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[实用新型]LED灯组件及其硅基板LED灯-CN201220285557.0有效
发明人：徐振雷;林洺锋;卢德隆;郭远生 -专利权人：惠州市洲明节能科技有限公司
申请日： 2012-06-15 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种LED组件及其硅基板LED灯，所述硅基板LED灯包括载体、LED晶片、与LED晶片电连接的电极及封胶，所述载体为硅基板，电极设于硅基板上，电极与LED晶片处于同一表面上。所述LED组件包括所述硅基板LED灯和散热器，所述硅基板LED灯的硅基板直接与散热器的表面相抵接。本实用新型的硅基板LED灯，其其散热性能好，且能延长LED灯的使用寿命；应用该硅基板LED灯的LED灯组件，其便于LED灯散热，且能节约生产成本。
led 组件及其硅基板

[发明专利]液滴喷头的制造方法、液滴喷头及液滴喷出装置-CN200510131041.5有效
发明人：荒川克治;松本康享 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2005-12-07 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： B41J2/16 文献下载
摘要：提供一种制造中硅基板不会产生裂纹或缺陷，而且成品率也高的液滴喷头的制造方法。本发明的液滴喷头的制造方法，具有：对硅基板(30)的一面蚀刻，形成成为喷嘴(8)的凹部的工序；在形成有成为硅基板(30)的喷嘴(8)的凹部的面上粘合支持基板(40)的工序；从硅基板(30)的粘合了支持基板(40)面的反面将硅基板(30)薄板化的工序；和在硅基板薄板化后将支持基板(40)与硅基板(30)剥离的工序。
喷头制造方法喷出装置

[发明专利]硅的干蚀刻方法-CN202110879598.6在审
发明人：土居谦太;作石敏幸;中村敏幸;森川泰宏 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅的干蚀刻方法。在本发明的硅的干蚀刻方法中，准备硅基板，形成在所述硅基板上具有开口的掩模图案，根据所述掩模图案，导入第一气体以在所述硅基板上形成沉积层，根据所述掩模图案，导入第二气体对所述硅基板进行干蚀刻处理以在所述硅基板的表面形成凹部图案，导入第三气体对所述硅基板进行灰化处理。
蚀刻方法

[发明专利]结构体的制造方法和液体排出头用基板的制造方法-CN201180005841.6有效
发明人：寺崎敦则;久保田雅彦;柬理亮二;福本能之 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2011-01-13 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种硅基板的加工方法，其包括：设置第一硅基板、第二硅基板和包括多个凹部的中间层的组合，所述中间层设置在第一硅基板和第二硅基板之间；在第一硅基板的与中间层的接合面相对的表面上，通过使用第一掩模，进行第一硅基板的蚀刻而形成贯通第一硅基板的第一贯通口，并露出对应于中间层的多个凹部的中间层部分；通过去除构成多个凹部的底部的部分而在中间层上形成多个开口；和借助使用在其上形成多个开口的中间层作为掩模，通过进行第二硅基板的第二蚀刻而形成贯通第二硅基板的第二贯通口
结构制造方法液体出头用基板

[发明专利]蚀刻液以及硅基板的表面粗糙化的方法-CN201610022693.3在审
发明人：陈嘉明;陈鹏宇;林文信;刘俊毅;王秋迪 -专利权人：绿能科技股份有限公司
申请日： 2016-01-14 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻液以及硅基板的表面粗糙化的方法，所述硅基板的表面粗糙化的方法包括以下步骤提供硅基板；使用蚀刻液对硅基板进行蚀刻，其中蚀刻液包括硝酸、氢氟酸以及硫酸；以及冲洗硅基板。本发明的蚀刻液有助于使硅基板的表面粗糙化以及移除损伤层。
蚀刻以及硅基板表面粗糙方法

[实用新型]一种微波多芯片组件的封装结构-CN201821995314.X有效
发明人：耿菲 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微波多芯片组件的封装结构，包括：第一TSV硅基板；第二TSV硅基板，所述第二TSV硅基板设置在所述第一TSV硅基板上方，且具有芯片埋置空腔；埋置芯片，所述埋置芯片设置在所述第二TSV硅基板的所述芯片埋置空腔中；TSV硅盖板，所述TSV盖板设置在所述第二TSV硅基板上方，且与所述第一TSV硅基板、所述第二TSV硅基板一起形成对所述埋置芯片的气密封装；表面器件，所述表面器件电连接至在所述TSV盖板的表面焊盘；以及外接焊球，所述外接焊球电连接至所述第一TSV硅基板的外接焊盘。
硅基板埋置芯片多芯片组件表面器件封装结构电连接盖板焊球空腔外接微波本实用新型表面焊盘气密封装外接焊盘硅盖板

