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[发明专利]喷码图案的检测方法、装置、电子设备和存储介质-CN202310412526.X在审
发明人：范梦辰;李刚锐;顾费勇;洪靖国;李跃建;张东博;姚凯丽 -专利权人：网易(杭州)网络有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G06V20/62 文献下载
摘要：本公开提供了一种喷码图案的检测方法、装置、电子设备和存储介质。其中，该方法包括：获取待检瓶状对象的第一喷码图案；将第一喷码图案分割为多个第一子图，获取每个第一子图的第一特征向量；从数据库中查找多个第一子图确定的第一字符串对应的第二喷码图案，及其各个第二子图的第二特征向量；均按照字符对应关系检查第一子图的第一特征向量和对应的第二子图的第二特征向量，得到第一子图相对于第二子图的特征点变化信息；根据每对第一子图相对于第二子图的特征点变化信息，确定第一喷码图案和第二喷码图案的相似度。通过上述方式可以在喷码图案磨损或污染等情况下，提升喷码图案的比对准确度。
图案检测方法装置电子设备存储介质

[发明专利]复合筛选组件的构建方法、装置、电子设备及存储介质-CN202211494153.7在审
发明人： 姚凯丽 -专利权人：北京天融信网络安全技术有限公司;北京天融信科技有限公司;北京天融信软件有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G06F8/38 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种复合筛选组件的构建方法、装置、电子设备及存储介质，其中，该方法包括：创建条件筛选组件；创建控制组件；根据所述控制组件获得筛选列表；根据所述筛选列表和所述条件筛选组件获得下拉列表数据；将所述下拉列表数据和所述控制组件进行封装，得到所述复合筛选组件。实施本申请实施例，可以简化筛选组件的布局，缩短布局时间，减少筛选条件，实现多种条件的融合，提高开发效率，增加筛选组件的可复用性，提高用户的体验感。
复合筛选组件构建方法装置电子设备存储介质

[实用新型]一种财务会计凭证真空封装机-CN202123350411.8有效
发明人：唐利红;叶晓婧;姚凯丽;时晓琼 -专利权人：郑州工商学院
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： B65B51/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种财务会计凭证真空封装机，包括主机体，所述主机体上铰接有盖板，所述主机体的上端面设有用于抽取真空袋内部空气的抽真空组件和长形开口，所述主机体的内部位于所述长形开口的下方设有能够上下位移的发热组件。本实用新型通过在主机体原有发热丝位置处设置长形开口，并在主机体的内部位于长形开口的下方设置能够上下位移的发热组件，从而在封口前使电热丝位于主机体内部，封口时使电热丝向上移动，一方面避免了人们取放真空袋的过程中被电热丝烫伤情况的发生，另一方面也避免了抽气时持续发热的电热丝与真空袋接触情况的发生，从而实现了对真空袋抽空气体后实现封口。
一种财务会计凭证真空装机

[发明专利]一种利用固态掺杂源制备掺硼金刚石的方法-CN201910925306.0有效
发明人：朱嘉琦;姚凯丽;代兵;谭小俊;杨磊;赵继文;舒国阳;韩杰才 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：一种利用固态掺杂源制备掺硼金刚石的方法，它涉及一种制备掺硼金刚石的方法。本发明要解决现有掺硼金刚石薄膜的制备方法中气体硼源不安全，对设备有腐蚀性的问题。制备方法：一、掺杂源的制备；二、掺硼金刚石薄膜的制备。本发明用于利用固态掺杂源制备掺硼金刚石。
一种利用固态掺杂制备金刚石方法

[发明专利]一种具有双金属协同效应的多孔掺硼金刚石复合电极的制备方法及其检测葡萄糖的应用-CN201910925317.9有效
发明人：朱嘉琦;姚凯丽;代兵;谭小俊;杨磊;孙明琪;高鸽;韩杰才 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C23C16/511 文献下载
摘要：一种具有双金属协同效应的多孔掺硼金刚石复合电极的制备方法及其检测葡萄糖的应用，它涉及一种多孔掺硼金刚石复合电极的制备方法及应用。本发明要解决现有不存在制备多孔掺硼金刚石复合电极的方法，现有利用掺硼金刚石电极非酶葡萄糖传感器检测葡萄糖灵敏度较低的问题。制备方法：一、掺硼金刚石薄膜的制备；二、溅射镀膜及退火处理。应用：用于检测葡萄糖。本发明用于具有双金属协同效应的多孔掺硼金刚石复合电极的制备及其检测葡萄糖的应用。
一种具有双金属协同效应多孔金刚石复合电极制备方法及其检测葡萄糖应用

