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[发明专利]一种硅铁水液压翻包浇注系统-CN201510452044.2在审
发明人：黄发茂 -专利权人：中卫市茂烨冶金有限责任公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： B22D41/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅铁水液压翻包浇注系统，包括用于盛装硅铁水的硅铁水包，和用于接收硅铁水包内的硅铁水的锭模，还包括用于承坐硅铁水包并承载所述硅铁水包翻转的翻转机构，以及设置于预定导轨上并沿该预定轨道行走的锭模车组，所述锭模车组上设置有多个锭模；所述锭模车组根据外部控制指令而沿预定轨道行走，当该锭模车组行走至预定位置时，所述翻转机构接收外部指令并带动硅铁水包翻转以将硅铁水注入锭模。
一种铁水液压浇注系统

[实用新型]一种硅铁水液压翻包浇注系统-CN201520558682.8有效
发明人：黄发茂 -专利权人：中卫市茂烨冶金有限责任公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： B22D41/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅铁水液压翻包浇注系统，包括用于盛装硅铁水的硅铁水包，和用于接收硅铁水包内的硅铁水的锭模，还包括用于承坐硅铁水包并承载所述硅铁水包翻转的翻转机构，以及设置于预定导轨上并沿该预定轨道行走的锭模车组，所述锭模车组上设置有多个锭模；所述锭模车组根据外部控制指令而沿预定轨道行走，当该锭模车组行走至预定位置时，所述翻转机构接收外部指令并带动硅铁水包翻转以将硅铁水注入锭模。
一种铁水液压浇注系统

[发明专利]少模光纤和硅基多模芯片耦合结构及制备方法-CN202310562365.2在审
发明人：蒋卫锋;张淋 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G02B6/30 文献下载
摘要：本发明公开少模光纤和硅基多模芯片耦合结构及制备方法，属于光学元件、系统或仪器技术领域。耦合结构包括硅基多模芯片、少模光纤、少模光子引线键合波导、光纤底座；硅基多模芯片包含硅衬底、埋氧层、硅基波导、上包层、亚波长光栅倒置级联锥形波导、对准标记；少模光纤包括纤芯和包层；少模光子引线键合波导包含亚波长光栅倒置级联锥形波导上方的方形波导硅基多模芯片与少模光纤通过上层少模光子引线键合波导和下层亚波长光栅倒置级联锥形波导组合的少模耦合结构连接，增强模式杂化效应，实现硅基矩形矢量模与少模光纤圆形线偏振模匹配。
光纤基多芯片耦合结构制备方法

[发明专利]片上集成硅单光子探测器及其制备方法-CN202210333941.1在审
发明人：刘巧莉;陈年域;胡安琪;郭霞 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本申请提供一种片上集成硅单光子探测器及其制备方法，该片上集成硅单光子探测器包括氮化硅波导和硅导模探测器，氮化硅波导用于接收并传输入射光，入射光的波长为300nm‑1100nm；硅导模探测器的长度方向与氮化硅波导内的光传输方向一致，硅导模探测器的宽度方向与硅导模探测器通电时硅导模探测器内的电流方向一致；硅导模探测器与氮化硅波导间隔设置，且氮化硅波导位于硅导模探测器高度方向的上部，硅导模探测器用于接收氮化硅波导耦合来的入射光，以及当硅导模探测器通电时该片上集成硅单光子探测器解决了因硅材料对接近1100nm处的近红外光吸收系数小导致的探测效率低的技术问题。
集成光子探测器及其制备方法

[发明专利]一种硅基多模光接收器件及其制备方法-CN202011249404.6有效
发明人：冯大增;王奕琼;梁虹;武爱民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅基多模光接收器件及其制备方法，所述方法包括：获取SOI晶圆；制备探测器，包括：在所述SOI晶圆上定义探测器区域；在所述探测器区域形成锗材料层；通过光刻和刻蚀所述锗材料层形成锗波导，所述锗波导的宽度为2.0～5.0μm；对所述探测器区域进行掺杂处理；在所述探测器区域形成第一电极和第二电极；制备多模硅光波导，所述多模硅光波导的宽度为2.0～5.0μm；在所述探测器和所述多模硅光波导的表面形成保护膜。本申请的硅基多模光接收器件及其制备方法，采用多模硅光波导与光纤耦合，不仅光纤的基本光模可以耦合到多模硅光波导，高阶光模也可以耦合到多模硅光波导。
一种基多接收器件及其制备方法

