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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]硅片硼扩散用可喷涂硼源及其应用-CN202110251406.7有效
发明人：杨立功;王小军;邓舜 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C08F130/06 文献下载
摘要：本发明公开了提供一种硅片硼扩散用可喷涂硼源，该硼源为硼改性丙烯酸酯类聚合物，其合成方法为：以（取代）硼酸和（α‑取代）丙烯酸羟烷基酯为原料，在阻聚剂和带水剂存在下进行酯化反应得到含硼的（α‑取代）丙烯酸酯单体本发明还提供该硼源的应用。本发明硼源可溶于乙醇或乙醇与水的混合液，从而形成适于喷涂和喷墨打印的硼源溶液，且可提高硼源喷涂的均匀性。
硅片扩散喷涂及其应用

[发明专利]一种无色透明铈激活硼硅酸盐闪烁玻璃及其制备方法-CN201810139989.2有效
发明人：孙心瑗;袁勇;刘强;余晓光 -专利权人：井冈山大学
申请日： 2018-02-11 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： C03C4/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种通过改变硼源和/或铝源来制备的无色透明铈激活硼硅酸盐闪烁玻璃。通过使用氧化铝部分或全部地替代玻璃组分氧化钡后，采用特定硼源来部分或全部地替代玻璃组分三氧化二硼，和/或采用特定铝源来部分或全部地替代玻璃组分三氧化二铝可实现在空气气氛中制备无色透明铈激活硼硅酸盐闪烁玻璃本申请的有益效果在于无色透明铈激活硼硅酸盐闪烁玻璃制备工艺简单，且X射线激发发光强度显著提高，可用于X射线医学成像、中子探测、工业在线检测、国家安全监察、高能物理实验或核物理实验应用中。
一种无色透明激活硅酸盐闪烁玻璃及其制备方法

[发明专利]一步法无模板低温制备多孔氮化硼的工艺-CN200910016679.2无效
发明人：白玉俊;孟祥林;朱慧灵;韩福东;张波 -专利权人：山东大学
申请日： 2009-07-03 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明公开了一种一步法无模板低温制备多孔氮化硼的工艺，以硼氢化钠或硼氢化钾为硼源，以尿素或硫脲或氨基硫脲为氮源，按比例称取硼源和氮源，将硼源和氮源混合均匀后于反应釜中加热到500-600℃，使硼源和氮源发生反应，保温5-10小时后自然冷却至室温，最后经除杂干燥制得多孔氮化硼。该种制备工艺反应物价格低廉，反应温度低，反应时间短，节约能源，反应过程不使用模板，操作简单，可重复性好，无污染，残余反应物和反应副产物易清除，有利于多孔氮化硼的大量生产，且多孔氮化硼的产率高，热稳定性较高
一步法模板低温制备多孔氮化工艺

[发明专利]三维多孔六方氮化硼的制备方法-CN201410138534.0在审
发明人：曾海波;赵会结;宋秀峰 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2014-04-08 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维多孔六方氮化硼的制备方法，包括以下步骤：第一步、将先驱体放入坩埚内；所述的先驱体包括氮源和硼源，氮源是氨气、尿素、叠氮钠、吡啶、三聚氰胺、硼烷氨中的一种或多种，硼源是硼粉、氧化硼、硼酸、硼酸铵、氢硼化钠、碳化硼、硼烷氨中的一种或多种；第二步、将坩埚置于高温炉中，抽真空到1～40Pa，通入气体排除氧气；第三步、在10min～4h内升温至900℃～1600℃，反应0.5～5h；降至室温，即可得到三维多孔六方氮化硼。本发明工艺简单、无需繁杂的原料预处理和后续处理、可重复性好、可批量制备并容易实现工业化应用。
三维多孔氮化制备方法

[发明专利]一种硼掺杂石墨烯及其制备方法-CN201410361616.1有效
发明人：马建民;毛玉华 -专利权人：深圳新宙邦科技股份有限公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种硼掺杂石墨烯及其制备方法，所述制备方法包括：将硼源与有机盐或与有机酸和盐类的混合物在非氧化性气氛下加热至300-1600℃，得到硼掺杂石墨烯与金属氧化物的混合物；去除混合物中的金属氧化物，得到硼掺杂石墨烯。本发明通过在非氧化性气氛中加热硼源与有机盐或与有机酸与盐类的混合物，利用有机盐碳化石墨烯、无机氧化物成核和硼源热解产生活性硼的理念，来制备得到硼掺杂石墨烯。该方法具有工艺简单、生产周期短、可原位掺杂等优点，且制备得到的硼掺杂石墨烯具有多孔性、比表面积大的特点，可广泛应用于锂离子电池、超级电容器、纳米器件等各个领域。
一种掺杂石墨及其制备方法