[发明专利]一种金纳米粒子修饰掺硼金刚石电极的制备方法及应用-CN201910932384.3有效
发明人：朱嘉琦;姚凯丽;代兵;谭小俊;杨磊;刘本建;张森;刘康;韩杰才 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：一种金纳米粒子修饰掺硼金刚石电极的制备方法及应用，它涉及一种金修饰掺硼金刚石电极的制备方法及应用。本发明要解决其中一个问题是现有方法制备的掺硼金刚石在其表面修饰其他物质时，两者结合力较差，解决的另一个问题是掺硼金刚石电极材料的电化学检测灵敏度较低，现有修饰方法会阻碍掺硼金刚石材料本身电化学性能发挥。制备方法：一、硼源的制备；二、掺硼金刚石薄膜的制备；三、镀膜及退火。本发明用于金纳米粒子修饰掺硼金刚石电极的制备及应用。
一种纳米粒子修饰金刚石电极制备方法应用

[发明专利]基于XRD实验数据调整衬底和薄膜初始结构模型的结构参数的方法-CN201711483712.3有效
发明人：朱嘉琦;王杨;代兵;舒国阳;姚凯丽;刘康;高鸽;赵继文;刘本建;杨磊;韩杰才 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：一种基于XRD实验数据调整衬底和薄膜初始结构模型的结构参数的方法，它属于材料计算技术领域。本发明解决了衬底和薄膜结构模型预留距离过大影响几何优化过程的计算速度，以及可能无法模拟出最终能量最低的稳定结构的问题。本发明利用带有薄膜附件的X射线衍射仪对衬底和生长外延薄膜进行X射线小角衍射(SXRD)表征，得到衬底样品和薄膜样品的X射线小角衍射图谱，据此分别计算出衬底样品、薄膜样品、衬底样品与薄膜样品界面处原子层之间的晶面间距，然后利用上述晶面间距对利用Material Studio建立的初始结构模型的结构参数进行调整。本发明减少了几何优化步骤，大大缩短优化时间，同时有效避免计算过程陷入亚稳定结构陷阱，能够更准确地找到最终稳定结构。
基于 xrd 实验数据调整衬底薄膜初始结构模型参数方法

[发明专利]一种增强金刚石热导率的方法-CN201710607290.X有效
发明人：朱嘉琦;赵继文;代兵;杨磊;韩杰才;舒国阳;刘康;高鸽;吕致君;姚凯丽;王强;刘本建 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：一种增强金刚石热导率的方法，本发明涉及一种增强金刚石导热性的方法，本发明目的是要在不去除金刚石材料的基础上解决现有CVD方法制备金刚石两面晶粒尺寸差别过大，厚度较薄以及热导率提高困难的问题。增强金刚石热导率的方法：一、对硅片进行切割和超声清洗；二、对硅片进行打磨处理，在硅片表面建立辅助形核点；三、硅片放置于CVD装置中，通入生长气体氢气与甲烷，升温至750℃以上进行多晶生长；四、利用HNO3与HF混合溶液去掉硅基底；五、以与步骤三相同的生长方式与参数进行重复生长。本发明经过两次生长，使制备得到的多晶金刚石膜双面形貌大致相同，并提高了金刚石的厚度，提升了多晶金刚石的热导率。
一种增强金刚石热导率方法

[发明专利]一种利用聚焦离子束技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法-CN201811213112.X有效
发明人：朱嘉琦;舒国阳;代兵;杨磊;刘雪冬;李一村;刘康;孙明琪;王杨;赵继文;姚凯丽;刘本建;王伟华;薛晶晶;韩杰才 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：一种利用聚焦离子束技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法，本发明涉及消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法。本发明要解决现有的MPCVD生长中籽晶表面由于激光加工和抛光不完善导致的表面缺陷富集，进而影响外延生长金刚石质量的问题。方法：一、单晶金刚石籽晶清洗；二、喷金处理；三、放置样品；四、关舱；五、抽真空；六、聚焦离子束扫描刻蚀；七、吹洗样品。本发明用于一种利用聚焦离子束技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法。
一种利用聚焦离子束技术消除金刚石籽晶表面缺陷方法

[发明专利]一种利用电感耦合等离子体技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法-CN201811213111.5有效
发明人：朱嘉琦;舒国阳;代兵;杨磊;李一村;刘雪冬;刘康;孙明琪;王杨;赵继文;姚凯丽;刘本建;王伟华;薛晶晶;韩杰才 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L21/36 文献下载
摘要：一种利用电感耦合等离子体技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法，本发明涉及单晶金刚石籽晶缺陷的消除方法。本发明要解决现有MPCVD生长中籽晶表面由于激光加工和抛光不完善导致的表面缺陷富集，进而影响外延生长金刚石质量的问题。方法：一、单晶金刚石籽晶清洗；二、制备遮挡掩体；三、放置样品；四、关舱；五、抽真空；六、电感耦合等离子体处理。本发明用于一种利用电感耦合等离子体技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法。
一种利用电感耦合等离子体技术消除金刚石籽晶表面缺陷方法