[发明专利]贴合用基板的表面缺陷的评价方法-CN201780051581.3有效
发明人：佐藤一弥;桥本浩昌;西泽毅;堀江启贵 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明为一种贴合用基板的表面缺陷的评价方法，包含以下步骤：准备经镜面加工的单晶硅基板；检查经镜面加工的单晶硅基板的表面缺陷；于进行过单晶硅基板的缺陷检查的表面堆积多晶硅层；对经堆积有多晶硅层的单晶硅基板进行镜面倒角；研磨多晶硅层的表面；检查经研磨的多晶硅层的表面缺陷；以及比较检查单晶硅基板的表面缺陷的步骤中与检查多晶硅层的表面缺陷的步骤中所检测出的缺陷的坐标，以有无于同一位置的缺陷，对具有多晶硅层的单晶硅基板进行作为贴合用基板的良莠判定
贴合用基板表面缺陷评价方法

[实用新型]一种晶圆级硅基基板及其封装结构-CN202223331469.2有效
发明人：张燚 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶圆级硅基基板及其封装结构，所述晶圆级硅基基板包括：多个单基板，所述单基板包括：硅衬底；介质层，其布置在所述硅衬底的表面；多个硅通孔结构，其贯穿所述硅衬底和所述介质层；以及互连结构，其布置在所述介质层之上该基板以硅基材质为基础，相比与PCB基板和陶瓷基板，该基板具有更好的导热散热性能，可以运用于大功率或者高频的电子器件封装，该基板为晶圆级基板，在提高集成度的同时又可以缩小封装尺寸。
一种晶圆级硅基基板及其封装结构

[实用新型]一种探针基板组合件-CN202120064957.8有效
发明人：金鑫;严日东 -专利权人：铭针微机电（上海）股份有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G01R1/073 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种探针基板组合件，具体涉及探针基板领域，包括探针基板组合件包括排列部、加强基板、与加强基板的一表面连接的第一硅基板阵列以及固定于所述加强基板一表面边缘以包围第一硅基板阵列的第一排列导引部，所述第一硅基板阵列包括第一硅基板列和第二硅基板列，第一硅基板列和第二硅基板列分别由多个分割片排成一列连接在一起，即两个第一分割片、第二分割片b、第三分割片、第四分割片，本实用新型用于固定和排列探针的硅基板分割成多个分片，将其组合来扩大探针基板时，能够减小装配误差，同时改善平整度降低的问题。
一种探针组合

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN201210524717.7有效
发明人：片冈一郎;五十岚一也 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供具有质量优异的切割部分的半导体元件的制造方法，该方法使得切割所需的硅基板上的区域最小化，并且该方法防止在实施通过切片进行的切割时使用的切割水进入半导体元件。该半导体元件的制造方法包括：在硅基板上布置多个半导体元件部分以使其彼此相邻；使用树脂将硅基板与玻璃基板接合在一起；和在设置了树脂的区域中分别切割硅基板和玻璃基板，切割硅基板和玻璃基板包含：通过切片半切割硅基板；通过刻划切割玻璃基板；以及分割硅基板、玻璃基板和树脂。
半导体元件制造方法

[发明专利]保护超薄硅基板的结构和制备工艺-CN201510107918.0有效
发明人：张文奇;上官东恺;薛恺 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2015-03-11 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供一种保护超薄硅基板的结构的制备工艺，包括下述步骤：S1，提供一硅基板，在硅基板的正面制作正面结构，且在所述正面结构中开用于后续步骤划片的划片槽；S2，提供一载片晶圆，利用临时键合工艺将硅基板正面与载片晶圆进行键合，形成临时键合体；S3，对硅基板背面进行减薄；S4，在硅基板背面制作应力槽；S5，在硅基板背面对应于划片槽的位置制作分割槽；S6，在硅基板背面覆盖一层钝化保护层；钝化保护层的材料填充应力槽和分割槽；S7,将临时键合体拆键合；S8，利用硅基板正面结构中的划片槽和硅基板中的分割槽进行划片。本发明能够有效保护薄硅基板和其上面贴装的裸芯片免受冲击应力而产生损坏。
保护超薄硅基板结构制备工艺