[实用新型]一种用于工业硅的多晶硅锭模-CN201920638777.9有效
发明人：羊实;周旭 -专利权人：新疆泰宇达环保科技有限公司
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： B22D7/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于工业硅的多晶硅锭模，包括模具，所述模具包括侧壁、模顶、模底，所述侧壁的上、下两端均敞口，模顶放置在侧壁的顶端，模底可拆卸连接在侧壁的底端，模顶上放置压持件，所述压持件上开设上下连通的通孔，所述压持件上固定安装板，所述安装板上设置驱动端朝下的直线驱动装置，所述直线驱动装置的驱动端穿过安装板进入所述通孔内，所述驱动端的底部固定连接拔模推板；所述侧壁、模顶、模底均由多晶硅材料制作而成。本实用新型的目的在于提供一种用于工业硅的多晶硅锭模，以解决现有技术中硅锭成型后不易从模具内取出的问题，实现便于拔模、同时不会污染成型硅产品的目的。
侧壁模顶压持件模具直线驱动装置本实用新型多晶硅锭安装板工业硅驱动端拔模通孔成型多晶硅材料固定安装板可拆卸连接上下连通硅产品敞口底端硅锭推板取出穿过驱动制作污染

[发明专利]一种高纯度工业硅耐用冷却锭模-CN201510377046.X在审
发明人：吴旺河 -专利权人：吴旺河
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯度工业硅耐用冷却锭模，包括锭模容器本体，锭模容器本体的容器内底面嵌固设置有平板形内衬层；所述内衬层是通过熔化后浇铸冷却成型嵌固设置在锭模容器本体内底面的工业硅内衬层；所述工业硅内衬层的材质成份与该冷却锭模所用于生产的工业硅锭的材质成份相同由于工业硅内衬层的材质成份与该冷却锭模所用于生产的工业硅锭的材质成份相同。不会产生“杂质”影响产品的品质，可用于生产高纯度工业硅，同时产品浇铸时的工业硅液还会对工业硅内衬层的破损进行同材质性的补损，大大延长了冷却锭模整体的使用寿命，模具成本大大降低，使用效果更理想。
一种纯度工业耐用冷却

[发明专利]硅基氮化铝混合波导及其实现方法-CN202210229813.2在审
发明人：张永;冯成龙;徐子涵;沈健;苏翼凯 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种硅基氮化铝混合波导及其实现方法，包括：从上到下依次设置的第一硅层、用于传播TM模的氮化铝层和第二硅层，即用于传播TE模和/或TM模的硅‑氮化铝‑硅结构。本发明在SOI基底上通过沉积和刻蚀技术实现硅与氮化铝异质集成的混合狭缝波导结构，利用氮化铝材料的优良特性，实现光模场局域在氮化铝中传播的硅‑氮化铝‑硅异质集成的混合狭缝波导结构及制备方法。
氮化混合波导及其实现方法

[发明专利]电感元件的制造方法-CN201010001497.0无效
发明人：陈明琦 -专利权人：台北沛波电子股份有限公司
申请日： 2010-01-12 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01F17/00 文献下载
摘要：一种电感元件的制造方法，利用一模具来制造出电感元件，模具包括下模仁及上模仁，并使下模仁及上模仁延一轴向相对移动至填料位置及挤压位置，当下模仁位于填料位置时可将铁硅合金材料填充至下模仁所形成的第一空间中，再置放线圈于第一空间的铁硅合金材料内，使线圈的延伸部露出铁硅合金材料外，再将上模仁位于填料位置，填充铁硅合金材料至上模仁所形成的第二空间中，覆盖线圈本体，之后移动上模仁及下模仁于挤压位置，令铁硅合金材料与线圈相互结合，并固化铁硅合金材料，使线圈本体被固定于铁硅合金材料中，且铁硅合金材料配合一体成型的结构产生高导磁性，减少线圈圈数，低线圈金属材料成本，可一体成型具有低成本低损耗高导磁率的电感元件。
电感元件制造方法

[实用新型]一种用于硅铁水浇注自动取锭的锭模车结构-CN201520558429.2有效
发明人：黄发茂 -专利权人：中卫市茂烨冶金有限责任公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： B22D29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于硅铁水浇注自动取锭的锭模车结构，包括锭模车本体，所述锭模车本体上设置有用于容纳硅铁水锭的锭模，所述锭模车本体的一侧设置有用于与所述锭模枢接的枢接部，在所述枢接部的相对侧设置有顶模翻转件；所述顶模翻转件将所述锭模顶起并围绕所述枢接部转动，以令所述锭模内的硅铁水锭自所述锭模内翻起并落出。本实用新型所述的用于硅铁水浇注自动取锭的锭模车结构中，所述顶模翻转件将所述锭模顶起并围绕所述枢接部转动，以令所述锭模内的硅铁水锭自所述锭模内翻起并落出。借助于顶模翻转件的作用力，所述锭模得以在脱离人力的情况下翻转，使锭模内的硅铁水锭得以翻起并落出，大大降低了工人的劳动强度，减少了事故的发生。
一种用于铁水浇注自动锭模车结构

