和第二离子化单元产生的离子经过所述提取加速模块后进入离子检测器；泵组，泵的输入端连通所述第一离子源、第二离子源和质量分析器。
vocs 监测装置

[发明专利]用于离子注入机的氢气发生器-CN201980007028.9在审
发明人：尼尔·科尔文;哲-简·谢;理查德·雷舒特;温迪·科尔比 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供一种用于离子注入系统的终端，其中该终端具有用于支撑离子源(108)的终端壳体(154)，该离子源配置成形成离子束。该终端壳体内的气体箱(146)具有氢气发生器(144)，该氢气发生器配置成产生用于离子源的氢气。气体箱与终端壳体电隔离并进一步电耦合到离子源。离子源和气体箱通过多个电绝缘体与终端壳体电隔离。离子源电源使离子源相对于终端电势电偏置到离子源电势。导电管(148)使气体箱与离子源电耦合。
用于离子注入氢气发生器

[发明专利]镀膜设备及其镀膜控制方法-CN202110071547.0在审
发明人：刘伟基;冀鸣;赵刚;易洪波 -专利权人：佛山市博顿光电科技有限公司;中山市博顿光电科技有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请涉及一种镀膜设备及其镀膜控制方法，所述镀膜设备，包括：至少一个霍尔离子源以及磁控溅射阴极；其中，磁控溅射阴极与霍尔离子源相邻布置且发射口位置平行；在工作时，磁控溅射阴极的靶材产生材料粒子和电子，电子运动至霍尔离子源，霍尔离子源的阳极利用电子激活工作气体，产生离子源离子；利用磁控溅射阴极产生的材料粒子与霍尔离子源产生的离子源离子对基片进行镀膜；该技术方案，既充分利用了多余的电子，简化了霍尔离子源的结构，同时通过引入霍尔离子源的离子磁控溅射阴极的镀膜提供了更好的协助，特别是应用在加工氧化物的时候，产生比等离子能量更大的离子，加强了氧化效果，提升了镀膜效果。
镀膜设备及其控制方法

[发明专利]包含啤酒花β酸和金属离子的口腔护理组合物-CN202080068615.1在审
发明人： A·A·拜格;A·R·比斯布洛克;S·J·圣约翰 -专利权人：宝洁公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： A61K8/81 文献下载
摘要：本发明公开了口腔护理组合物，其含有啤酒花β酸，诸如来自葎草科物种的提取物，和金属离子源，诸如锡离子源和/或锌离子源。公开了口腔护理组合物，其含有锡离子源和/或锌离子源以及一种或多种啤酒花β酸，诸如来自啤酒花的提取物。公开了口腔护理组合物，其含有锡离子源和/或锌离子源以及来源于啤酒花提取物的β酸。
包含啤酒花金属离子口腔护理组合

[发明专利]离子源设备和方法-CN200510131760.7有效
发明人： J·O·诺尔林;J·－O·贝里斯特伦 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2005-12-16 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： H05H13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种可改进回旋加速器中的离子源寿命和性能的方法和设备。根据一个实施例，本发明包括用于维持其中的等离子体放电的离子源管道(300)。所述离子源管道(300)包括沿所述离子源管道(300)侧面的狭缝开口(310)，其中所述狭缝开口(310)具有小于0.29毫米的宽度。所述离子源管道(300)还包括所述离子源管道(300)端部中的端部开口(314)。所述端部开口(314)小于所述离子源管道(300)的内径且自所述离子源管道(300)的中心轴线(316)朝向所述狭缝开口(310)移动0－1.5毫米。所述等离子体柱相对于所述狭缝开口(310)移动0.2至0.5毫米。所述离子源管道(300)包括适于所述等离子体放电的空腔(312)。本发明还涉及一种用于制造离子源管道(300)的方法。
离子源设备方法

[发明专利]离子植入系统以及处理基板的方法-CN201380023331.0有效
发明人：具本雄;理查尔·M·怀特;史费特那·B·瑞都凡诺;凯文·M·丹尼尔斯;艾利克·R·科步;大卫·W·皮特曼 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明的处理基板的方法可由离子植入系统来实现，此离子植入系统包括具有离子源腔室的离子源。离子源腔室具有定义离子产生区及萃取孔的壁，经由萃取孔萃取离子产生区中产生的离子。萃取系统位于靠近萃取孔的离子源下游。材料源包括包含第一材料的第一源、包含第二材料的第二源、及第一导管与第二导管，第一导管可与第一源及离子源腔室连通，以提供来自第一源的第一材料至离子源腔室，且第二导管与第二源连通。离子源腔室外侧的第一区提供来自第二源的第二材料至第一区。
离子植入系统以及处理方法

[发明专利]大气压下软电离离子源装置及方法-CN201410849805.3在审
发明人：俞建成;闻路红;赵鹏;胡舜迪;孙明超;吴勇;宁录胜 -专利权人：宁波大学
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01J49/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种大气压下软电离离子源装置及方法，所述离子源装置包括：放电腔，所述放电腔的输入端接收载气，输出端连接离子源模块；溶剂提供模块，所述溶剂提供模块用于提供含量稳定的溶剂并送入所述离子源模块；离子源模块，所述离子源模块用于离子化待测物质。
大气压下电离离子源装置方法

[实用新型]一种离子源灯丝用定位安装结构-CN202222305900.X有效
发明人：路涛;胡浩;冯存根 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种离子源灯丝用定位安装结构，包括离子源灯丝、灯丝夹钳、阴极、阴极夹钳和限位件，限位件包括底座和限位片，设置底座和限位片之间的距离以使得使用限位件对离子源灯丝进行位置调整后，离子源灯丝与阴极之间的距离为标准设定距离本实用新型安装离子源灯丝时，操作简单，容易上手，可实现标准化作业，离子源灯丝安装质量高，且由于对离子源灯丝位置的调整在安装阴极之间，保证了操作者全程目视安装，进一步确保了离子源灯丝的安装质量。
一种离子源灯丝定位安装结构