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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]液体喷射装置-CN202110059734.7有效
发明人： 福本能之;樋口广志 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B41J2/21 文献下载
摘要：一种液体喷射装置，包括：至少一个墨盒，该墨盒能够从外部重新充装墨；液体喷射头，该液体喷射头构造成喷射从墨盒供给的墨；以及壳体，该壳体构造成在内部容纳墨盒和液体喷射头；其中，所述至少一个墨盒固定至形成壳体的多个表面当中的至少一个表面的壳体壁；以及形成墨盒的多个表面当中的附接于壳体壁的表面是墨盒的具有最大面积的表面和与具有最大面积的表面相对的表面中的任何一个。
液体喷射装置

[发明专利]液体喷出头、液体喷出头的制造方法和打印方法-CN201710377889.9有效
发明人：寺崎敦则;福本能之;宇山刚矢;安田建 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：液体喷出头、液体喷出头的制造方法和打印方法。一种液体喷出头，其包括：硅基板；以及元件，其用于产生喷出所述硅基板上的液体用的能量，其中，在所述硅基板的第一表面上布置有包含金属氧化物的保护层A，在所述保护层A上布置有包含有机树脂并且构成部分液体流路的结构体，并且在所述保护层A和所述结构体之间布置有包含硅化合物的中间层A。
液体喷出制造方法打印

[发明专利]液体排出头及其制造方法-CN201310123781.9有效
发明人：久保田雅彦;柬理亮二;冈野明彦;平本笃司;樱井将贵;福本能之 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2013-04-10 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： B41J2/16 文献下载
摘要：本发明涉及液体排出头及其制造方法。本发明的液体排出头的制造方法包括以下步骤：在基板的第一面上，在对应于形成独立供给口的区域的部分上形成蚀刻停止层；从第二面侧对所述基板进行干法蚀刻处理，直到被蚀刻的部分到达所述蚀刻停止层；并且在进行所述干法蚀刻处理之后，通过各向同性蚀刻去除所述蚀刻停止层以形成独立供给口，其中所述各向同性蚀刻是以在所述蚀刻停止层的侧面周围形成对所述各向同性蚀刻具有耐蚀刻性的侧部蚀刻阻止部的状态进行。
液体出头及其制造方法

[发明专利]结构体的制造方法和液体排出头用基板的制造方法-CN201180005841.6有效
发明人：寺崎敦则;久保田雅彦;柬理亮二;福本能之 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2011-01-13 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种硅基板的加工方法，其包括：设置第一硅基板、第二硅基板和包括多个凹部的中间层的组合，所述中间层设置在第一硅基板和第二硅基板之间；在第一硅基板的与中间层的接合面相对的表面上，通过使用第一掩模，进行第一硅基板的蚀刻而形成贯通第一硅基板的第一贯通口，并露出对应于中间层的多个凹部的中间层部分；通过去除构成多个凹部的底部的部分而在中间层上形成多个开口；和借助使用在其上形成多个开口的中间层作为掩模，通过进行第二硅基板的第二蚀刻而形成贯通第二硅基板的第二贯通口。
结构制造方法液体出头用基板

[发明专利]喷液装置和喷液方法-CN201080010557.3无效
发明人： 福本能之 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2010-03-02 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： B41J2/03 文献下载
摘要：一种喷液装置，包括：用于容纳要从液体罐供给的液体的液体室(3)，用于通过向液体室中的液体施加压力来喷出液滴的喷射口(1)，用于向液体室中的液体施加压力的施压单元，用于将液体保持在喷射口的大气侧以便用液体覆盖喷射口的液体保持结构(7)，以及用于去除保持在喷射口大气侧的液体的液体去除单元(2)。该液体去除单元控制从喷射口喷出液滴的定时。
装置方法

[发明专利]排放头和液滴排放装置-CN200910204461.X无效
发明人： 福本能之;小林雅也;杉田贤 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： A61M11/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于从排放端口排出液滴的排放头(10)，其能够承受高的水压并且设有具有第一排放端口(3a)的第一孔板(3)以及具有第二排放端口的第二孔板(6)。第一孔板(3)和第二孔板(6)沿着排放头(10)的液体排放方向彼此分开并且彼此相对地设置。第二孔板(6)的排放端口的直径比第一孔板(3)的排放端口(3a)的直径小，从而由于从第一孔板(3)的排放端口(3a)排出的液体被第二排放端口分裂，非常细小的液滴(9)从排放头(10)排出。本发明还提供了具有这种排放头的液滴排放装置和吸入器。
排放装置

[发明专利]吸入器-CN200910160193.6有效
发明人：杉田贤;小松博;和田弘行;福本能之 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2009-07-30 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： A61M11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种吸入器，具有作为整体部件的用于喷射药物的喷头和储器的盒，在其与吸入器主体接触的接头形成部分的下表面上具有电连接部分。当盒被放在吸入器主体中并且被盒固定件固定于吸入器主体时，盒的电连接部分与设置在吸入器主体的盒安装部分的顶表面上的电连接部分接触，以形成盒和吸入器主体之间的电连接。
吸入

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200780047805.X无效
发明人：植木诚;山本博规;林喜宏;伊藤文则;福本能之 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2007-12-20 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明旨在抑制布线可靠性的劣化并降低布线的有效介电常数。具体公开了一种半导体装置，其中含铜布线覆盖有阻挡绝缘膜，所述阻挡绝缘膜包括含不饱和烃和无定形碳的有机二氧化硅组分。即，所述含铜布线被阻挡绝缘膜覆盖，所述阻挡绝缘膜具有含不饱和烃和无定形碳的有机二氧化硅结构。因此，降低了布线间的电容而不会劣化所述含铜布线的可靠性，从而实现了具有低功率消耗的高速LSI。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]包括分层铁磁结构的磁阻器件及制造该磁阻器件的方法-CN200610008529.3有效
发明人： 福本能之;五十岚忠二 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2006-02-16 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：公开了一种包括分层铁磁结构的磁阻器件及制造该磁阻器件的方法，该分层铁磁结构包括：位于衬底上方的第一铁磁层(11)；位于第一铁磁层(11)上方的第二铁磁层(13)；以及位于第一和第二铁磁层(11、13)之间的第一非磁层(12)。第一铁磁层(11)的顶表面和第一非磁层(12)接触。第一铁磁层(11)包括第一取向控制缓冲器(22)，该第一取向控制缓冲器(22)表现出提高它上面形成的膜的结晶取向的作用。
包括分层结构磁阻器件制造方法

[发明专利]磁隧道元件及使用其的磁存储器-CN200380106155.3无效
发明人： 福本能之;志村健一;上条敦 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2003-12-16 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁阻抗器件，具备反强磁性层(5)、固定强磁性层(20)、隧道绝缘层(9)、和自由强磁性层(21)。固定强磁性层(20)被接合于反强磁性层(5)上，具有固定自发磁化。隧道绝缘层(9)被接合于固定强磁性层(20)上，是非磁性。自由强磁性层(21)被接合于隧道绝缘层(9)上，具有可反转的自由自发磁化。固定强磁性层(20)具备防止构成反强磁性层(5)的材料的至少一种扩散到隧道绝缘层(9)之第1复合磁性层(6)。
隧道元件使用磁存储器

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