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[发明专利]一种碳化硅层状陶瓷的制备方法-CN201910084642.7在审
发明人：戴培赟;李晓丽;王东娟;张吉亮;周平;徐沛强 -专利权人：潍坊工商职业学院
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： C04B35/573 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅层状陶瓷的制备方法，具体制作原料包括石墨纸和粘接剂，所述粘接剂包括SiC粉、金属硅粉、纳米炭黑和酚醛树脂。本发明以石墨纸为基体，可以有效节省成型成本，提高生产效率，对于简化生产工艺提降低生产成本具有重要意义，由于石墨纸质地柔软，可以制成薄壁和形状复杂的异形件，通过石墨纸与金属硅粉的反应烧结制备碳化硅陶瓷，可以克服热压和热等静压烧结只能制备形状简单的陶瓷材料的不足，并在粘接剂中加入一定量的碳化硅晶须作为增韧相，可以起到强韧化作用，有效提高碳化硅陶瓷产品的断裂韧性，提高产品力学性能，达到晶须增韧和层状结构增韧的协同效应，提高陶瓷材料的韧性。
制备石墨纸粘接剂碳化硅陶瓷层状陶瓷金属硅粉陶瓷材料碳化硅增韧产品力学性能简化生产工艺热等静压烧结碳化硅晶须层状结构成型成本断裂韧性反应烧结酚醛树脂纳米炭黑生产效率协同效应形状复杂重要意义强韧化异形件增韧相石墨薄壁晶须热压纸质柔软制作

[发明专利]一种衬底减薄碳化硅芯片制备方法及碳化硅背面结构-CN202211350789.4在审
发明人：焦倩倩;朱涛;董佳俊;王锐;李青岭;李嘉琳;阎海亮;杨霏;李玲;魏晓光;王鑫;金雨楠 -专利权人：北京智慧能源研究院;国家电网有限公司;国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底减薄碳化硅芯片制备方法及碳化硅背面结构，包括：基于两种规格的磨轮对碳化硅晶圆背面进行打磨减薄处理后得到碳化硅减薄损伤层；对碳化硅减薄损伤层进行抛光处理；在抛光处理后的碳化硅晶圆背面采用激光退火制备欧姆接触层，并在所述欧姆接触层上沉积金属加厚层；对碳化硅晶圆正面进行机械划片，将所述碳化硅晶圆裂片分离成单个小芯片。本发明先通过两种规格的磨轮对碳化硅晶圆背面进行减薄处理，再对减薄得到的碳化硅减薄损伤层进行抛光处理，可有效降低晶圆翘曲释放应力，从而降低碎片率，为后续采用机械划片提供了可能，避免了使用激光划片存在工艺不稳定和芯片良率低的问题
一种衬底碳化硅芯片制备方法背面结构

[发明专利]一种微片层结构增强碳化硅陶瓷复合材料及其制备方法-CN202310749322.5在审
发明人：徐海跃;焦健;杨金华;杨瑞;刘虎 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及一种微片层结构增强碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法，该方法以碳化硅为基体，碳化硅晶须和/或石墨烯片为增强体，添加分散剂和烧结助剂，通过热压和放电等离子烧结在较低温度下实现了碳化硅陶瓷复合材料的致密化具体制备过程：将微片层物质加入偶联剂超声分散，将分散液与碳化硅粉体、烧结助剂进行球磨，将球磨后的粉体进行排胶处理获得复合材料粉体；采用热压烧结或放电等离子烧结，在真空环境采用高压瞬时液相烧结得到高性能碳化硅复合材料该方法通过加入分散剂等实现了微片层结构在陶瓷基体中的均匀分散，加入的烧结助剂和高的压力通过高压瞬时液相烧结，在较低温度下实现碳化硅陶瓷复合材料致密化，且具备良好的力学性能。
一种微片层结构增强碳化硅陶瓷复合材料及其制备方法

