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[实用新型]硅通孔金属柱背面互联结构-CN201420517436.3有效
发明人：丁万春 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅通孔金属柱背面互联结构，包括：硅基板、锡球结构、多个硅通孔金属柱；所述硅通孔金属柱设置在所述硅基板中，并延伸至所述硅基板背面形成凸点；多个具有电连通关系的所述硅通孔金属柱对应的所述凸点在所述硅基板背面与一凸点下金属层连接本方案在硅通孔金属柱本体上，将露出硅基板背面的硅通孔金属柱作为凸点，在该凸点表面形成可焊接用的凸点下金属层，这种结构在外界压力下锡球焊点不易变形，产品性能稳定。
硅通孔金属背面联结

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板-CN201210029815.3有效
发明人：孙铭伟;赵志伟 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-09-19 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供一种薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括基板、多个多晶硅岛以及多个栅极。基板具有显示区、栅极驱动区以及源极驱动区。多晶硅岛配置于基板上，且各多晶硅岛具有源极区、漏极区以及位于源极区与漏极区之间的沟道区，多晶硅岛包括多个第一多晶硅岛以及多个第二多晶硅岛，其中第一多晶硅岛配置于显示区以及栅极驱动区内，第一多晶硅岛具有主晶界以及次晶界，且第一多晶硅岛的主晶界仅位于源极区及/或漏极区内。第二多晶硅岛配置于源极驱动区内，且第一多晶硅岛中的晶粒尺寸不同于第二多晶硅膜中的晶粒尺寸。栅极配置于基板上，且对应于沟道区。
薄膜晶体管阵列

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法-CN200810161502.7有效
发明人：孙铭伟;赵志伟 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-09-19 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，所述薄膜晶体管阵列基板包括基板、多个多晶硅岛以及多个栅极。基板具有显示区、栅极驱动区以及源极驱动区。多晶硅岛配置于基板上，且各多晶硅岛具有源极区、漏极区以及位于源极区与漏极区之间的沟道区，多晶硅岛包括多个第一多晶硅岛以及多个第二多晶硅岛，其中第一多晶硅岛配置于显示区以及栅极驱动区内，第一多晶硅岛具有主晶界以及次晶界，且第一多晶硅岛的主晶界仅位于源极区及/或漏极区内。第二多晶硅岛配置于源极驱动区内，且第一多晶硅岛中的晶粒尺寸不同于第二多晶硅膜中的晶粒尺寸。栅极配置于基板上，且对应于沟道区。
薄膜晶体管阵列及其制作方法

[发明专利]一种柔性显示器的制作方法-CN201410204555.8有效
发明人：苏长义;郑扬霖 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2014-05-15 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明适用于显示器领域，提供了一种柔性显示器的制作方法包括以下步骤：在刚性基板上形成一硅层；经由曝光制程及蚀刻制程将所述硅层做成框型硅层；在形成有框型硅层的刚性基板表面上贴附柔性基板；制作显示器件层于所述柔性基板上；在完成显示器件层后，对框型硅层进行脱氢处理，以使得所述柔性基板与所述框型硅层分开，从而得到柔性显示器。本发明可以避免柔性基板在分离工艺中损坏造成良率的问题。
一种柔性显示器制作方法

[发明专利]硅基板的洗净方法和太阳能电池的制造方法-CN201280003421.9有效
发明人：西本阳一郎;安永望;松田高好 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：包括：用含有金属离子的、氧化剂和氢氟酸的混合水溶液蚀刻硅基板的表面，在上述硅基板的表面形成多孔层的第1工序；用以氢氟酸和硝酸为主的混酸蚀刻上述多孔层的孔，在上述硅基板的表面形成纹理的第2工序；用碱药液蚀刻形成了上述纹理的硅基板的表面的第3工序；和用含有臭氧的水处理采用上述碱药液蚀刻的硅基板，在形成于该硅基板的上述孔的内部产生气泡，将上述孔的内部的金属和有机物的杂质除去的第4工序。
硅基板洗净方法太阳能电池制造

