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[发明专利]折叠式硅-铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法-CN201910715011.0在审
发明人：陈朋鑫;蔡浚明;刘柳;胡金耀 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明公开了一种折叠式硅‑铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法，包括硅基输入波导，硅基光分路器，硅‑铌酸锂波导耦合结构，第一条波导臂，第二条波导臂，硅基光合路器，硅基输出波导，硅基波导交叉结构，三个电极；其中第一条波导臂、第二条波导臂均包括硅‑铌酸锂波导耦合结构及两条以上铌酸锂波导；第一条波导臂、第二条波导臂还包括硅基弯曲波导，硅基交叉结构；在光路转弯前铌酸锂光波导中的光通过硅‑铌酸锂波导耦合结构从铌酸锂波导中耦合到硅基光波导中，在硅基波导中实现光路的转弯，并通过与硅基弯曲波导相连接的硅基交叉结构实现光路在波导中的转换，本发明有利于实现调制器的小型化。
硅基波导臂铌酸锂波导交叉结构耦合结构光路硅基波导弯曲波导转弯铌酸锂光波导电光调制器硅基光波导光分路器光合路器混合集成输出波导输入波导调制器折叠式铌酸锂耦合到电极波导制备转换

[发明专利]低铌品位铁矿粉直接还原-直接合金化回收利用铌的方法-CN201110098823.9无效
发明人：李保卫;姜银举;赵增武;徐掌印 -专利权人：内蒙古科技大学
申请日： 2011-04-12 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： C21B13/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种低铌品位铁矿粉直接还原-直接合金化回收利用铌的方法，低铌品位铁矿粉采用气基或煤基直接还原的方法，选择性还原其中铁、磷的氧化物，得到海绵铁；海绵铁高温渣金熔分，分离磷铁，得到富铌渣；富铌渣采用直接合金化法得到铌微合金钢，即富铌渣加入钢液表面，使其中铌氧化物发生还原，铌进入钢液。直接合金化过程，还原铌氧化物的还原剂，可以是钢液中的碳、硅等元素，也可以是另外加入的硅、铝、硅合金、铝合金。低铌品位铁矿粉通过直接还原-直接合金化的方法，使其中铌得到回收利用，副产品磷铁也可得到利用。
品位铁矿直接还原合金回收利用方法

[发明专利]硅化铌基涡轮部件及有关的激光沉积方法-CN200610101615.9无效
发明人： B·P·布莱;M·N·阿泽尔;L·克雷特尼;A·M·里特;C·D·杨 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2006-06-30 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： F01D5/28 文献下载
摘要：描述了一种用硅化铌基成分制成的涡轮部件(10)。部件(10)可以通过其结构的至少一部分在成分上逐渐变化。也描述了一种用包括硅化铌合金的成分制成的涡轮叶片(10)。在至少一部分涡轮叶片(10)中的硅化铌合金在成分上不同于另一部分叶片中的硅化铌合金。也描述了利用激光包层技术制造一个硅化铌基的涡轮部件的工艺。在该申请中也提出了修理方法。
硅化铌基涡轮部件有关激光沉积方法

[发明专利]硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列-CN201910410956.1在审
发明人：邹卫文;徐绍夫;王静;陈建平 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：一种大规模硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列。通过结构设计减少了铌酸锂晶体层的制备工艺难度，降低了铌酸锂与硅粘接的精度要求，并且可以一次性同时完成大规模阵列式铌酸锂晶体层的制备和粘接，大幅提升了硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列的生产效率；通过对硅晶体层进行结构上的设计和优化，使得光可以在硅波导和铌酸锂波导中自然交替和互传，实现了高性能的铌酸锂薄膜电光调制效应。此外，该方法利用了标准化的硅基集成技术成熟度优势，将复杂的芯片制备工艺集中在硅晶体层，从而减小芯片制作过程中的工艺误差，保证了整个硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列的性能稳定性。
铌酸锂薄膜电光调制器硅基铌酸锂晶体硅晶体层粘接芯片制作过程大规模阵列技术成熟度设计和优化性能稳定性铌酸锂波导电光调制工艺误差硅基集成精度要求生产效率芯片制备制备工艺硅波导一次性铌酸锂互传减小制备标准化保证

[发明专利]硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列集成的方法-CN201910410940.0有效
发明人：邹卫文;徐绍夫;王静;陈建平 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G02B6/132 文献下载
摘要：本发明的目的在于针对现有技术的不足，提出一种大规模的硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列的集成方法。利用该方法减少了铌酸锂晶体层的制备工艺难度，降低了铌酸锂与硅粘接的精度要求，并且可以一次性同时完成大规模阵列式铌酸锂晶体层的制备和粘接，大幅提升了硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列的生产效率；通过对硅晶体层进行结构上的设计和优化，使得光可以在硅波导和铌酸锂波导中自然交替和互传，实现了高性能的铌酸锂薄膜电光调制效应。此外，该方法利用了标准化的硅基集成技术成熟度优势，将复杂的芯片制备工艺集中在硅晶体层，从而减小芯片制作过程中的工艺误差，保证了整个硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列的性能稳定性。
硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列集成方法