[发明专利]一种镁碳砖的制备方法-CN202110472563.0在审
发明人：赵现华;张义先;侯中阳;金钊 -专利权人：海城利尔麦格西塔材料有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C04B35/043 文献下载
摘要：本发明涉及一种镁碳砖的制备方法，1)原料：0‑1mm镁砂8‑15份，1‑3mm镁砂15‑25份，200目镁砂15‑30份，焦油1‑4份、酚醛树脂1‑4份、碳化硅晶须1‑3份、碳纤维粉6–10份，纳米稀土氧化物0.5‑3.5份；2)酚醛树脂与碳纤维粉混炼3‑5min，混炼后的产物与碳化硅晶须混炼3‑5min，静置12小时以上；碳纤维粉包裹在酚醛树脂外表面，碳化硅晶须填充碳纤维粉之间的空隙，并包裹在碳纤维粉外表面
一种镁碳砖制备方法

[发明专利]碳化硅增强型铝铜基复合材料的制备方法-CN201410402028.8有效
发明人：李永吉;韩克彦;李军委;吴海金 -专利权人：山东金山汽配有限公司
申请日： 2014-08-15 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：一种碳化硅增强型铝铜基复合材料的制备方法，制备原料包括100重量份基体合金、8-10重量份增强粒子以及0.05-0.08重量份的精炼剂，基体合金选用80-85重量份的铸造铝合金ZAlSi8MgBe和15-20重量份的铜合金Cu30Ni15Mn，增强粒子为碳化硅、四针状氧化锌晶须中的一种或者二者的组合；碳化硅的颗粒尺寸为40-50μm，四针状氧化锌晶须为长度为10-12μm、根部直径为1-1.5μm的四针状氧化锌晶须
碳化硅增强型铝铜基复合材料制备方法

[发明专利]一种可分离的复合碳化硅衬底及其制备和分离方法-CN202210213635.4在审
发明人：王振中 -专利权人：无锡华鑫检测技术有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本发明提出了一种可分离的复合碳化硅衬底，包括第一碳化硅单晶层、第二碳化硅单晶层以及位于两个碳化硅单晶层之间的非晶层；所述碳化硅衬底，对于波长为1030nm的光，第二碳化硅单晶层的透过率大于50％，非晶层的透过率小于本发明得到的复合碳化硅衬底，采用波长为1030nm的激光束，从第二碳化硅单晶层射入，聚焦在非晶层，非晶层吸收激光能量发生结构分解，从而第一碳化硅单晶层与第二碳化硅单晶层自然分离，解决了碳化硅器件工艺中背面减薄的问题，能有效保持衬底性能稳定及与后续垂直器件工艺的兼容性，降低了后段器件工艺背面减薄的成本与难度，为高性能低成本碳化硅基器件制备奠定材料基础。
一种可分离复合碳化硅衬底及其制备分离方法

[发明专利]储锂碳化硅孪晶材料及其制备方法-CN202111519203.8在审
发明人：张迪;张晨曦;魏飞 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种储锂碳化硅孪晶材料及其制备方法，用于制备储锂碳化硅孪晶材料的方法包括：包覆步骤，用于在硅粉表面包覆碳化硅层，得到碳化硅层包覆粒子；混合步骤，用于使碳化硅层包覆粒子与金属锂粉混合，得到混合物；热处理步骤，用于对混合物进行热处理，得到包含未反应物质的固体产物；后处理步骤，用于对包含未反应物质的固体产物进行洗涤处理，得到储锂碳化硅孪晶材料。本申请提供的用于制备储锂碳化硅孪晶材料的方法，充分利用了热化学方法的工艺特点，能够制备得到具备储锂功能的碳化硅孪晶材料，且该储锂碳化硅孪晶材料具备较高的储锂容量，由此其在用作电池正极材料时能够极大提升电池的能量密度
碳化硅材料及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅晶锭表层缺陷的检测方法和装置-CN202210428553.1在审
发明人：陈豆;艾玲令;马远;潘尧波 -专利权人：中电化合物半导体有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅晶锭表层缺陷的检测方法和装置，所述检测方法包括：将碳化硅晶锭放置在载物台上；预设波长的激光束通过反射三棱镜照射所述碳化硅晶锭的碳面、硅面和侧面；采用感光单元收集所述碳化硅晶锭的反射光；以及通过显影装置将所述反射光的信号显影出来，并依据显影出来的信号判断所述碳化硅晶锭的表面是否存在缺陷；其中，所述显影装置包括显影载体，所述显影载体接触所述感光单元。通过本发明提供的一种碳化硅晶锭表层缺陷的检测方法和装置，可提高碳化硅晶锭的检测准确性和检测效率。
一种碳化硅表层缺陷检测方法装置