[实用新型]一种环境设备监测数据采集终端-CN201921556809.7有效
发明人：钱星;李向东;李刚;高翔;时新晨;姚凯丽 -专利权人：内蒙古成为电能服务有限公司;赤峰市环境在线监控中心（赤峰市环境信息中心）
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： G01D21/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种环境设备监测数据采集终端,包括终端机本体，在终端机本体上方设置有顶盖，在顶盖下方设有压线块，在顶盖上穿设有螺杆，螺杆与顶盖螺纹连接，螺杆底端与压线块固定，在终端机本体顶部开设有置线槽，压线块置于置线槽内；在置线槽两侧的终端机本体顶部分别设有L型滑槽，在顶盖底部两侧分别对应固定有滑动至于L型滑槽内的滑块，本实用新型的优点：顶盖可与终端机本体顶部分开，被测电缆置于置线槽内，通过滑块滑动进L型滑槽内，使得顶盖再与终端机本体顶部连接，旋转螺杆，带动压线块下降将被测电缆压紧固定，实现终端机本体与被测电缆的连接固定，操作方便，使用快捷，固定效率高。
一种环境设备监测数据采集终端

[实用新型]一种移动式电能质量监测装置-CN201921002789.9有效
发明人：李刚;钱星;姚凯丽;高翔;方文涛 -专利权人：内蒙古成为电能服务有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： G01R1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种移动式电能质量监测装置，包括电能质量监测仪本体，所述电能质量监测仪本体的正面固定连接有把手，所述电能质量监测仪本体的下表面开设有折叠槽，所述折叠槽的槽内固定安装有折叠支撑架。本实用新型通过上述等结构的配合，实现了方便稳定的对电能质量监测仪进行支撑，方便其进行作业的同时，可以进行收缩，方便携带的效果。
一种移动式电能质量监测装置

[发明专利]一种生长高质量金刚石颗粒及金刚石薄膜的方法-CN201810455956.9有效
发明人：朱嘉琦;姚凯丽;代兵;杨磊;韩杰才 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：一种生长高质量金刚石颗粒及金刚石薄膜的方法，本发明涉及生长金刚石颗粒及金刚石薄膜的方法。本发明要解决现有固体碳源多采用片状等固体，其存在碳源稳定性差，无法形成高品质金刚石，若采用粉状固体碳源，则会在沉积过程中吹散，且污染设备，缩短设备寿命的问题。方法：一、石墨粉装入金属槽中，压实，得到装有石墨粉的金属槽；二、将装有石墨粉的金属槽及衬底置于微波等离子化学气相沉积装置中，且衬底位于装有石墨粉的金属槽中心沉积，即完成一种生长高质量金刚石颗粒及金刚石薄膜的方法。
金刚石薄膜金刚石颗粒金属槽石墨粉生长衬底沉积微波等离子化学气相沉积粉状固体固体碳源缩短设备污染设备金刚石高品质吹散压实装入

[发明专利]一种GaN与金刚石复合散热结构的制备方法-CN201710787686.7有效
发明人：朱嘉琦;赵继文;代兵;杨磊;韩杰才;舒国阳;刘康;高鸽;吕致君;姚凯丽;王强;刘本建 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-09-04 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：一种GaN与金刚石复合散热结构的制备方法，本发明涉及金刚石膜层与GaN连接的散热结构的制备方法，它为了解决现有GaN器件的散热性能有待提高，GaN在生长过程中易崩碎的问题。制备方法：一、超声清洗GaN晶片；二、在洁净的GaN晶片上镀制Si₃N₄过渡层；三、继续磁控溅射镀制Si过渡层；四、超声清洗；五、在表面建立辅助形核点；六、置于MPCVD装置中沉积金刚石层。本发明GaN表面的金刚石层的热导率可以达到1260±120W/(mK)，制备Si₃N₄过渡层不导电，有效保护GaN器件性能，并能保护GaN免受等离子体侵蚀。
制备过渡层复合散热结构金刚石超声清洗金刚石层镀制晶片等离子体金刚石膜层磁控溅射散热结构散热性能生长过程不导电热导率形核点沉积洁净侵蚀

[发明专利]直接生长法制备金刚石辅助散热碳化硅基底GaN-HEMTs的方法-CN201910136716.7在审
发明人：代兵;赵继文;朱嘉琦;杨磊;曹文鑫;刘康;韩杰才;舒国阳;高鸽;姚凯丽;刘本建 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：直接生长法制备金刚石辅助散热碳化硅基底GaN‑HEMTs的方法，本发明涉及金刚石与碳化硅连接的散热结构的制备方法，它为了解决现有GaN HEMTs的散热性能有待提高的问题。制备金刚石辅助散热碳化硅基底的方法：一、在SiC基片表面刻蚀出孔洞；二、超声清洗SiC基片；三、在SiC晶片的表面建立辅助形核点；四、沉积金刚石层；五、将上表面的金刚石膜层去掉，留下孔洞中金刚石膜层；六、超声清洗；七、在SiC晶片上的孔洞中进行沉积，金刚石沉积填满孔洞。本发明制备金刚石的纯度高，热导率较高，金刚石与SiC结构类似，相容性好，制备的金刚石位于器件下方，有针对性地将热点热量极快导出。
金刚石孔洞制备辅助散热碳化硅基金刚石膜层超声清洗直接生长沉积金刚石沉积基片表面结构类似金刚石层散热结构散热性能热导率上表面碳化硅相容性形核点导出刻蚀填满

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