[发明专利]用于在硅锗FinFET中形成源极‑漏极结的方法和相应的FinFET装置-CN201580050695.7在审
发明人： V·马赫卡奥特桑;J·J·徐;S·S·宋;M·巴达罗格鲁;C·F·耶普 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：硼被就地掺杂到该漏极区和该源极区中。可任选地，通过以下操作来就地掺杂硼在该漏极区和该源极区上形成具有硼的外延层，以及进行推进式退火以使硼在该源极区和该漏极区中扩散。
用于 finfet 形成漏极结方法相应装置

[发明专利]场致发射电子源、其制造方法和电子束装置-CN201680082576.4有效
发明人：楠敏明;桥诘富博;糟谷圭吾;大嶋卓;酒井佑辅;小瀬洋一;荒井纪明 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明提供可稳定地加热闪蒸的六硼化物单结晶场致发射电子源，因此，本场致发射电子源具包括：金属丝(107)、与其接合的金属管(108)、发射电子的六硼化物电极头(104)、独立于金属管和六硼化物电极头的石墨片(109)，六硼化物电极头配置成因石墨片而在结构上不与金属管接触，且具有六硼化物电极头、石墨片和金属管机械接触且电接触的结构。
发射电子制造方法电子束装置

[发明专利]一种扩散用硼铝源及其配置方法-CN201811587334.8有效
发明人：谢依烨;梁效峰;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕;陈凯;荣希印 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明提供一种扩散用硼铝源，包括重量百分比为8‑30％的硼源，重量百分比为1‑5％的铝源，其余为溶剂。本发明还提供了一种配置扩散用硼铝源的方法，将硼源原料和所述溶剂放入同一容器中，制得过饱和的硼源溶液；将铝源原料和所述溶剂放入同一容器中，制得铝源溶液；将所述过饱和的硼源溶液与所述铝源溶液混合。本发明提供的扩散用硼铝源的配置方法简单易操作，并且使用该硼铝源进行扩散，可有效降低硅片两面的方阻，降低正向压降并提高硅片的Trr(反向恢复时间)值，硅片扩散合格率高，有效提升硅片性能质量。
一种扩散用硼铝源及其配置方法

[发明专利]硼扩散源片的制备和检测补源方法-CN201110056260.7有效
发明人：谢晓东;邓爱民;保爱林;朱建华 -专利权人：绍兴旭昌科技企业有限公司
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼扩散源片的制备和检测补源方法。其制备方法为：将硼扩散源粉末均匀分散于醇类或醚类或酯类有机溶剂中，然后将分散均匀的液态扩散源均匀涂抹在硅基片表面，烘干后形成用于硼扩散的硼扩散源片。其检测补源方法为：通过检测确定是否对硼扩散源片进行补源，如需补源，其方法是：在硼扩散源片表面重新涂覆所述的液态扩散源，烘烤干燥后即可继续使用。本发明具有成本低廉、操作简单、可多次重复使用且适用于大批量硼扩散作业等优点。
扩散制备检测方法

[发明专利]含缓释和速释硼源的肥料-CN201880026558.3在审
发明人： M·麦克劳克林;J·德格里斯;R·贝尔德;R·C·达席尔瓦;K·弗里曼;T·福莱 -专利权人：美盛公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： C05G3/00 文献下载
摘要：一种粒状肥料产品，所述粒状肥料产品具有至少两种具有不同溶解度的硼源，以在植物的整个生长季节期间定制硼利用度，同时减少硼毒性的风险。第一硼源可以包括钠基或高水溶性硼化合物，例如四硼酸钠和/或硼酸，而第二硼源可以包括钙基硼化合物，例如硬硼钙石(CaB₃O₄(OH)₃.(H₂O))(例如，当载体肥料是N或K基时)和/或磷酸硼(BPO₄)(例如，当载体肥料是P基时)。所述第一硼源的溶解度高于所述第二硼源的溶解度，使得所述硼源向土壤中的释放速率不同。
硼源溶解度粒状肥料硼化合物载体肥料基时硼酸高水溶性生长季节四硼酸钠硬硼钙石磷酸硼钙基钠基释放土壤

