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[发明专利]碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法以及其生长系统-CN202010530647.0在审
发明人：朴钟辉;甄明玉;沈钟珉;梁殷寿;张炳圭;崔正宇;高上基;具甲烈;金政圭 -专利权人： SKC株式会社
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法以及其生长系统。碳化硅晶锭的制备方法，其特征在于，包括：准备步骤，准备包括具有内部空间的坩埚本体的坩埚组件，原料装入步骤，将原料装入所述坩埚组件中，而将碳化硅晶种放置在距所述原料间隔规定距离的位置，及生长步骤，通过将所述坩埚组件的内部空间调整为晶体生长气氛，以蒸气的方式传输所述原料，使其沉积在所述碳化硅晶种，从而制备从所述碳化硅晶种生长的碳化硅晶锭，所述坩埚本体的密度的范围为1.70至1.92g/cm3。可以通过控制坩埚的特性来控制在晶锭生长过程中由蒸气传输的气体的过饱和度。本发明提供了能够制备具有更好特性的碳化硅晶锭的生长系统、碳化硅晶锭、由其制备的晶片等。
碳化硅晶片制备方法及其生长系统

[发明专利]一种碳化硅晶锭的初步筛选方法及装置-CN202110050329.9有效
发明人：李帅;黄长航;赵建国;李函朔 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶锭的初步筛选方法及装置，该方法包括以下步骤：(1)对碳化硅晶锭的表面进行打磨或切割处理，得到透明或半透明的碳化硅晶锭；(2)利用紫外光源照射碳化硅晶锭，得到碳化硅晶锭的透光波长，比较所述透光波长与标准颜色波长范围的大小判断微管密度或包裹体密度是否合格，筛选获得微管密度或包裹体密度合格的碳化硅晶锭，进行下一步的操作；所述标准颜色波长是微管和包裹体密度均合格的标准碳化硅晶锭用同一紫外光源照射后具有的透光颜色波长的范围通过对碳化硅晶锭打磨切割处理后，提高了可视化程度，且利用紫外照射，筛选获得微管密度或包裹体密度合格的碳化硅晶锭，提高了初筛的准确性，降低了后续加工和检测的工作强度。
一种碳化硅初步筛选方法装置

[发明专利]一种低裂纹碳化硅晶圆制备方法及碳化硅晶圆-CN202310664916.6有效
发明人：王蓉;刘晓双;皮孝东;钱怡潇;陈方远;王万堂;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/263 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种低裂纹碳化硅晶圆制备方法及碳化硅晶圆，包括：具有裂纹的待加工碳化硅晶圆进行粒子辐照形成空位，再进行退火，退火工艺中溢出的硅原子与氧气反应生成具有粘性流动的二氧化硅，并且所述空位层中的原子借助空位的长程传输，在所述二氧化硅和所述原子的长程传输的共同作用下，填充待加工碳化硅晶圆表面的裂纹，形成自愈合层，最后通过研磨和抛光，获得低裂纹碳化硅晶圆。本发明采用粒子辐照先在待加工碳化硅晶圆的表面至内部一定深度位置形成空位，在后续退火工艺，形成自愈合层，自愈合层阻止了裂纹在后续的研磨和抛光工艺中向待加工碳化硅晶圆内部延伸以及裂纹之间的耦合，最终得到低裂纹的碳化硅晶圆
一种裂纹碳化硅制备方法

[发明专利]一种在碳陶复合材料内部在线原位制备氧化硅晶须的方法-CN201711132310.9有效
发明人：冯锋;左新章;李建章;王义洪;王鹏;成来飞;刘梦珠 -专利权人：西安鑫垚陶瓷复合材料有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种在碳陶复合材料内部在线原位制备氧化硅晶须的方法，主要解决了现有方法制备纳米二氧化硅所需的环境温度高、需要有加热过程、反应气体流量大、不适合在陶瓷基复合材料内部反应的问题。方法包括以下步骤：1)将碳化硅陶瓷基复合材料放入化学气相沉积炉内，炉内温度在900～1100℃；2)将制备碳化硅陶瓷基体的先驱体气体与空气的混合气体引入沉积炉内发生反应；3)陶瓷基复合材料内部在线原位形成氧化硅晶须
一种复合材料内部在线原位制备氧化硅晶须方法

[发明专利]碳化硅单晶的制造方法-CN200780044779.5有效
发明人：庄内智博;小古井久雄;坂口泰之 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2007-10-04 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种碳化硅单晶的制造方法，在晶体生长坩埚(6)中设有低温部和高温部，在该晶体生长坩埚的低温部配置由碳化硅单晶形成的晶种基板，在高温部配置碳化硅原料，使由碳化硅原料升华的升华气体在晶种基板上析出，使碳化硅单晶生长，其特征在于，配置晶种的部位的坩埚部件使用与碳化硅在室温下的线膨胀系数之差为1.0×10^-6/开尔文以下的部件，此外，作为配置晶种的部位的坩埚部件使用碳化硅。
碳化硅制造方法