[发明专利]一种可控硅护套模具组-CN201710310825.7有效
发明人：张源泉;苏中德 -专利权人：应达工业（上海）有限公司
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： B29C39/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种可控硅护套模具组，包括芯模模具和型模模具；芯模模具包括芯模体和芯模翼，护套体为中空的环状结构，芯模的中空部分形成芯模腔体；芯模翼对称的设置在芯模体的两侧，和芯模体形成限位槽；型模使用芯模模具浇筑而得本发明的一种可控硅护套模具组，采用芯模模具和型模模具配套的方式对可控硅护套进行生产，先根据可控硅护套的尺寸制造木制或铝制芯模模具，再通过芯模模具浇筑硅胶的型模模具。芯模模具的强度高耐磨损，重复使用率高；硅胶型模模具延展性好形变量大，在其中浇筑可控硅护套后可方便快捷的将型模模具从可控硅护套外剥除取下，提升了生产效率。而硅胶型模模具成本低廉，一旦出现损坏也可通过芯模模具重新筑造，降低了生产成本。
一种可控硅护套模具

[发明专利]一种硅光子芯片被动对准光学封装结构和光开关设备-CN202211100327.7有效
发明人：王敬好;张潜;张萌徕;储涛 -专利权人：之江实验室
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：本发明提供一种硅光子芯片被动对准光学封装结构和光开关设备，包括基板，硅光子芯片，光纤阵列定位组件以及大模场光纤阵列，所述基板上设有对准标记，硅光子芯片以及光纤阵列定位组件依照对准标记固定于基板之上；硅光子芯片的光学耦合端口为大模场光栅耦合器阵列，其中各大模场光栅耦合器具有相同的最佳耦合角以及最佳耦合模场直径D；大模场光纤阵列中各光纤的模场直径与大模场光栅耦合器的最佳耦合模场直径D相匹配；大模场光纤阵列利用光纤阵列定位组件与硅光子芯片上的大模场光栅耦合器阵列实现最佳耦合，本发明解决了利用主动对准流程进行硅光子芯片光学封装带来的问题，降低了封装成本。
一种光子芯片被动对准光学封装结构开关设备

[发明专利]基于片上模式变换器的硅锗光电探测装置-CN201510937427.9有效
发明人：王磊;肖希;陈代高;李淼峰;邱英 -专利权人：武汉邮电科学研究院
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L31/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于片上模式变换器的硅锗光电探测装置，涉及光通信器件领域。该装置包括绝缘衬底、光耦合器、片上模式变换器、多模硅锗光电探测器，光耦合器、片上模式变换器、多模硅锗光电探测器顺次相连，且均固定在绝缘衬底的硅晶圆上，入射的基模光信号通过单模光纤传输至光耦合器，经光耦合器耦合后的基模光信号进入片上模式变换器，片上模式变换器将基模光信号转换为多模光场，多模光场进入多模硅锗光电探测器，多模硅锗光电探测器将多模光场转化为电信号。本发明中的锗重掺区位于多模光场分布光强较弱的区域，锗重掺区和锗通孔对光场的吸收损耗明显降低，能够有效提高硅锗光电探测装置的响应度。
基于模式变换器光电探测装置

[实用新型]一种高纯度工业硅耐用冷却锭模-CN201520463654.8有效
发明人：吴旺河 -专利权人：吴旺河
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高纯度工业硅耐用冷却锭模，包括锭模容器本体，锭模容器本体的容器内底面嵌固设置有平板形内衬层；所述内衬层是通过熔化后浇铸冷却成型嵌固设置在锭模容器本体内底面的工业硅内衬层。由于工业硅内衬层的材质可设置为与该冷却锭模所用于生产的工业硅锭的材质相同。不会产生“杂质”影响产品的品质，可用于生产高纯度工业硅，同时产品浇铸时的工业硅液还会对工业硅内衬层的破损进行同材质性的补损，大大延长了冷却锭模整体的使用寿命，模具成本大大降低，使用效果更理想。
一种纯度工业耐用冷却

[发明专利]一种可控硅封装方法及封装模具-CN201510122648.0有效
发明人：赵巍巍;高军;李长利;王敏花;张金宇;孙凤军 -专利权人：鞍山市联达电子有限公司
申请日： 2015-03-19 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种可控硅封装方法，采用模具封装，在下模中设弹簧一保证封装时可控硅管壳台面与芯片紧密接触，在上模与下模之间设限位套保证封装刃间隙；封装模具包括上模、下模和可控硅定位盘，所述下模设有放置可控硅用的空腔，空腔底部设弹簧一和可控硅定位盘，可控硅定位盘在弹簧一的作用下可沿下模相配合的孔壁移动，上模和下模的对应工作表面设有相配合的封装刃。与现有技术相比，本发明的有益效果是1)保证管壳与芯片之间的紧密接触；2)封装后可直接测试出阴控极阻值，及时发现阴控极接触不良问题；3)采用限位套精确控制封装刃间隙，确保封装质量；4)封装后在弹簧一作用下可控硅自动弹出
一种可控硅封装方法模具

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