[发明专利]一种具有铌酸锂/铌基氧化物/硅复合负极材料及其制备和应用-CN201810721769.0有效
发明人：文钟晟;王冠琴;尹金鹏;崔立英;李嵩;孙俊才;季世军 -专利权人：大连海事大学
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有铌酸锂/铌基氧化物/硅复合负极材料及其制备和应用，所述具有铌酸锂/铌基氧化物/硅复合负极材料包括硅活性中心和均匀包覆在硅活性中心表面的铌酸锂/铌基氧化物混合壳层。本发明提供的具有铌酸锂/铌基氧化物/硅复合负极材料，铌酸锂作为快离子导体，不仅有效地保证了常温甚至高温状态下锂离子的快速传输，而且其与铌基氧化物的协同共混作用，有利于硅在电化学反应过程中的结构、表面稳定性，因此，铌酸锂/铌基氧化物混合壳层可作为应力缓冲层、离子导电层和表面稳定层，使具有铌酸锂/铌基氧化物/硅复合负极材料不仅具有高的首次库伦效率，而且还具有良好的电化学循环稳定性能。
一种具有铌酸锂氧化物复合负极材料及其制备应用

[发明专利]一种铌酸钛硅基复合材料及其制备方法和应用-CN202211704142.7在审
发明人：刘忆恩 -专利权人：山西沃特海默新材料科技股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及锂离子电池材料领域，具体涉及一种铌酸钛硅基复合材料及其制备方法和应用。本发明提供的一种铌酸钛硅基复合材料的制备方法，包括：1)将钛源、铌源、有机铈化合物等混合后，通过静电纺丝得到含铌钛铈的碳纤维材料；2)将羧酸化纳米硅、硅烷偶联剂和有机溶剂、含铌钛铈的碳纤维材料和碱液后反应，得到铌钛铈硅基的碳纤维材料；3)得到的铌钛铈硅基的碳纤维材料分别在改性气体氛围和碳源气体氛围下进行加热，得到所述铌酸钛硅基复合材料。通过本发明方法获得的铌酸钛硅基复合材料可有效降低材料的膨胀性，提升材料的离子电导率以及电池的比容量和首次效率，同时本发明获得的材料还具有优异的保液率、吸液速率以及循环性能。
一种铌酸钛硅基复合材料及其制备方法应用

[发明专利]定向凝固铌硅基合金的热处理方法-CN201210238131.4有效
发明人：李玉龙;张燕;朱鸥;雷力明;石随林 -专利权人：中航商用航空发动机有限责任公司
申请日： 2012-07-10 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C22F1/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种定向凝固铌硅基合金的热处理方法，属于合金热处理技术领域。该定向凝固铌硅基合金的热处理方法，包括如下步骤：1）将定向凝固铌硅基合金置于惰性气体环境下加热到1750～1850℃，并保温5～20小时；2）随炉冷却降温到1000～1700℃，保温2～10小时。该热处理工艺在保持合金强度需求（强度下降幅度不大）的情况下显著细化了定向凝固铌硅基合金的晶粒尺寸，断裂韧性提高约一倍，因而该工艺优化了铌硅基合金的综合力学性能。
定向凝固铌硅基合金热处理方法

[发明专利]一种硅锗合金基热电元件及其制备方法-CN201610209315.6有效
发明人：吴洁华;夏绪贵;杨小燕;顾明;陈立东 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅锗合金基热电元件及其制备方法，所述硅锗合金基热电元件由电极层、硅锗合金基热电层以及位于电极层和硅锗合金基热电层之间的阻挡层组成，所述阻挡层为硅化物与氮化硅的混合物，所述硅化物为硅化钼、硅化钨、硅化钴、硅化镍、硅化铌、硅化锆、硅化钽、硅化铪中的至少一种。本发明提供的硅锗合金基热电元件中各界面结合良好，界面处未见裂纹与明显的扩散现象存在，接触电阻小，热接触状态好，且能够经受长时间的高温加速试验。
一种合金热电元件及其制备方法

[发明专利]一种多轴一体化光纤陀螺仪用混合集成光学器件-CN202210930027.5有效
发明人：段启航;徐金涛;刘尚波;范建强;李楼;王嘉;杨一凤;王辉 -专利权人：西安中科华芯测控有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01C19/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种多轴一体化光纤陀螺仪用混合集成光学器件，涉及陀螺仪领域。包括壳体，壳体内设置有硅基光波导芯片，硅基光波导芯片上设置有若干平行的U形波导，且若干U形波导的输入端通过分束器连接有公共输入保偏光纤；硅基光波导芯片的输出端连接有铌酸锂芯片；铌酸锂芯片上设置有与U形波导数量对应的若干本发明通过硅基光波导芯片、铌酸锂芯片以及信号转接板等光学器件封装在一个壳体内，将光纤陀螺仪的光学器件整合，有效减少体积和重量，从而满足小型化、轻量化系统的使用需求。
一种一体化光纤陀螺仪混合集成光学器件