[发明专利]一种碳化硅晶圆加工工艺-CN202111162163.6在审
发明人：严立巍;符德荣;陈政勋;文锺 -专利权人：浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种碳化硅晶圆加工工艺，包括以下步骤：S1、将碳化硅基板永久键合在硅载板上；S2、完成碳化硅基板的减薄及除高温制程外的其他晶圆正面制程；S3、将碳化硅基板转移到石墨托盘上，解除碳化硅基板与硅载板的永久键合，移除硅载板；S4、利用石墨托盘承载碳化硅基板进行高温制程；S5、碳化硅基板背面键合玻璃载板，移除石墨托盘；S6、碳化硅基板正面键合玻璃载板，解键合移除背面玻璃载板；S7、完成碳化硅基板背面晶圆制程；S8、将碳化硅基板转移到切割模框上，解键合移除正面玻璃载板，完成晶圆的切割。本发明利用硅载板承载碳化硅基板进行减薄，利用石墨托盘承载碳化硅基板进行高温制程，克服了碳化硅材料硬度大、活化温度高的加工难题。
一种碳化硅加工工艺

[发明专利]一种碳化硅陶瓷-CN200710127712.X无效
发明人：李榕生;宋岳;水淼;王霞 -专利权人：宁波大学
申请日： 2007-06-19 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及一种含有棒形氧化铝嵌入颗粒的增韧碳化硅陶瓷，属于陶瓷领域。有别于以晶须或纤维作为增韧组分的碳化硅陶瓷组合物，本案以长径比小且短的棒形氧化铝颗粒作为增韧组分，长径比小且短的棒形氧化铝颗粒其形貌决定了它在制造增韧碳化硅陶瓷的过程中容易与其它生产原料均匀混合，由此，以棒形氧化铝颗粒作为增韧组分的碳化硅陶瓷是一类品质均匀的增韧碳化硅陶瓷。同时，由于所述棒形氧化铝颗粒原料相对廉价，因而，含有棒形氧化铝嵌入颗粒的增韧碳化硅陶瓷相对低成本。本发明的方案兼顾利用热膨胀失配诱发微裂纹、裂纹偏转、裂纹桥联、拔出效应以及晶粒细化等有益的增韧因素。
一种碳化硅陶瓷

[发明专利]一种碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置-CN202210338379.1在审
发明人：耿文浩;王蓉;皮孝东;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅单晶片制造技术领域，公开了一种碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置，包括：将碳化硅晶锭作为阳极通过碳化硅晶锭上的导电层连接电压输出端并在刻蚀液中设置阴极连接电压输入端；采用大于所述单晶层对应的吸收光波长临界值的入射光照射在所述碳化硅晶锭表面；在照射的过程中，向所述碳化硅晶锭提供正恒电位并对所述刻蚀液进行微波加热，实现单晶层的剥离，得到碳化硅单晶片。本发明采用的刻蚀工艺方法，可快速获得厚度可控的碳化硅单晶片。
一种碳化硅晶片剥离方法装置

