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[发明专利]用ICP光谱仪测定高硅低合金钢中多元素含量的方法-CN201310376767.X有效
发明人：关宁昕;张桂芬;曹昆武 -专利权人：核工业理化工程研究院
申请日： 2013-08-26 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： G01N21/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种用ICP光谱仪测定高硅低合金钢中多元素含量的方法，包括以下步骤：（i）用被测试样制备试样溶液；（ⅱ）用高纯铁、硝酸溶液和硅、锰、镍、铬、铜元素的国家标准溶液制备工作曲线溶液；（ⅲ）光谱测定：利用ICP光谱仪，选择硅、锰、镍、铬、铜元素的最佳分析谱线，依次测定工作曲线溶液中各元素的光谱强度，并绘制各元素的工作曲线，测定试样溶液中硅、锰、镍、铬、铜元素的光谱强度，由工作曲线得出各元素含量。本发明可实现高硅低合金钢（硅元素重量百分含量为1.03%～1.97%）中高硅含量的测定，并可同时测定硅、锰、镍、铬、铜的含量，操作简便、分析速度快、精确度高。
icp 光谱仪测定低合金钢多元含量方法

[发明专利]多晶硅薄膜的制造方法、多晶硅薄膜以及声学传感器-CN201910487384.7在审
发明人：吴健兴;钟晓辉;吴伟昌;黎家健 -专利权人：瑞声科技（新加坡）有限公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅薄膜的制造方法、多晶硅薄膜以及声学传感器，其中，多晶硅薄膜的制造方法包括：提供基材，基材包括基片和与基片层叠设置的多晶硅基膜；在多晶硅基膜中非原位掺杂硼元素、磷元素和砷元素中的一种制得多晶硅薄膜半成品；对多晶硅薄膜半成品进行热激活后退火制得多晶硅薄膜。本发明提供的多晶硅薄膜的制造方法通过在多晶硅基膜中非原位掺杂硼元素、磷元素和砷元素中的一种，并对多晶硅薄膜半成品进行热激活，制得的多晶硅薄膜的晶粒的生长和均匀性好，可以有效降低多晶硅薄膜表面的粗糙度，同时由该方法制得的多晶硅薄膜具有较优的机械强度
多晶硅薄膜多晶硅基膜半成品声学传感器原位掺杂磷元素硼元素热激活砷元素基材制造多晶硅薄膜表面机械强度要求层叠设置均匀性好晶粒粗糙度后退火成活率吹气生长

[发明专利]一种在异质结双极型晶体管的基区中抑制硼扩散的方法-CN200910199451.1有效
发明人：孙涛;陈乐乐;曼纽拉·奈耶尔 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-11-26 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供一种一种在异质结双极型晶体管的基区中抑制硼元素扩散的方法，所述方法包括：在硅衬底上生长基区的缓冲硅层，锗硅层和单晶硅层时，不是在所述锗硅层进行原位掺杂杂质元素硼元素，而是在生长完基区的缓冲硅层，锗硅层和单晶硅层之后，对所述锗硅层进行二氟化硼元素的离子注入。
一种异质结双极型晶体管基区中抑制扩散方法

[发明专利]识别热液铀矿的成矿硅质脉的方法-CN202211276118.8在审
发明人：李子颖;聂江涛;刘军港;赵宇霆;郭建;马永胜;司志发;修晓茜 -专利权人：核工业北京地质研究院
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G01V9/00 文献下载
摘要：本申请涉及借助地质体的物理、化学性质来分析地质体的方法，具体涉及一种识别热液铀矿的成矿硅质脉的方法，包括：确定硅质脉发育区；在硅质脉发育区中采集多个硅质脉样本；分别确定每个硅质脉样本的元素含量；基于多个硅质脉样本的元素含量确定硅质脉样本中的铀相关元素；基于元素含量和铀相关元素识别成矿硅质脉。根据本申请实施例的识别热液铀矿的成矿硅质脉的方法能够有效地识别出硅质脉中的成矿硅质脉。本申请还涉及一种圈定勘查区中的热液铀矿远景区的方法。
识别热液铀矿成矿硅质脉方法

[发明专利]一种硅锆合金中硅、锆元素的分析方法-CN201911314634.3在审
发明人：刘淑香;赵宇;姚旭;于建华;高蕾;赵海珍 -专利权人：天津华勘商品检验有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G01N5/04 文献下载
摘要：本发明是一种硅锆合金中硅、锆元素的分析方法，具体步骤为：(1)硅锆合金中硅元素的分析：S1、试样处理方法；S2、计算试样中硅元素的含量；S3、精密度试验；(2)硅锆合金中锆元素的分析：P1、试样处理方法；P2、计算试样中锆元素的含量；P3、精密度试验。本发明解决了硅锆合金中硅与锆分析检测中所遇到的各种问题，是一种稳定准确的分析方法，形成了一套较理想的检验测试标准，填补业内相关方法的长期空缺。
一种合金元素分析方法