[发明专利]一种硅基板集成有功能电路的LED表面贴装结构及其封装方法-CN201010243401.1无效
发明人：曾照明;肖国伟;陈海英;周玉刚;侯宇 -专利权人：晶科电子(广州)有限公司
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基板集成有功能电路的LED表面贴装结构，包括硅基板和LED芯片。所述硅基板的上表面为一平面无凹槽结构。一氧化层覆盖在硅基板的上表面，金属电极层设置在氧化层的上表面。金属电极层的上表面设置有金属凸点，LED芯片倒装在该硅基板上。在所述硅基板的下表面设置有二导电金属焊盘，所述导电金属焊盘与硅基板上表面的金属电极层通过设置在硅基板侧壁的金属引线电连接。一导热金属焊盘设置在LED芯片正下方对应的硅基板下表面。所述硅基板的上表面集成有LED所需的外围功能电路。本发明的结构具有散热效果好、体积小的优点，直接将LED的保护和驱动等功能电路集成在硅基板中，实现了晶圆级的大生产封装，使得封装和灯具成本降低。
一种硅基板集成功能电路 led 表面结构及其封装方法

[实用新型]一种硅基板集成有功能电路的LED表面贴装结构-CN201020279941.0有效
发明人：曾照明;肖国伟;陈海英;周玉刚;侯宇 -专利权人：晶科电子(广州)有限公司
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅基板集成有功能电路的LED表面贴装结构，包括硅基板和LED芯片。所述硅基板的上表面为一平面无凹槽结构。一氧化层覆盖在硅基板的上表面，金属电极层设置在氧化层的上表面。金属电极层的上表面设置有金属凸点，LED芯片倒装在该硅基板上。在所述硅基板的下表面设置有二导电金属焊盘，所述导电金属焊盘与硅基板上表面的金属电极层通过设置在硅基板侧壁的金属引线电连接。一导热金属焊盘设置在LED芯片正下方对应的硅基板下表面。所述硅基板的上表面集成有LED所需的外围功能电路。本实用新型的结构具有散热效果好、体积小的优点，直接将LED的保护和驱动等功能电路集成在硅基板中，实现了晶圆级的大生产封装，使得封装和灯具成本降低。
一种硅基板集成功能电路 led 表面结构

[发明专利]一种MEMS芯片低应力多孔阵列封装结构及封装方法-CN202210992757.8在审
发明人：商兴莲;凤瑞;宋金龙;解亚飞;周六辉 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS芯片低应力多孔阵列封装结构及封装方法，所述方法包括多孔阵列结构的硅基板的加工；所述基于多孔阵列结构的硅基板的加工包括以下步骤：准备单晶硅晶圆，底部刻隔离腔，顶部刻蚀多孔阵列结构，刻蚀划片槽，沿划片槽划片形成单个硅基板，本发明通过在硅基板底部刻蚀隔离腔，使得硅基板下表面与多孔阵列结构底面产生了台阶，通过环形粘胶固定在封装管壳底面上，既实现了机械固定又降低了硅基板的粘接应力。台阶可避免硅基板底面施胶过多溢出导致与多孔阵列结构底面粘连，且通过设置多孔阵列结构，使得产品在给MEMS芯片与硅基板提供足够强度的同时，又能释放封装管壳与硅基板之间的应力。
一种 mems 芯片应力多孔阵列封装结构方法

[发明专利]一种微陀螺仪及其加工制造方法-CN201210250559.0有效
发明人：孙博华;田晓丹;孙明;王琳;覃昭君;周源;邵长治;郭伟恒 -专利权人：水木智芯科技（北京）有限公司
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： G01C19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种体硅作为感应电极板和通道的微陀螺仪及其加工制造方法，包括硅衬底上基板（12）、硅衬底下基板（1）、可动结构层（8）以及引线，所述的微陀螺仪由体硅电容感应极板和体硅导电通道结构构成，所述的硅衬底上基板（12）和硅衬底下基板（1）之间采用键和连接结构，所述的引线为分布在硅衬底上基板（12）中间部位的第一金属互联窗口（18）和第二金属互联窗口（19），制造顺序分为，硅衬底下基板制造，下基板和可动层制造，硅衬底上基板制造，上下基板键和连接以及引线四部分，本发明工艺步骤少，便于控制，并且减少生产线金属沾污的次数。
一种陀螺仪及其加工制造方法