[发明专利]碳化硅晶体及碳化硅晶种片-CN202010418933.8在审
发明人：余文怀;刘建成;林钦山;李依晴 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开一种碳化硅晶体及碳化硅晶种片，所述碳化硅晶种片包含材质为单晶碳化硅的一晶棒生长区、材质为碳化硅的一缺陷阻隔区、及材质为碳化硅的应力吸收区。所述缺陷阻隔区呈环状且围绕于所述晶棒生长区的外周缘。据此，所述碳化硅晶种片能在晶棒生长区的外侧形成有呈非共格界面的缺陷阻隔区及应力吸收区，以避免晶棒生长区受到外部环境影响、并有效地降低晶棒生长区内的缺陷的生长速度。
碳化硅晶体晶种片

[发明专利]一种掺杂稀土元素的碳化硅粉料及其制备方法与应用-CN202010613663.6有效
发明人：靳婉琪;耶夫亨·布勒琴科;王超 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本申请公开了一种掺杂稀土元素的碳化硅粉料及其制备方法与应用，所述掺杂稀土元素的碳化硅粉料包含碳化硅晶相和稀土元素的硅化物，所述稀土元素的硅化物掺杂在碳化硅晶相中。所述稀土元素的硅化物在碳化硅晶相中的掺杂浓度为0.001～5wt％。本申请掺杂稀土元素的碳化硅粉料中，稀土元素的硅化物掺杂在碳化硅晶相中，使得稀土元素在碳化硅粉中均匀掺杂，长晶时，稀土元素会随着碳化硅粉的升华被逐步释放，实现稀土元素在时间和空间上的均匀掺杂，从而有效抑制了晶体中多型缺陷的产生；且选用纯度较高的稀土元素的氧化物获得稀土元素的硅化物，极大地降低了掺杂稀土元素的碳化硅粉料的生产成本，且提高了产品纯度。
一种掺杂稀土元素碳化硅料及制备方法应用

[发明专利]碳化硅晶圆体寿命图像生成方法、系统及存储介质-CN202111347397.8在审
发明人：宋立辉;皮孝东;杨德仁;茆威威 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶圆体寿命生成方法、系统及存储介质，涉及碳化硅的技术领域，利用光致发光成像仪器获得碳化硅晶圆的PL图像，再利用少数载流子连续性方程、碳化硅晶圆前表面复合速率方程、碳化硅晶圆后表面复合速率方程、以及PL信号强度方程，通过计算机数值计算解偏微分方程得到碳化硅晶圆体寿命与PL信号强度的函数关系，再根据所述函数关系与所述PL图像得到碳化硅晶圆的体寿命图像。本发明通过光致发光成像仪器，相比微波成像的方法速度更快，同时可直接获得碳化硅晶圆的体寿命图像，而不是等效少数载流子寿命图像，表征结果更精确。
碳化硅晶圆体寿命图像生成方法系统存储介质

[发明专利]碳化硅晶圆表面复合速率图像生成方法、系统及存储介质-CN202111345465.7有效
发明人：宋立辉;皮孝东;杨德仁;茆威威 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶圆表面复合速率图像生成方法、系统及存储介质，涉及碳化硅的技术领域，利用光致发光成像仪器获得碳化硅晶圆的PL图像，再利用少数载流子连续性方程、碳化硅晶圆前表面复合速率方程、碳化硅晶圆后表面复合速率方程、以及PL信号强度方程，通过计算机数值计算解偏微分方程得到碳化硅晶圆表面复合速率与PL信号强度的函数关系，再根据所述函数关系与所述PL图像得到碳化硅晶圆的表面复合速率图像。本发明通过光致发光成像仪器，相比微波成像的方法速度更快，同时可直接获得碳化硅晶圆的表面复合速率图像，而不是等效少数载流子寿命图像，表征结果更精确。
碳化硅表面复合速率图像生成方法系统存储介质

[实用新型]碳化硅长晶设备的冷却水系统-CN202223167317.3有效
发明人：徐江;吕芳栋;卫元元;简征程;邹方海;张哲;叶水全;王奇缘 -专利权人：通威微电子有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供了一种碳化硅长晶设备的冷却水系统，属于晶体生长领域，包括发电设备、第一开关、第二开关、过渡电源、PCW以及碳化硅长晶设备，发电设备依次通过第一开关和第二开关与PCW电连接，第一开关用于与市电线路电连接，过渡电源与第二开关并联，PCW的供水口通过供水管路与碳化硅长晶设备的进水口连通，PCW的回水口通过回水管路与碳化硅长晶设备的出水口连通。本碳化硅长晶设备的冷却水系统可以实现对PCW的稳定供电，使得PCW可以持续地为碳化硅长晶设备提供冷却介质，从而保证碳化硅长晶设备的正常运行，避免碳化硅晶体的生长受到影响。
碳化硅设备冷却水系统

