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[发明专利]利用有机材质形成金属硅化物保护电路的方法-CN01125074.7有效
发明人：蔡信宜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2001-08-06 - 公布日： 2003-03-05 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明揭示一种利用有机材质形成金属硅化物保护电路的方法，所述方法包括首先在周边电路区的闸极元件与存储阵列的闸极元件上同时形成一阻障层；接着，形成一有机层于前述结构上；移除有机层与阻障层直到曝露存储阵列的闸极元件与周边电路区的闸极元件的表面为止；随后，通过灰化制程去除剩余的有机层；形成一光阻层于存储阵列上；接着，蚀刻阻障层直到曝露底材表面为止；以及在移除光阻层之后，进行一金属硅化物制程。
利用有机材质形成金属硅保护电路方法

[发明专利]半导体元件的制备方法-CN202110832180.X在审
发明人：卢立翰 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该制备方法包括在一半导体基底上形成一第一介电层，形成一阻挡层以及贯穿该第一介电层并且设置在一单元区中的一第一下金属插塞，该第一下金属插塞被该阻挡层所包围，在该第一介电层、该阻挡层以及该第一下金属插塞上沉积一硅层，在形成该硅层之后执行一自对准硅化物制程以在该第一下金属插塞上形成一内硅化物部分以及在该阻挡层上形成一外硅化物部分，该内硅化物部分被该外硅化物部分所包围，并且形成一凹陷在该内硅化物部分上。
半导体元件制备方法

[发明专利]混合模式制程-CN02146218.6有效
发明人：蔡庆辉 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-10-16 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种混合模式制程，通过蚀刻一基底表面堆叠的一第一多晶硅层、一多晶金属硅化物层与一第一多晶硅间氧化层，形成一栅极与一下电极结构，再沉积一第二多晶硅间氧化层与一第二多晶硅层，并将其蚀刻成一导线与一上电极，最后利用侧壁子以及离子布植和自行对准金属硅化物等制程，以于该基底表面完成导线、MOS晶体管以及电容的混合模式制程；本发明将导线、MOS晶体管与该容结构以最少的步骤制作于硅基底表面，故可以达到提升制程效率的目的；本发明的制作方法可应用于高积集度的集成电路的半导体产品的生产
混合模式

[发明专利]用于掩埋的导电层的硅化沟槽接触-CN200980144969.3有效
发明人： D·D·库尔鲍;J·B·约翰逊;P·J·林德格伦;刘学锋;J·S·纳科斯;B·A·奥尔纳;R·M·拉塞尔;D·C·谢里丹 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2009-10-27 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种沟槽接触硅化物(78)被形成在接触沟槽的内壁上，所述接触沟槽到达半导体衬底(8)中的掩埋的导电层(30)以降低透穿件结构的寄生电阻。所述沟槽接触硅化物(78)被形成在所述沟槽的底部处、侧壁上以及所述半导体衬底(8)的顶表面的一部分上。所述沟槽随后以中段制程(MOL)电介质加以填充。接触过孔(98)被形成在所述沟槽接触硅化物(78)上。所述沟槽接触硅化物(78)可经由与金属层的单一硅化反应或经由与多个金属层的多个硅化反应而形成。
用于掩埋导电沟槽接触

[发明专利]栅极结构及方法-CN201010507407.5无效
发明人：陈瑜;熊涛;罗啸 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-10-14 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极结构及方法；包括：衬底，在衬底上有氧化层，在氧化层上有多晶硅，在多晶硅的栅极上有金属硅化物；在金属硅化物上有氮化物。本发明和一般的上层有阻挡层的栅极相比，这种栅极结构也可以一样使用在这些特殊制程中；而且因为栅极上有金属硅化物，因此栅极电阻和栅极接触电阻都能被有效减小，这样可以降低栅极延时，优化器件的频率特性。
栅极结构方法

[发明专利]形成具有涂层的结构的方法及具有涂层的结构-CN202110563907.9有效
发明人：刘全璞;郑尹玮;王时安;彭柏良;陈俊宏;黄俊翰;李奕锠 -专利权人：成宏能源股份有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B05D7/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成具有涂层的结构的方法及具有涂层的结构，该方法包括：提供基底；涂布流体至基底的表面，其中流体包括载体及多个含硅纳米颗粒；以及施行加热制程，以去除载体，并且将些含硅纳米颗粒转换成含硅层、金属硅化物层、或包括含硅层及金属硅化物层的堆栈层。该结构包括：一基底，包括多个沟槽，其中各该沟槽的深宽比大于2；一含硅层，填满该些沟槽；以及一金属硅化物层，延伸设置于该基底和该含硅层之间，且该金属硅化物层覆盖住各该沟槽的内壁。
形成具有涂层结构方法

[发明专利]反熔丝型存储器组件的结构与制造方法-CN200410059427.5有效
发明人：林智明;汪坤发;刘家成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-06-18 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：其后，形成一硅层于该金属层上并使该金属层与部分该硅层反应以形成一金属硅化物层且未被反应的硅层做为第一型导电层。接下来，形成一反熔丝层于该第一型导电层上。图形化该第一型导电层、金属硅化物层、反熔丝层以形成字符线并形成一第二型导电层于该反熔丝层上，最后图形化该第二型导电层以形成位线。本发明可以减少多晶硅的沉积步骤，以简化形成金属硅化物的制程，缩减制程时间，减低制造成本及减少传导层的总体阻质。
反熔丝型存储器组件结构制造方法