[发明专利]一种硅基铌酸锂高速光调制器及其制备方法-CN201710255559.2在审
发明人：李萍;范宝泉;刘丹;姜绍志 -专利权人：天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基铌酸锂高速光调制器及其制备方法，调制器包括：硅基底晶片、二氧化硅下包层、铌酸锂薄膜、光学波导、金属电极、硅V形槽、耦合光纤，二氧化硅下包层位于硅基底晶片的上表面；铌酸锂薄膜位于二氧化硅下包层之上本发明的有益效果为：(1)实现了铌酸锂单晶晶体与硅单晶晶体的异质集成；(2)铌酸锂晶片的薄膜化，以及二氧化硅下包层的低介电常数、低介电损耗等特性，可实现铌酸锂光调制器的调制速率(或调制带宽)的提升；(3)铌酸锂晶片的薄膜化，以及二氧化硅下包层的高绝缘性，可实现分布于铌酸锂薄膜中的微波电磁场强度的增加，提高电场对光场的调制效率，降低器件的驱动电压。
二氧化硅下包层硅基铌酸锂薄膜调制器铌酸锂晶片薄膜化高速光铌酸锂晶片制备铌酸锂光调制器低介电常数低介电损耗微波电磁场铌酸锂单晶调制带宽调制效率高绝缘性光学波导降低器件金属电极驱动电压耦合光纤电场硅V形槽硅单晶晶体的上表面异质调制

[发明专利]一种d33-CN202210275930.2在审
发明人：丑修建;耿文平;魏慧芬;张慧毅;侯晓娟;何剑;穆继亮 -专利权人：中北大学
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L41/316 文献下载
摘要：本申请提供了一种d33模式铁电单晶薄膜压电振动传感器及其制备方法，通过将铌酸锂与带有氧化层的硅基底键合，再依次进行减薄、化学机械抛光和清洗，得到铌酸锂单晶薄膜；在铌酸锂铁电单晶薄膜表面利用溅射刻蚀法制备对准标记，在其表面采用溅射剥离法制备表面电极，并刻蚀铌酸锂单晶薄膜使其图形化，最后在硅基底正面形成质量块和悬臂，并从硅基背面对其进行释放制得产物。本申请的制备方法可将铁电单晶铌酸锂薄膜与带氧化层的硅基很好键合，并完成了宽频带、高电压输出的元器件的制备，工艺可行性和重复率高。
一种 base sub 33

[发明专利]一种硅基@钛铌氧化物核壳结构的负极材料及其制备方法-CN202010347860.8有效
发明人：李敏;柳盼盼;陈得强 -专利权人：苏州宇豪纳米材料有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及锂离子电池技术领域，提供了一种硅基@钛铌氧化物核壳结构的负极材料及其制备方法，是以钛源和铌源为包覆层原料，通过砂磨机将两者制备成纳米悬浊液，然后将纳微米级硅基颗粒均匀分散在上述悬浊液中；再通过低温快速干燥技术造粒，最后经过特定高温锻造处理即可得到颗粒形貌良好粒径分布均匀的由纳米钛铌氧化物包覆的硅基负极材料。钛铌氧化物作为包覆层，一方面本身具有较高的容量；另一方面作为包覆层既可以抑制硅基材料在锂离子脱嵌中引起的体积膨胀，又可避免硅基颗粒与电解液直接接触，有利于形成稳定的SEI膜，提高材料的首效和倍率及循环稳定性；本发明方法环保无污染，简单易实现，可产业化。
一种氧化物结构负极材料及其制备方法

[发明专利]一种集抗氧化和阻界面扩散于一体的复合防护涂层及其制备方法-CN202110132652.0有效
发明人：颜建辉;李茂键;康蓉 -专利权人：湖南科技大学
申请日： 2021-01-31 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明的复合防护涂层包括中间的高熵合金阻扩散层和最外面的二硅化钼抗氧化层，其制备方法包括高熵合金粉末的制备、铌基表面高熵合金阻扩散中间层的制备和高熵合金阻扩散层表面二硅化钼高温抗氧化涂层的制备。本发明的复合防护涂层应用于提高铌基合金的高温抗氧化性能以及阻止铌基和抗氧化涂层之间的扩散，延长涂层的服役寿命，具有优越的高温抗氧化性能和阻止界面元素互扩散的能力。
一种氧化界面扩散一体复合防护涂层及其制备方法

[发明专利]硅化铌基复合材料以及使用其的高温部件和高温热机-CN201580001407.9有效
发明人：王玉艇 -专利权人：三菱日立电力系统株式会社
申请日： 2015-05-25 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： C22C27/02 文献下载
摘要：本发明提供在超高温区域(1200℃以上)中以高水平兼顾机械特性和韧性的硅化铌基复合材料、以及使用其的高温部件和高温热机。本发明所涉及的硅化铌基复合材料的特征在于，含有Si：13～23at％，Cr：2.0～10at％，Ti：5.0～23at％，Al：0.0～6.0at％，Zr：0.10～8.0at％，Hf：1.0～8.0at
硅化铌基复合材料以及使用高温部件热机

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