[实用新型]一种晶硅太阳能电池-CN201520878095.7有效
发明人：方结彬;秦崇德;石强;黄玉平;何达能;陈刚 -专利权人：广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2015-11-04 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶硅太阳能电池，所述晶硅太阳能电池从上至下依次包括正电极、氮化硅减反膜、掺杂氮元素的N型硅层、P型硅衬底、铝背场和背电极，P型硅衬底下表面为抛光面，上表面为绒面结构，掺杂氮元素的N型硅层覆盖所述上表面的绒面结构，氮化硅减反膜覆盖在所述掺杂氮元素的N型硅层上。与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：本实用新型通过掺杂氮元素的N型硅层代替掺杂磷元素的N型硅层，采用掺杂氮元素的N型硅层不面要钝化，其表面具有较好的钝化效果，因此只需在掺杂氮元素的N型硅层覆盖一层氮化硅减反膜就可以
一种太阳能电池

[发明专利]硅氧化物膜层表面氟元素处理方法、刻蚀方法-CN202210692585.2在审
发明人：李银龙;刘珂;胡海洋 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供一种硅氧化物膜层表面氟元素处理方法、刻蚀方法，采用含氯气体形成的等离子体对硅氧化物膜层表面进行处理，以降低硅氧化物膜层表面上的氟元素与硅氧化物膜层表面的结合能力；采用第一惰性气体形成的等离子体轰击处理后的硅氧化物膜层表面，以移除硅氧化物膜层表面的氯元素和氟元素。本发明提供的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法、刻蚀方法，可以在原位处理晶圆的前提下，显著降低硅氧化物膜层的表面上的氟元素含量，从而可以保证刻蚀形貌和材料质量。
氧化物表面元素处理方法刻蚀

[发明专利]一种含硅钢及其冶炼方法-CN202310022916.6在审
发明人：温瀚;赵长亮;黄财德;秦登平;郭小龙;杨晓山;王少军;张博;王艳军;季晨曦;贾刘兵;罗延昭;周海忱;李杰飞;刘鹏;李强;朱磊;张海涛;詹美珠 -专利权人：首钢京唐钢铁联合有限责任公司
申请日： 2023-01-08 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C22C33/04 文献下载
摘要：本申请涉及一种含硅钢及其冶炼方法，属于钢材冶炼技术领域，方法包括：把废钢和铁水进行混合转炉冶炼，后出钢，得到转炉钢水；对转炉钢水进行精炼，得到精炼钢水；对精炼钢水进行连铸，得到含硅钢；出钢过程中加入第一硅铁，第一硅铁的加入量根据元素目标成分、终点样分析成分、元素收得率和合金元素含量计算获得；精炼加入第二硅铁，第二硅铁的加入量根据元素目标、到站样分析成分、元素收得率和合金元素含量计算获得；根据硅铁在炼钢、精炼工序钙元素吸收率的差异，通过合理的控制炼钢、精炼工序的硅铁加入量，利用硅铁中的残余钙元素对钢水增钙，稳定控制钢水中的钙元素含量，达到对钢水进行钙处理改善钢水可浇性的效果，保证铸机稳定浇铸。
一种硅钢及其冶炼方法

[发明专利]氮磷钾硅钙五元素长效复合肥及其制备方法-CN200610050924.8无效
发明人：李有显 -专利权人：李有显
申请日： 2006-01-19 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： C05G1/00 文献下载
摘要：一种氮磷钾硅钙五元素长效复合肥及其制备方法，属于复合肥料，它是由下述五元素组成，氮元素、磷元素、钾元素、硅元素、钙元素，其制备方法是：将黄磷炉渣筛去荒块，烘干，磨细至粉末状，取得硅元素，钙元素，磷元素，再将优质磷矿破碎，烘干，研细，添加进以上磷元素，将氮元素粉碎，掺合进钾肥，与硅钙粉、磷矿粉(磷矿粉须通过转化)一起混合搅拌，稀释后进行造粒，造粒后烘干，包装，本发明中的硅钙元素不像氮元素那样发挥作用快，易流失，它可使氮元素形成固化，发挥较长肥效，达到平衡施肥，促进作物吸收，达到增加产量、改善农产品品质的目的，而且具有杀毒、灭菌、抑制土壤植物中病虫对庄稼的危害，抗倒伏、抗干旱、抗病虫害，适用于粮食及水果蔬菜的种植
氮磷钾硅钙五元素长效复合及其制备方法