[发明专利]一种氮化镓基半导体材料外延复合衬底的制备方法-CN201210571719.1无效
发明人：亢勇;陈邦明 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基半导体材料外延复合衬底的制备方法，包括选用初始单晶碳化硅晶圆与衬底材料；通过注氢智能剥离方法在初始单晶碳化硅晶圆中注入离子形成一层气泡层；将初始单晶碳化硅晶圆与衬底材料进行表面处理后，清洗表面并旋转甩干，之后对初始单晶碳化硅晶圆与衬底材料进行等离子辅助键合；将键合形成的材料进行高温退火，初始单晶碳化硅晶圆的气泡层会聚集并使初始单晶碳化硅晶圆发生蹦离，得到单晶碳化硅复合衬底材料。本发明提出的氮化镓基半导体材料的制备方法，既可以使氮化镓基材料的外延获得高质量的碳化硅单晶衬底，又可以有效降低衬底材料的成本。
一种氮化半导体材料外延复合衬底制备方法

[发明专利]碳化硅晶圆湿法腐蚀方法-CN201711444142.7有效
发明人：朱家从;甘新慧;蒋正勇;张伟民;杨万青;齐从明 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅晶圆湿法腐蚀方法，该湿法腐蚀方法包括：获取碳化硅晶圆，所述碳化硅晶圆的正面设置有待腐蚀层，所述碳化硅晶圆的背面设置有与所述碳化硅晶圆欧姆接触的金属材料；在设置于所述碳化硅晶圆背面的金属材料表面覆盖耐腐蚀的保护膜，所述耐腐蚀的保护膜用于在湿法腐蚀操作过程中保护所述金属材料；对设置于所述碳化硅晶圆正面的待腐蚀层进行湿法腐蚀操作。通过在与碳化硅晶圆欧姆接触的金属材料表面覆盖耐腐蚀的保护膜，可以在湿法腐蚀操作过程中保护该金属材料，使得该金属材料在湿法腐蚀过程不被破坏，从而使得腐蚀操作更便捷，并且覆盖于金属材料表面的保护膜不会对机械手臂造成污染
碳化硅湿法腐蚀方法

[实用新型]一种用于碳化硅晶锭外圆加工的夹持装置-CN202220410585.4有效
发明人：王升;陈辉;李有群;贺贤汉 -专利权人：安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： B24B41/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于碳化硅晶锭外圆加工的夹持装置，涉及半导体制造领域。该装置由真空吸盘和碳化硅晶锭对中心调节机构这两部分组成。该装置解决了现有碳化硅晶锭外圆加工过程中碳化硅晶锭易脱落，操作不方便，费时费力的弊端，提高碳化硅晶锭外圆加工的成品率和工作效率。
一种用于碳化硅晶锭外圆加工夹持装置

[发明专利]一种半绝缘型碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置-CN202111344971.4有效
发明人：王蓉;耿文浩;皮孝东;王明华;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明涉及单晶片剥离技术领域，公开了一种半绝缘型碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置，包括：提供半绝缘型碳化硅晶锭，将半绝缘型碳化硅晶锭浸泡入刻蚀液中，其中，半绝缘型碳化硅晶锭包括非晶层和位于非晶层表面的单晶层，非晶层位于半绝缘型碳化硅晶锭内部的预定位置处；采用特定波长的入射光对半绝缘型碳化硅晶锭进行照射，入射光经过单晶层照射在非晶层表面，在非晶层表面形成光生空穴‑电子对；在照射的过程中，刻蚀液对具有光生空穴‑电子对的非晶层表面进行选择性刻蚀，得到半绝缘型碳化硅单晶片；本发明能够获得厚度可控的半绝缘型碳化硅单晶片，无需减薄研磨处理，且得到的单晶片表面或亚表面无损伤层、无应力残余，操作简单，成本低。
一种绝缘碳化硅晶片剥离方法装置