[发明专利]PMOS器件自对准硅化物阻挡膜制程方法-CN200910200985.1无效
发明人：赵林林;张力群 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明公开了一种PMOS器件自对准硅化物阻挡膜SAB制程方法，应用于覆盖非自对准金属硅化物器件的制程中，该方法包括：在半导体衬底上定义有源区和隔离区；在有源区的表面依次形成栅氧化层、多晶硅栅极，以及位于栅氧化层和多晶硅栅极两侧的侧壁层该方法有效防止在PMOS器件SAB膜表面出现bubble defect，及金属硅化物U型缺陷。
pmos 器件对准硅化物阻挡膜制程方法

[发明专利]一种改善自对准硅化物阻挡层台阶效应的刻蚀方法-CN201310157273.2有效
发明人：李程;吴敏;杨渝书;秦伟;黄海辉;高慧慧 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-05-02 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种在半导体器件层上改善自对准硅化物阻挡层台阶效应的刻蚀方法，该自对准硅化物阻挡层为氧化硅型，包含预处理和主刻蚀两个过程，预处理过程包括：形成具有各向同性刻蚀能力的等离子体；利用具有各向同性刻蚀能力的等离子体对自对准硅化物阻挡层的台阶区域的顶部进行选择性刻蚀；主刻蚀过程包括：形成具有各向异性刻蚀能力的等离子体；利用具有各向异性刻蚀能力的等离子体对自对准硅化物阻挡层的台阶区域的顶部、侧壁和底部进行近似同步的等速率刻蚀。本发明的刻蚀方法，可以有效去除自对准硅化物阻挡层的台阶效应，实现自对准硅化物阻挡层的均匀覆盖，以降低后续制程去除自对准硅化物阻挡层的难度。
一种改善对准硅化物阻挡台阶效应刻蚀方法

[发明专利]可改善接面电性特性的自行对准金属硅化物的制造方法-CN02145875.8无效
发明人：高荣正 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2002-10-16 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明公开一种可改善接面电性特性的自行对准金属硅化物的制造方法，其是在一半导体基底上形成隔离区域、栅极结构、轻掺杂源/漏极区域与门极间隙壁之后；先于半导体基底上形成有金属层，然后进行一高浓度的离子布植，以形成重掺杂源/漏极区域；之后再进行自行对准金属硅化物的制程步骤。本发明是可应用在小于次微米尺寸的半导体组件中，并同时可有效改善金属硅化物与浅接面的电性特性。
改善接面电性特性自行对准金属硅制造方法

[发明专利]一种去除NiPt金属硅化物的方法-CN201110138148.8有效
发明人：徐友峰;戴树刚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-05-26 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明一般涉及一种湿法蚀刻领域，更确切的说，本发明涉及一种去除NiPt金属硅化物的方法。本发明通过采用HNO3，HCl和HF的混合试剂去除快速热退火制程中使用过的晶片上的NiPt金属硅化物层及多晶硅薄膜，经RCA清洗后，晶片可以重新淀积薄膜进行重复利用，能有效的节约成本和资源。
一种去除 nipt 金属硅方法

[发明专利]可避免短路的自行对准金属硅化物制程的处理方法-CN200310108056.0无效
发明人：金平中;张有志 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2003-10-21 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供一种可避免短路的自行对准金属硅化物制程的处理方法，可应用于一半导体结构上，包含半导体结构的表面，该表面具有一导电区域与一绝缘区域，并在其中形成一保护结构，例如布植硅或锗，或是沉积一钛薄层，以避免自然氧化层的形成，之后再在所述导电区域上形成一金属硅化物。
避免短路自行对准金属硅化物制程处理方法

[发明专利]形成金属硅化物的方法-CN200310103321.6有效
发明人：杜安群;黄振铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-10-28 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供一种自我对准金属硅化物的制造方法，其步骤为：于一硅基板上形成一复晶硅闸极结构，尚且形成一源极与一汲极于该闸极结构两侧的硅基板上。之后，进行一第一热制程使该金属层与复晶硅闸极结构、源极及汲极上进行硅化反应以形成金属硅化物；然后，进行选择性蚀刻移除未与硅反应的该金属层；以及进行一第二热制程以降低半导体组件的电阻率。
形成金属硅方法

[发明专利]制作半导体结构的方法-CN201910085896.0在审
发明人：张正伟;林钰庭;洪敏修;赵翊翔;林高峰;黄鸿仪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：以第一化学气相沉积制程沉积钛硅化物层于源极/漏极区上。第一化学气相沉积制程包括第一氢气流。方法亦包括以第二化学气相沉积制程沉积氮化钛层于绝缘结构上。第二化学气相沉积制程包括第二氢气流。第一化学气相沉积制程与第二化学气相沉积制程在单一的反应腔室中进行，且第一氢气流的流速大于第二氢气流的流速。
化学气相沉积制程氢气流源极/漏极区绝缘结构栅极结构沉积氮化钛层半导体结构钛硅化物层反应腔室沉积基板制作

[发明专利]高量子效率的影像传感器及其制造方法-CN200410078352.5有效
发明人：杨敦年;伍寿国;钱河清;曾建贤;林政贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-09-23 - 公布日： 2005-04-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种高量子效率的影像传感器的制造方法，其是于利用无边界接触窗制程与互补式金氧半晶体管制程结合的制程进行影像传感器的制造时，于进行自动对准金属硅化物制程之后，且于形成氮化硅或氮氧化硅停止层之前，进行一道微影蚀刻制程，此微影蚀刻制程是用于移除感光区的浅沟槽隔离结构，使感光二极管上方的迭层结构的折射系数由上而下依序递增。
量子效率影像传感器及其制造方法