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[发明专利]一种降低半绝缘磷化铟单晶深能级补偿缺陷的方法-CN201810149636.0在审
发明人：谢辉;赵有文;董志远;刘京明 -专利权人：北京鼎泰芯源科技发展有限公司
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：一种降低半绝缘磷化铟单晶深能级补偿缺陷的方法，包括以下步骤：对半绝缘磷化铟单晶进行表面处理；选取与半绝缘磷化铟单晶的尺寸匹配的石英管，进行清洗烘干待用；将该半绝缘磷化铟单晶放入石英管内，并放入一定量的高纯红磷和铁粉；对装有半绝缘磷化铟单晶和高纯红磷及铁粉的石英管进行抽真空，并封口；将装有半绝缘磷化铟单晶和高纯红磷及铁粉的石英管放入高温退火炉内，在磷气氛和磷化铁气氛共同存在的气氛下高温退火。本发明的降低半绝缘磷化铟单晶深能级缺陷的方法将半绝缘InP晶体在P和FeP2气氛下退火处理，能显著的减少InP晶片的深能级缺陷，可以获得电学性能优异、热稳定性好的半绝缘lnP单晶。
半绝缘磷化铟单晶石英管放入高纯红磷铁粉深能级缺陷深能级高温退火炉封口尺寸匹配电学性能高温退火清洗烘干热稳定性退火处理抽真空磷化铁单晶绝缘

[发明专利]一种磷化铟单晶片的腐蚀方法-CN201711104614.4在审
发明人：刘京明;杨凤云;王凤华;段满龙 -专利权人：北京鼎泰芯源科技发展有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷化铟单晶片的腐蚀方法包括以下步骤S1将磷化铟单晶片放入浓硫酸中腐蚀；S2用去离子水冲洗磷化铟单晶片；S3将磷化铟单晶片放入稀盐酸中腐蚀；S4重复所述步骤S2；S5将磷化铟单晶片放入王水中腐蚀本发明采用酸性腐蚀方式对切、磨后的磷化铟单晶片进行腐蚀处理，有效地去除了单晶片表面的损伤层及应力层，且可获得洁净的单晶片表面，满足后续加工要求。
一种磷化晶片腐蚀方法

[发明专利]一种利用磷化铟单晶切割废料制备磷化铟多晶的方法-CN202310631620.4在审
发明人：王飞;谢文霞;杨斌;徐宝强;蒋文龙;田阳;曲涛;邓勇;刘大春 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B28/02 文献下载
摘要：本发明公开一种利用磷化铟单晶切割废料制备磷化铟多晶的方法，将装有磷化铟单晶切割废料和红磷粉末的石英管采用嵌合的方式放置，将红磷粉末放在水平管式真空炉低温区，磷化铟单晶切割废料放置在高温区，进行真空焙烧，在高温区获得磷化铟多晶；本发明方法可以获得磷化铟多晶，而且工艺简单，成本低，同时可以避免废水废气的产生，减少对环境的危害。
一种利用磷化铟单晶切割废料制备多晶方法

[发明专利]一种磷化铟单晶的生长方法及生长装置-CN201510381030.6有效
发明人：狄聚青;朱刘;胡丹 -专利权人：清远先导材料有限公司
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种磷化铟单晶的生长方法，包括以下步骤采用垂直梯度凝固法，将磷化铟籽晶、磷化铟多晶、三氧化二硼和红磷进行加热，进行晶体生长，得到磷化铟单晶；所述红磷占磷化铟多晶、三氧化二硼和红磷三者总质量的本发明提供的生长方法无需添加铁或硫等掺杂剂，即可得到位错密度较低的磷化铟单晶，简化了工艺，节约了成本，并且，本发明中红磷的用量较小，仅为现有技术中红磷用量的十分之一，降低了生产中的危险性。试验结果表明，本发明提供的生长方法得到的磷化铟单晶的平均位错密度为2000～4000/cm2，局部位错密度在500/cm2以下。本发明还提供了一种磷化铟单晶的生长装置。
一种磷化铟单晶生长方法装置

[发明专利]掺杂硫的磷化铟单晶棒制法及单晶棒、单晶片及制法、用途-CN202310032681.9在审
发明人：莫里斯·杨;张舒惠;周雯婉;肖亚东;石宁;高伟 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C30B11/02 文献下载
摘要：本发明涉及掺杂硫的磷化铟单晶片，其中硫原子浓度为2×1018atoms/cc至8×1018atoms/cc，所述磷化铟单晶片中主表面上的硫浓度相对于平均值偏差不超过本发明还涉及该掺杂硫的磷化铟单晶片的制法、掺杂硫的磷化铟单晶棒的制法，其中掺杂剂为质量比＝7.5:1至15:1的硫化铟和硫，硫化铟和硫中的硫按元素质量计，为相对于磷化铟多晶总重量的0.007‑0.03％根据本发明获得的掺杂硫的磷化铟单晶片具有改进的性能，特别是具有更均匀的硫浓度分布、更高的掺杂浓度和更小的位错密度。
掺杂磷化铟单晶棒制法单晶棒晶片用途

