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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基于二维类石墨烯结构的光子晶体同源结构高消光比偏振分束器-CN201410459525.1有效
发明人：杨修伦;黄哲;范冉冉;王林辉 -专利权人：山东大学
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及基于二维类石墨烯结构的光子晶体同源结构高消光比偏振分束器，包括光子晶体波导、TE输出端、TM输出端及光束输入端，TE输出端、TM输出端及光束输入端呈Y型结构，光子晶体波导调节二维类石墨烯结构参数且具有完全禁带，TE输出端调节二维类石墨烯结构参数且具有TM模禁带，TM输出端调节二维类石墨烯结构参数且具有TE模禁带。
基于二维石墨结构光子晶体同源高消光偏振分束器

[发明专利]一种二维晶体禁带荧光偏振性调制装置的制备方法-CN201910216976.5有效
发明人：韩春蕊;叶剑挺;齐月静;王宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维晶体禁带荧光偏振性调制装置的制备方法，该方法包括：提供一高导电材料衬底；在该高导电材料衬底上氧化一绝缘层；在该绝缘层上沉积一二维晶体单层；在该二维晶体单层上蒸镀一透光介质层；在透光介质层上旋涂电子束负胶本发明制备得到的用于调制二维晶体禁带荧光偏振性的装置，利用金属纳米超材料各向异性共振场调控半导体荧光场，实现偏振荧光并达到偏振可调的目的，有效拓宽了二维晶体禁带荧光的线性可调范围和温度适用范围。
一种二维晶体荧光偏振调制装置制备方法

[发明专利]一种半导体薄膜复合结构件的制备方法-CN202110474977.7有效
发明人：刘可为;陈星;申德振 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种半导体薄膜复合结构件的制备方法，该方法包括以下步骤：a)在衬底表面设置像素点阵结构和读出电路，所述像素点阵结构由多个像素单元构成；b)将设置有像素点阵结构和读出电路的衬底置于宽禁带氧化物膜层生长设备中；用掩模挡住读出电路，在20～450℃条件下进行宽禁带氧化物膜层的生长，得到半导体薄膜复合结构件。本发明提供的制备方法直接在设置好像素点阵结构和读出电路的衬底上低温生长构建宽禁带氧化物半导体膜层，具有制备简单，易于控制的特点；制得的复合结构件后续再刻蚀掉生长在相邻两个像素单元之间的膜层后即可得到性能优良的半导体紫外探测器件
一种半导体薄膜复合结构件制备方法

[发明专利]水陆两用原位电弧增材制造设备及方法-CN201910802549.5有效
发明人：王振民;钟启明;徐孟嘉;张芩 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B23K9/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种水陆两用原位电弧增材制造设备，其特征在于：包括宽禁带增材电源、潜水送丝机、焊炬、保护装置、机器人、压缩气装置和保护气装置；所述焊炬与机器人连接，以实现机器人带动焊炬移动进行电弧增材操作；所述宽禁带增材电源、潜水送丝机和焊炬依次连接；所述潜水送丝机还与保护气装置连接；所述宽禁带增材电源分别与压缩气装置和保护气装置连接，以实现压缩气装置和保护气装置的打开和关闭。
水陆两用原位电弧制造设备方法

[发明专利]量子点复合敏化太阳能电池及其电极的制备方法-CN201010236359.0无效
发明人：陈静;雷威;张晓兵 -专利权人：东南大学
申请日： 2010-07-26 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种量子点复合敏化太阳能电池及其电极的制备方法，该太阳能电池包括导电基底(1)、在导电基底(1)生长的宽禁带半导体纳米结构晶膜(2)，在该宽禁带半导体纳米结构晶膜(2)表面吸附的具有不同吸光范围的纳米颗粒，纳米颗粒的尺寸小于他们各自的激子波尔半径，电子和空穴的运动受到限制，呈现量子化的特点，形成分别吸附在宽禁带半导体纳米结构晶膜(2)表面的第一量子点(3)、第二量子点(4)和第三量子点(5)，第一量子点
量子复合太阳能电池及其电极制备方法

[发明专利]一种光子晶体贴片天线-CN200810156928.3无效
发明人：沈廷根;周跃群;葛俊;余向潮;袁保国;季培来 -专利权人：江苏大学
申请日： 2008-09-12 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明在贴片天线的基底介质上加入了光子晶体结构形成光子禁带，在禁带频率范围内的电磁波将受到束缚，不能向任意方向传播，利用光子晶体的禁带效应，可抑制沿基底底板介质传播的表面波，减少天线基底对电磁波的吸收，
一种光子晶体天线

[发明专利]全禁带三维光子晶体压印成型方法及全禁带三维光子晶体结构-CN200810018360.9无效
发明人：刘洪忠;丁玉成;李欣;蒋维涛;连芩;卢秉恒 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2008-06-03 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及微纳制造技术领域，介绍了一种全禁带三维光子晶体的压印成型制造方法及全禁带三维光子晶体结构。在压印模板凸起部分吸附单分散胶体颗粒，并以微接触式纳米压印工艺使单分散胶体颗粒在液态高分子聚合物基体材料上形成了具有面心立方111面的二维结构，其中单分散胶体颗粒即为面心立方111面上的基元，之后逐层叠加，最终形成具有面心立方结构的全禁带三维光子晶体
全禁带三维光子晶体压印成型方法晶体结构

[实用新型]车辆的电动力总成及车辆-CN202220041517.5有效
发明人：苏谢祖 -专利权人：蔚来动力科技（合肥）有限公司
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： B60K1/02 文献下载
摘要：主电驱动系统采用基于宽禁带半导体材料的功率器件，保证其具备较高的驱动性能，辅助电驱动系统采用基于非宽禁带半导体材料的功率器件，降低成本。此外，由于辅助电驱动系统的电压等级较低，即使采用非宽禁带半导体材料的功率器件也不会产生较大的开关损耗，降低驱动性能。
车辆动力总成