[发明专利]压粉磁芯用粉末及其制造方法-CN200980113119.7有效
发明人：大石雄介;保科荣介;山口登士也;川岛一浩 -专利权人：丰田自动车株式会社;株式会社精密烧结合金
申请日： 2009-04-17 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明提供在粒径为D的软磁性金属粉末的表层小于0.15D的范围具有含硅层的压粉磁芯用粉末及其制造方法。所述制造方法通过对含有碳元素的软磁性金属粉末(1)的表面进行渗硅处理来制造具有含硅层(2)的压粉磁芯用粉末(10)，其中，在该渗硅处理中，使至少含有硅化合物的渗硅用粉末与软磁性金属粉末(1)的表面接触，对该渗硅用粉末进行加热处理，从而使硅元素从硅化合物脱离，并使该脱离的硅元素渗透扩散到软磁性金属粉末的表层；在硅元素脱离的反应生成速度比硅元素渗透扩散到软磁性金属粉末的表层的扩散速度快的脱离扩散氛围下进行渗硅处理
压粉磁芯用粉末及其制造方法

[发明专利]一种电化学装置和电子装置-CN202211618230.5有效
发明人：李鑫 -专利权人：宁德新能源科技有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：本申请提供了一种电化学装置和电子装置，电化学装置包括负极极片，负极极片包括负极材料层，负极材料层包括硅复合材料和石墨，硅复合材料的颗粒的表面区域包括硅元素、锂元素、氧元素、碳元素和氮元素，基于表面区域中的硅元素、锂元素、氧元素、碳元素和氮元素的质量总和，表面区域中的锂元素的质量百分含量为0.2%至12%，表面区域中的碳元素的质量百分含量为3%至56%，表面区域中的氮元素的质量百分含量为0.2%至1.5%。
一种电化学装置电子

[发明专利]硅系薄膜和硅系薄膜的形成方法-CN200780022462.1有效
发明人：山下雅充;岩出卓;田口贡士;山崎光生 -专利权人：东丽工程株式会社
申请日： 2007-05-30 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：本发明提供硅系薄膜和硅系薄膜的形成方法，该硅系薄膜和该硅系薄膜的形成方法不会对形成于基板上的电子器件造成损害且装置构成不会变得庞大，并且能够改善硅系薄膜在基板上的密合性，不易生成裂纹和剥离。本发明的硅系薄膜的形成方法是通过CVD法在基板(K)上形成具有绝缘功能或阻隔功能的硅系薄膜的硅系薄膜形成方法，该方法包括如下步骤：使用含有氢元素的气体和含有硅元素的气体在所述基板(K)上通过等离子体CVD法形成第1薄膜(11)的步骤；使用含有氮元素的气体和含有硅元素的气体通过等离子体CVD法形成第2薄膜(12)的步骤；和使用含有氧元素的气体和含有硅元素的气体通过等离子体CVD法形成第3薄膜(13)的步骤
薄膜形成方法

[发明专利]一种锂电用纳米硅颗粒的制备方法-CN201910220800.7在审
发明人：赵明才;张娟;汪炜 -专利权人：江苏载驰科技股份有限公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明公开一种掺微量元素的锂电用纳米硅颗粒的制备方法，所述掺的微量元素的类型为N型掺杂晶体硅和P型掺杂晶体硅。本发明首先以N型掺杂晶体硅和P型掺杂晶体硅为原料，铜管为作为工作电极，采用脉冲放电法制备掺微量元素的微米/亚微米硅颗粒，通过掺微量元素来提高硅的本征电导率。随后将制备得到的掺微量元素的微米/亚微米硅颗粒进一步通过高能球磨法将材料纳米化，以此来减小硅颗粒的绝对体积变化。通过上述方法从而可以提高硅材料的循环性能。
微量元素晶体硅硅颗粒制备纳米硅颗粒锂电电导率高能球磨法材料纳米工作电极扩大生产脉冲放电体积变化循环性能制备工艺硅材料本征减小铜管

[发明专利]干冰控制消解反应热检测硅晶体硼元素的预处理方法-CN201710573038.1在审
发明人：池明;刘瑶;张磊 -专利权人：大工（青岛）新能源材料技术研究院有限公司
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： G01N1/44 文献下载
摘要：本发明涉及硅晶体中硼元素含量检测领域，尤其是干冰控制消解反应热检测硅晶体硼元素的预处理方法，其在硅晶体消解过程中，通过加入适量的干冰，控制反应体系的温度，使易于气化而损失的硼元素最大可能的进行保留。本发明可以使多晶硅中硼元素及其他金属元素同时检测，硼元素保留作用明显，方法简单易于操作，缩短了检测时间及检测成本。
干冰控制消解反应热检测晶体元素预处理方法

[发明专利]一种硅复合材料及其制备和应用-CN201910438729.X在审
发明人：朱斌;朱嘉 -专利权人：南京大学
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：一种硅复合材料包括硅和至少一种元素，硅与元素的质量比例的范围为10：1—2：1，元素原子半径大于硅的原子半径且小于钫的原子半径，硅原子可以承载锂离子，硅复合材料是以元素掺杂方式修饰硅，该掺杂方式扩大了锂离子迁移，使锂离子迁移的更加方便迅速，极大地降低了锂离子在硅复合材料里的残留量，从而提高首圈库伦效率高达94.1％，获得高容量，长寿命的锂离子电池。
一种复合材料及其制备应用