[发明专利]一种提高半绝缘磷化铟单晶片电阻率均匀性的方法-CN201810149630.3在审
发明人：谢辉;赵有文;董志远;刘京明 -专利权人：北京鼎泰芯源科技发展有限公司
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：一种提高半绝缘磷化铟单晶电阻率均匀性的方法，包括如下步骤：对半绝缘磷化铟单晶进行表面处理；选取与半绝缘磷化铟单晶的尺寸匹配的石英管，进行清洗烘干待用；将半绝缘磷化铟单晶放入该石英管内，并放入一定量的高纯铁粉和红磷；对装有半绝缘磷化铟单晶及高纯铁粉和红磷的石英管进行抽真空，然后封口；将装有半绝缘磷化铟单晶及高纯铁粉和红磷的石英管放入高温炉内，在磷化铁气氛下高温退火。本发明提供的这种提高半绝缘InP单晶片电阻率均匀性的方法，提高了半绝缘InP晶片的质量和电阻的均匀性，半绝缘InP晶片具有更好地电学性质，更有利于光电子器件的应用。
半绝缘磷化铟单晶石英管电阻率均匀性高纯铁放入红磷磷化铟单晶片光电子器件封口尺寸匹配电学性质高温退火清洗烘干抽真空单晶片高温炉均匀性磷化铁电阻绝缘应用

[发明专利]磷化铟多晶料VGF或VB法生长单晶的装料方法-CN202210506066.2在审
发明人：赵兴凯;邱锋;权忠朝;韦华;叶晓达;柳旭;徐仁勇;刘文斌;韩家贤;王顺金;李国芳 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：磷化铟多晶料VGF或VB法生长单晶的装料方法，涉及半导体材料单晶生长技术领域，具体涉及一种VGF法磷化铟单晶生长所需的多晶料及辅料的装料方法。本发明通过合理分配磷化铟多晶料的装料配比和不同尺寸料块的装料位置，以及红磷、掺杂剂和液封剂的用量及放置位置，有助于磷化铟多晶原料的快速熔化、掺杂剂的均匀分布、液封剂的有效侵润和红磷的蒸气压控制，有效提高磷化铟单晶的电阻率
磷化多晶 vgf vb 生长装料方法

[实用新型]一种用于磷化铟单晶生长的氮气系统-CN201721587953.8有效
发明人：囤国超;肖祥江;吕春富;董汝昆;柳廷龙;陈朝向;杨嗣文;梁鹏 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： C30B27/00 文献下载
摘要：一种用于磷化铟单晶生长的氮气系统，涉及磷化铟单晶生长制备技术领域，尤其是一种用于磷化铟单晶生长的氮气系统，其特征在于该系统包括单晶炉、氮气瓶、机械泵、减压阀和截止阀，单晶炉与氮气瓶和机械泵分别通过管道进行连通，所述的减压阀设置在单晶炉与氮气瓶连通的管道上，靠近单晶炉、氮气瓶和机械泵的管道上分别设置有截止阀。本实用新型的一种用于磷化铟单晶生长的氮气系统，设计科学，结构合理，通过机械泵与单晶炉连接结构，保证了单晶炉在充入氮气前，炉内的真空度达到所需标准，能有效改善磷化铟单晶的质量，有效降低氮气充入单晶炉内时压强，以便于控制单晶炉内的压强差，防止石英管发生爆炸，进而降低生产成本，提高生产效率。
单晶炉磷化铟单晶氮气系统氮气瓶机械泵生长减压阀氮气截止阀连通制备技术领域压强本实用新型连接结构生产效率石英管压强差炉内爆炸保证

[发明专利]基于磷化铟单晶生产过程炉温大数据驱动热场控制的方法-CN202310852074.7在审
发明人：黄国勇;马思艺;叶晓达;权忠朝;李世强 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于磷化铟单晶生产过程炉温大数据驱动热场控制的方法，包括:获取磷化铟单晶生产炉炉内实测温度数据；将获取的温度数据进行归类计算，得出降温速率；将计算所得的数据进行归类分析，建立数据库并结合数据驱动系统，根据现有温度预测生产所需最优温度，建立最优温度预测模型；通过预测模型预测磷化铟单晶生长每个环节所需的最佳温度，提前给出最优控制输入策略。每完成新一轮单晶生长之后，将该轮数据统计收集归纳进数据库，使形成动态数据库。本方法利用磷化铟单晶生产过程中的温度数据，分析不同温度下晶体生长的规律并以此预测生产所需最优温度，使磷化铟单晶生长过程始终保持最佳温度，提高磷化铟单晶生产率和晶体合格率。
基于磷化铟单晶生产过程炉温数据驱动控制方法