[实用新型]一种用于背包的可调节紧固件-CN202222984176.8有效
发明人：梁国才;汪子安 -专利权人：东莞南华户外用品有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： A45F3/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于背包的可调节紧固件，包括背包，所述背包前端外表面设置有可调节禁固组件，所述背包后端外表面设置有第二内板，所述第二内板外表面设置有按摩球，所述背包表面设置有第一拉链与第二拉链，且第一拉链位于第二拉链前端，所述可调节禁固组件包括拉环、折叠层、侧包、第一调节带、松紧扣、第二调节带、第一内板、弧形折叠底与塑料外板。本实用新型所述的一种用于背包的可调节紧固件，通过设置的可调节禁固组件，可以通过调节带与松紧扣来调节背包一侧的储物空间，便于人们对背包的储物空间进行调节，该一种用于背包的可调节紧固件，通过设置的按摩球，可以减缓人们背部的酸痛
一种用于背包调节紧固

[发明专利]车辆违章停车判定方法以及系统-CN202310095197.0在审
发明人：闫军;丁丽珠;王艳清 -专利权人：超级视线科技有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G06V20/62 文献下载
摘要：方法包括：获取车辆禁停区域图像，所述车辆禁停区域图像包含每个车辆的多个车轮接地点信息与禁停区域位置信息；根据所述禁停区域位置信息，计算禁停区域面积；根据所述禁停区域位置信息与每个车辆的所述多个车轮接地点信息，获得多个重叠区域面积；计算每个所述重叠区域面积与所述禁停区域面积的比值，获得多个车辆禁停比值；若所述车辆禁停比值大于零且小于阈值，则所述车辆禁停比值对应的车辆未停泊在禁停区域；若所述车辆禁停比值大于所述阈值，或者所述车辆禁停比值等于所述阈值，则所述车辆禁停比值对应的车辆停泊在所述禁停区域。
车辆违章停车判定方法以及系统

[发明专利]一种超宽禁带氧化物合金半导体外延薄膜材料及其制备方法和应用-CN201810293211.7有效
发明人：何云斌;黎明锴;程阳;陈剑;卢寅梅;张清风;常钢;李派;陈俊年 -专利权人：湖北大学
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种超宽禁带氧化物合金半导体外延薄膜材料及其制备方法和应用。该材料为Hf
超宽禁带半导体外延薄膜制备方法和应用化合物半导体氧化物合金晶格类型三元合金脉冲激光沉积法光电探测器件真空蒸镀法制合金半导体深紫外波段薄膜表面光电导性合金薄膜灵敏探测平行金属外延薄膜外延生长光波电极化合价日盲区锡离子铪离子带隙固溶跃迁制备离子

[发明专利]一种汽车禁鸣提示装置-CN201611059466.4在审
发明人：陈苏佳 -专利权人：陈苏佳
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： B60Q9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种汽车禁鸣提示装置，包括汽车显示屏，所述汽车显示屏上设置禁鸣小灯，所述汽车内还设置感应模块，配合的所述禁鸣路段设置禁鸣信号发生器，所述禁鸣信号发生器与汽车内的感应模块无线连接，所述感应模块与禁鸣小灯电连，所述汽车禁鸣提示装置，可通过点亮关闭禁鸣小灯，提示驾驶员是否在禁鸣路段，保证驾驶员在禁鸣路段不鸣笛。
汽车感应模块禁鸣路段提示装置小灯信号发生器显示屏无线连接通过点电连鸣笛提示配合保证

[发明专利]一种大功率槽栅门级T‑MOSFET结构设计-CN201710179874.1在审
发明人：张学强;张振中;和巍巍;汪之涵 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明所述的大功率槽栅门级T‑MOSFET结构设计降低了宽禁带材料T‑MOSFET槽栅门级结构的槽栅氧化层‑半导体界面等效曲率，进而大幅降低槽栅门级结构转角区域的最大电场强度，降低内部雪崩击穿的可能性，提高宽禁带材料T‑MOSFET槽栅门级结构和器件整体的可靠性和稳定性。
一种大功率栅门 mosfet 结构设计

[发明专利]无掺杂室温铁磁性自旋零禁带半导体薄膜及制备方法-CN201210253693.6有效
发明人：苏海林;汤凤林;吴玉程;黄荣俊 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2012-07-18 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： C23C20/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种无掺杂室温铁磁性自旋零禁带半导体薄膜及其制备方法，其特征是半导体薄膜的微结构为颗粒膜结构，颗粒膜结构是由尺寸介于17-35nm的体心正交PbPdO2纳米晶粒构成。本发明薄膜具有室温铁磁性，其磁化强度随磁场增强在某一临界场会突然减小，其饱和磁化强度随温度上升而增大；本发明能够大幅提高自旋零禁带半导体的居里温度，使之在300K仍呈现铁磁性。
掺杂室温铁磁性自旋零禁带半导体薄膜制备方法

[发明专利]一种多通道双向升降压电路-CN201911391812.2有效
发明人：李波 -专利权人：施耐德电气（中国）有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明提供一种多通道双向升降压电路，通过控制各宽禁带半导体双向开关的门极驱动时序，实现多个通道之间的电能自由传递，即，在不同时刻，供电电源可以变成接受电能的负载，负载也可以变成供电电源，比如：储能设备充电时是作为负载来使用的，放电时就是供电电源来使用的，本方案通过采用宽禁带半导体双向开关来对电路进行控制，相较于现有技术中的MOSFET或IGBT进行控制的方式而言，电路结构简单，总功耗更低。
一种通道双向升降压电

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