[发明专利]一种硼扩散源组合物、硼扩散源及其制备方法和应用-CN202211180979.6在审
发明人：李海龙;于朴凡;董艺萌;杨长青;杨晓东 -专利权人：北京化学试剂研究所有限责任公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C30B31/08 文献下载
摘要：本申请涉及半导体的技术领域，具体公开了一种硼扩散源组合物、硼扩散源及其制备方法和应用。本申请公开了一种硼扩散源组合物，包括以下重量份的组分：硼源1‑6份；聚乙烯醇树脂5‑8份；乙二醇单甲醚70‑80份；水20‑30份；乙酸乙酯0.5‑5份；所述硼扩散源组合物还包括酸类物质；所述乙酸乙酯与所述酸类物质的重量比为本申请还公开了利用上述组合物制备的硼扩散源及其制备方法。本申请利用上述硼扩散源组合物和制备方法，获得了具有优异粘度性的硼扩散源，且该硼扩散源物应用于制造半导体元件中能够达到均匀分布和深度扩散的优异性能。
一种扩散组合及其制备方法应用

[发明专利]一种掺硼金刚石电极及其制备方法、制备装置-CN202211152909.X在审
发明人：王玉宝;徐金昌;赵小玻;王晓玲;曹延新;张敬群;张鑫维;刘明昭;潘信君;訾蓬;魏华阳;陈豆豆 -专利权人：山东欣远新材料科技有限公司;中材人工晶体研究院（山东）有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺硼金刚石电极及其制备方法、制备装置。所述的制备方法包括以下步骤：将硼源与溶剂混合，得到含硼溶液；将载气通过所述含硼溶液，得到含硼气体；将所述含硼气体通入化学气相沉积炉进行化学气相沉积；其中，所述溶剂包括第一溶剂，所述第一溶剂为甲醇、乙醇、正丁醇中的一种或多种；所述硼源包括第一硼源和/或第二硼源，所述第一硼源为硼酸，所述第二硼源为氧化硼、硼氢化钠、四硼酸钠中的一种或多种。本发明的制备方法成本低、毒害小、污染少，且便于控制硼掺杂浓度，硼掺杂均匀性好。
一种金刚石电极及其制备方法装置

[发明专利]一种硼铝扩散源及其制备方法-CN202211378504.8在审
发明人：董艺萌;于朴凡;杨长青;王连旺;孟宪冬 -专利权人：北京化学试剂研究所有限责任公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本申请涉及半导体硅片制造技术领域，尤其涉及一种硼铝扩散源及其制备方法。一种硼铝扩散源，硼铝扩散源中金属杂质含量20ppm；其中钠离子含量15ppm；硼铝扩散源组分包括硅酸酯15‑35%、水2‑5%、低碳醇25‑35%、醚类25‑35%、硼源2‑12%、铝源5‑20%、酸0.01其制备方法包括：1）硼源、铝源、醚类混合溶解；2）硅酸酯加水混合水解缩聚；3）共混。本申请控制硼铝扩散源中金属杂质含量20ppm，其中钠含量15ppm，可有效提升芯片的电参数TRR值；对于硼铝扩散源中金属杂质含量和钠含量的控制还可以改善烘膜工序中成膜不均匀、不平整的问题，制得产品的方块电阻和
一种扩散及其制备方法

[发明专利]一种以水为生长促进剂大量制备氮化硼纳米管方法-CN200510046294.2无效
发明人：成会明;唐蓓;李峰;丛洪涛 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2005-04-20 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明涉及氮化硼纳米管的制备技术，特别提供了一种以水作为生长促进剂大量制备氮化硼纳米管的方法。该方法以硼粉或三氧化二硼为硼源，氧化镁或氧化铁为催化剂，氨气或氮气为氮源，氩气或氢气或氮气为载气，采用水为生长促进剂，通过控制载气流量和水浴温度将占反应物质的重量百分比0.1－2wt％之间水带入反应区，同时控制硼源和催化剂的摩尔比在0.25∶1～30∶1，在1000～1300℃下大量制备氮化硼纳米管。本发明产品产量高、成本低，无毒害，同时可实现氮化硼纳米管的大规模制备。
一种生长促进剂大量制备氮化纳米方法

[发明专利]一种利用固态掺杂源制备掺硼金刚石的方法-CN201910925306.0有效
发明人：朱嘉琦;姚凯丽;代兵;谭小俊;杨磊;赵继文;舒国阳;韩杰才 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：一种利用固态掺杂源制备掺硼金刚石的方法，它涉及一种制备掺硼金刚石的方法。本发明要解决现有掺硼金刚石薄膜的制备方法中气体硼源不安全，对设备有腐蚀性的问题。制备方法：一、掺杂源的制备；二、掺硼金刚石薄膜的制备。本发明用于利用固态掺杂源制备掺硼金刚石。
一种利用固态掺杂制备金刚石方法

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