[实用新型]一种磷化铟单晶生长炉-CN201721587711.9有效
发明人：肖祥江;囤国超;吕春富;任洋;叶晓达;董汝昆;杨嗣文;梁鹏 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：一种磷化铟单晶生长炉，涉及新材料制备技术领域，尤其是一种磷化铟单晶生长炉，该生长炉包括冷却循环系统、加热保温系统和支撑系统；所述冷却循环系统包括腔体、氮气盖和冷却循环水管，所述的腔体顶端和底端均设置有氮气盖本实用新型的一种磷化铟单晶生长针对磷化铟单晶生长特点，结构设计合理，能灵活有效地控制磷化铟生长温度和炉内压强，从而保证磷化铟单晶质量。
磷化铟单晶炉膛加热保温系统生长炉氮气支撑系统腔体冷却循环水管冷却循环系统保温材料电阻丝生长缠绕制备技术领域本实用新型有效地控制炉内压强腔体顶端外壳包裹磷化铟底端下端填充灵活支撑保证

[发明专利]磷化铟单晶生长过程的可视化建模及数字化生产方法-CN202310847881.X在审
发明人：黄国勇;艾家辛;张荻;赵兴凯;柳旭 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷化铟单晶生长过程的可视化建模及数字化生产方法，属于半导体材料领域。该方法以磷化铟单晶生长过程及传热学为基础，通过仿真构建磷化铟单晶生长可视化模型，获取磷化铟单晶生长过程中热场状态参数及晶体生长参数，通过数字化生产方法监控、预测和优化磷化铟单晶生长工艺过程。
磷化铟单晶生长过程可视化建模数字化生产方法

[发明专利]一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液及腐蚀方法-CN201210274330.0无效
发明人：林健;赵权;刘春香;吕菲;杨洪星;于妍;佟丽英 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2012-08-02 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C09K13/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液和腐蚀方法，该腐蚀液的原料包括硫酸、双氧水、水；以体积百分比计算，所述硫酸、所述双氧水和所述水的比例为（4-6）：（1-3）：（1-2）。本发明还提供了磷化铟单晶片的化学腐蚀方法，该腐蚀方法包括以下步骤：将磷化铟单晶片放在夹具上；将硫酸、双氧水、水按照硫酸：双氧水：水=（4-6）：（1-3）：（1-2）的配比配制腐蚀液；当所述容器内腐蚀液达到60-75度的腐蚀温度时，将夹有所述磷化铟单晶片的所述夹具放入所述腐蚀液中，进行腐蚀，腐蚀时间为2-6分钟；将所述磷化铟单晶片取出，迅速放入去离子水中清洗。本发明能够有效解决磷化铟单晶片在切、磨等加工过程中产生的表面机械损伤的问题。
一种腐蚀磷化晶片方法

[发明专利]一种磷化铟籽晶的制备方法-CN202111277149.0在审
发明人：傅伟力;李勇 -专利权人：威科赛乐微电子股份有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷化铟籽晶的制备方法，涉及半导体材料技术领域。本发明的一种磷化铟籽晶的制备方法，所述制备方法是对磷化铟单晶进行角度调整，并通过测试得到合格区域后，再进行钻取、打磨、抛光得到磷化铟籽晶。本发明公开了一种磷化铟籽晶的制备方法，不仅可以快速制备磷化铟籽晶，操作工艺简单快捷，不受晶体形状及晶向角度影响，且处理后的籽晶表面光滑平整、性质稳定，大大提高了磷化铟单晶的晶体生长质量。
一种磷化籽晶制备方法

[实用新型]一种用于磷化铟单晶VGF工艺的压力控制系统-CN202021460939.3有效
发明人：罗福敏;胡昌勇;李勇;刘留;苏小平 -专利权人：威科赛乐微电子股份有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及磷化铟单晶制备技术领域，尤其涉及一种用于磷化铟单晶VGF工艺的压力控制系统，包括单晶炉、真空泵以及压缩氮气瓶，还包括五通球阀，所述单晶炉、真空泵、压缩氮气瓶均与五通球阀通过管道相连通，所述五通球阀和压缩氮气瓶之间的管道上还安装有两个减压阀本实用新型的一种用于磷化铟单晶VGF工艺的压力控制系统，能够有效的控制磷化铟单晶生产过程中单晶炉内的压力稳定，避免炸管，从而提高了生产效率，且在一定程度上降低了生产成本。
一种用于磷化铟单晶 vgf 工艺压力控制系统

[发明专利]磷化铟单晶回料采用VGF或VB法再次生长单晶的装料方法-CN202210506067.7在审
发明人：赵兴凯;邱锋;权忠朝;韦华;叶晓达;柳旭;徐仁勇;刘文斌;韩家贤;王顺金;李国芳 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：磷化铟单晶回料采用VGF或VB法再次生长单晶的装料方法，单晶生长所使用的原料全部为单晶生长过程产生的回料。本发明通过控制磷化铟单晶回料的参数要求、合理分配磷化铟单晶回料的装料配比和不同尺寸料块的装料位置，以及红磷、掺杂剂和液封剂的用量及放置位置，有助于多晶原料的快速熔化、掺杂剂的均匀分布、液封剂的有效侵润和红磷的蒸气压控制该装料方法有效利用单晶生长回料，提高原料利用率，大幅减少废料的产生，降低了生产成本，并能提高使用单晶回料所生长的磷化铟单晶的电阻率、载流子浓度、电子迁移率的径向均匀性。
磷化铟单晶回料采用 vgf vb 再次生长装料方法

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