[发明专利]一种硅表面金属化方法-CN201710046807.2在审
发明人：孙旭东;惠宇;毕孝国;刘旭东 -专利权人：大连大学
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅表面金属化方法，在硅基板上均匀涂覆金属粉末，然后激光扫描烧结，硅基板表面完全金属化，形成硅覆金属板。本发明的硅基板与金属导电层之间不含有玻璃相和陶瓷相，从而保证了硅基板的导热性；同时，本发明为局部加热，因此工件整体其他部分处于常温状态，不影响破坏其他部分的功能；工艺简单，成本低。
一种表面金属化方法

[发明专利]微发光二极管装置及其制造方法-CN201880001628.X在审
发明人：陈右儒 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种制造微发光二极管(微LED)装置的方法，包括：形成第一基板，该第一基板包括第一硅层、第二硅层以及夹在第一硅层和第二硅层之间的氧化硅层；在第二硅层的远离氧化硅层的一侧形成多个微LED；将具有所述多个微LED的第一基板与第二基板接合；以及去除氧化硅层和第一硅层。
硅层第一基板氧化硅层微发光二极管第二基板接合去除制造

[实用新型]一种硅晶磊晶层、相关的晶硅基板结构及利用晶硅基板制造的硅晶太阳能电池结构-CN201120210726.X有效
发明人：张嘉甫;陈文泰 -专利权人：致嘉科技股份有限公司
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种硅晶磊晶层、相关的晶硅基板结构及利用晶硅基板制造的硅晶太阳能电池结构，其中硅晶磊晶层包括一晶硅基板以及一金属浆料，晶硅基板的厚度为120.0微米与220.0微米间，金属浆料印制覆盖晶硅基板的至少一个全表面，金属浆料印制覆盖的厚度范围为5.0微米与300.0微米间，金属浆料包括一第一金属微粒与一助剂，且在晶硅基板全表面形成一厚度为6.0微米以上的硅晶薄膜，晶硅基板的阻值规格为0.05Ω．㎝以上，硅晶薄膜的阻值规格为0.0001Ω．㎝与1.0Ω．而第一金属微粒的纯度是99.9%与99.9999%间，第一金属微粒的粒径范围为0.01微米与20.0微米间，第一金属微粒的重量百分比为70%与90%间，助剂的重量百分比为10%与30%间，第一金属微粒，是与硅晶能共溶的金属微粒
一种硅晶磊晶层相关晶硅基板结利用晶硅基板制造太阳能电池结构

[发明专利]结晶性硅系列半导体薄膜的制造方法-CN99126970.5无效
发明人：土本修平;田仲広久;緖方潔;桐村浩哉 -专利权人：夏普株式会社;日新电机株式会社
申请日： 1999-12-22 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明揭示一种结晶性硅系列半导体薄膜的制造方法，是在基板(S)上形成结晶性硅系列半导体薄膜，该方法包括在基板(S)附近至少形成包含硅系列气体的膜原料气体的等离子体(P)、并在基板(S)上形成硅主体的薄膜的工序；向基板(S)照射由激励粒子原料气体生成的激励粒子、使硅主体的薄膜的硅结晶化的工序，使膜原料气体和激励粒子原料气体的至少一种气体包含用于形成硅半导体的杂质气体，通过这样在基板(S)上形成结晶性硅系列半导体薄膜
结晶系列半导体薄膜制造方法

[发明专利]阵列基板的制备方法、装置及阵列基板-CN201811586415.6在审
发明人：杨凤云;卓恩宗 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：在衬底基板上形成栅极和栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上依次沉积形成至少两层非晶硅层，分别为第一非晶硅层和第二非晶硅层，其中，所述第一非晶硅层的沉积速率小于所述第二非晶硅层的沉积速率；在所述第二非晶硅层上依次沉积形成掺杂型非晶硅层和金属层，并图形化所述非晶硅层、所述掺杂型非晶硅层和所述金属层，以形成阵列基板。本发明还公开了一种阵列基板以及阵列基板的制备装置。本发明通过制备具有至少两层非晶硅层的主动开关阵列基板，改善了主动开关容易出现图像残留的问题。
非晶硅层阵列基板沉积制备栅极绝缘层主动开关掺杂型金属层两层衬底基板图像残留制备装置图形化