[发明专利]一种SiC/C质均化料、炮泥及其制备方法-CN202010171431.X在审
发明人：肖继东 -专利权人：巩义市芙豪冶金材料有限公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：SiC/C质均化料由原料在600～1500℃的温度条件下焙烧而成，原料包括：氧化铝、二氧化硅、碳化硅、焦炭、硅粉以及铁粉，且SiC/C质均化料包括莫来石相、石墨、碳化硅晶须和部分的焦炭。本申请中采用硅粉与焦炭在铁粉的催化下进行焙烧，能够容易得到碳化硅晶须，使得SiC/C质均化料结构更稳定，同时，提高了均化料的抗侵蚀性和强度。
一种 sic 质均化料及其制备方法

[发明专利]碳化硅晶棒多线切割方法-CN201910115376.X有效
发明人：卓廷厚;罗求发;黄雪润 -专利权人：厦门芯光润泽科技有限公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：一种碳化硅晶棒的多线切割方法，包括：对碳化硅晶棒的端面进行应力状态检测，选出具有拉应力的拉应力型端面；在所述拉应力型端面粘贴环形陪片；对粘贴有所述环形陪片的所述碳化硅晶棒进行多线切割，粘贴有所述环形陪片的晶片成为端面晶片所述碳化硅晶棒的多线切割方法提高碳化硅晶棒的端面晶片质量和良品率，降低碳化硅晶片的加工成本。
碳化硅晶棒多线切割方法

[发明专利]碳化硅晶棒多线切割方法-CN201910114125.X有效
发明人：卓廷厚;罗求发;黄雪润 -专利权人：厦门芯光润泽科技有限公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：一种碳化硅晶棒的多线切割方法，包括：对碳化硅晶棒的端面进行应力状态检测，选出具有压应力的压应力型端面；在所述压应力型端面粘贴碟形陪片；对粘贴有所述碟形陪片的所述碳化硅晶棒进行多线切割，粘贴有所述碟形陪片的晶片成为端面晶片所述碳化硅晶棒的多线切割方法提高碳化硅晶棒的端面晶片质量和良品率，降低碳化硅晶片的加工成本。
碳化硅晶棒多线切割方法

[发明专利]一种新材料合金刀具及其制备方法-CN202211165109.1在审
发明人：凌喜乐;刘汉祯;杨勇;杨志强;朱晓东 -专利权人：河源市蓝海米克模具刀具有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B22F5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种新材料合金刀具，刀具包括基材层和渗碳层，渗碳层设置在基材层表面，渗碳层外沉积石墨烯掺杂的TiAISiN复合涂层，基材层包括以下重量份原料：碳化钨70～80份、碳化钛5～8份、碳化铌3～5份、碳化硅晶须0.3～0.8份、钴4～6份、镍1～3份、铁1～3份、钇3～5份。本发明合金刀具基材层的硬质合金以碳化钨、碳化钛、碳化铌为硬质相，钴、铁、镍为复合粘接相，添加稀土元素钇及碳化硅晶须改性，提高的基材硬度的同时也提高了其高温抗弯性能，渗碳处理使涂层刀具在高温下能保持更好的力学性能
一种新材料合金刀具及其制备方法

[发明专利]纳米隔热涂料-CN201811247015.2在审
发明人：李致 -专利权人：合肥晓拂新能源有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C09D133/04 文献下载
摘要：本发明提出了一种纳米隔热涂料，按照重量份数计算，包括以下组分：有机硅氧烷改性丙烯酸乳液70～80份、改性纳米碳化硅4～8份、二氧化硅气凝胶1～3份、膨胀珍珠岩12～18份、陶瓷纤维3～6份、润湿分散剂1～3份、硅藻土1～3份、硫酸钙晶须3～6份、消泡剂0.2～1份以及水30～40份；所述改性纳米碳化硅主要由纳米碳化硅、膨润土与硅烷偶联剂制备得到。
纳米碳化硅纳米隔热涂料改性二氧化硅气凝胶有机硅氧烷改性丙烯酸乳液硅烷偶联剂硫酸钙晶须膨胀珍珠岩润湿分散剂散热性能使用寿命陶瓷纤维重量份数硅藻土耐高温膨润土消泡剂制备涂料