[发明专利]一种硅基液晶面板及其设计方法和制备方法-CN202110393513.3在审
发明人：夏高飞;宇磊磊;张宁峰;王华;高宇 -专利权人：西安中科微星光电科技有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基液晶面板及其设计方法和制备方法，通过获得硅基液晶面板的目标指标，并将所述目标指标分解的方式，分别对所述硅基液晶面板的上基板、下基板以及液晶盒分别进行设计，最后通过在上基板上蒸镀形成增透膜，并在下基板蒸镀形成高反膜的方式，综合实现对硅基液晶面板的光利用率的有效提升，以此提升使用所述硅基液晶面板的产品的光利用率，有利于增强硅基液晶面板的适用范围，而且本发明的所述硅基液晶面板的制备方在硅基板封装前进行镀膜处理，无需改变现有的硅基板的结构，制备方法简单，易于实现，有利于采用较低的生产成本获得具有更高光利用率的硅基液晶面板。
一种液晶面板及其设计方法制备

[发明专利]形成多晶硅薄膜的方法-CN200510098656.2有效
发明人：张启明;张荣芳;陈宏泽;翁得期 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2005-09-07 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成多晶硅薄膜的方法，包括：提供一基板，并在该基板上形成一非晶硅薄膜，然后感应数个涡电流，进而加热该基板，最后使该非晶硅薄膜形成多晶硅薄膜。
形成多晶薄膜方法

[发明专利]一种使用硅模具的气密封装方法-CN201811419034.9在审
发明人：韦荣;黄荣燕;朱锈杰;莫科伟 -专利权人：吉姆西半导体科技（无锡）有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种使用硅模具的气密封装方法，制作硅模具，所述硅模具正面具有凸台阵列，凸台之间的网格状凹槽形成模具型腔；在第一基板上旋涂热塑性材料，将硅模具正面用模压的方法压在带所述热塑性材料的第一基板上；或者采用压注的方法将硅模具正面和第一基板之间填满热塑性材料；待热塑性材料填满模具型腔后，将硅模具与第一基板分模，将完成模压的基板及进行清洗，去除第一基板和气密结构上的残留物，即在第一基板上形成了气密结构；将第二基板粘接在气密结构上即完成第一基板与第二基板间形成空腔的结构封装本发明的方案使用硅模具，不需要制作金属模具，减少工艺，大大降低了模具制造成本。
硅模具第一基板热塑性材料第二基板模具型腔气密封装气密结构填满模具制造成本网格状凹槽结构封装金属模具凸台阵列分模基板空腔上旋凸台压注粘接去除制作清洗

[实用新型]高像素影像传感芯片的晶圆级封装结构-CN201520320946.6有效
发明人：万里兮;项敏;翟玲玲;钱静娴;马力 -专利权人：华天科技（昆山）电子有限公司
申请日： 2015-05-18 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高像素影像传感芯片的晶圆级封装结构，包括影像传感芯片和硅基板，该影像传感芯片包括基底、感测区及位于感测区周边的若干焊垫；硅基板具有第一表平面及与其相对的第二表平面，硅基板的第二表平面粘贴于基底的第一表面，硅基板对应感测区位置设有贯通硅基板的开口，开口的底部暴露出该感测区；硅基板第一表面开口顶部固定有透光基板，透光基板具有平行或接近平行的两个表平面，透光基板的两个表平面平行或接近平行于感测区所在平面，开口侧壁与感测区所在平面不垂直该封装结构，降低了颗粒对感测区产生的影响，并降低了高像素影像传感芯片产生炫光、鬼影等的影响，仅一道刻蚀工艺即形成硅基板开口，封装工艺步骤简单。
像素影像传感芯片晶圆级封装结构

[发明专利]显示基板的制备方法、显示基板、显示面板和显示装置-CN202111616204.4在审
发明人：胡道兵 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本申请涉及一种显示基板的制备方法、显示基板、显示面板和显示装置。该显示基板的制备方法包括以下步骤：在基底层上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成非晶硅层，其中，所述非晶硅层包括所述显示区非晶硅层和所述驱动区非晶硅层；对所述驱动区非晶硅层进行退火形成低温多晶硅层。本申请的显示基板的制备方法将形成的非晶硅层分为显示区非晶硅层和驱动区非晶硅层，同时仅对驱动区非晶硅层进行退火形成低温多晶硅层，而不对显示区非晶硅层进行退火处理，故减少了对显示区非晶硅层进行退火处理的时间，因此提高了显示基板的生产效率与产能。
显示制备方法面板显示装置

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