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[发明专利]一种氮掺杂单晶硅中氮元素的测量方法及系统-CN202111144242.4在审
发明人：徐鹏;李阳 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G01N21/35 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种氮掺杂单晶硅中氮元素的测量方法和系统，该方法可以包括：在消除单晶硅检测样品所存在的热施主后，快速冷却所述检测样品以使得红外光谱基线平缓；其中，所述单晶硅检测样品中掺杂有氮元素；利用傅立叶变换红外光谱仪FTIR对降低了红外光谱基线的检测样品进行检测，获取与氮元素存在形式对应位置的吸收峰强度；根据获取到的吸收峰强度确定所述单晶硅检测样品中的氮元素含量。
一种掺杂单晶硅元素测量方法系统

[发明专利]静电荷图像显影剂、处理盒和图像形成设备-CN201611119833.5有效
发明人：池田雅史;高桥荣美;石原由架;古木学;纸崎信;八和田铁兵 -专利权人：富士胶片商业创新有限公司
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G03G9/08 文献下载
摘要：处理盒和图像形成设备，所述静电荷图像显影剂包括：色调剂颗粒；外添至色调剂颗粒的用硅油处理过的二氧化硅颗粒；及载体，其中，所述载体的体积平均粒径等于或大于20μm且小于30μm，载体表面上存在的硅油来源的元素硅和二氧化硅来源的元素硅的量之比(硅油来源的元素硅/二氧化硅来源的元素硅)为0.05～0.2。
静电荷图像显影剂处理形成设备

[发明专利]一种锡硅分子筛及其制备方法-CN201310036574.X有效
发明人：史春风;朱斌;林民 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2013-01-30 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： C01B39/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种锡硅分子筛，其特征在于，含有硅元素、锡元素和氧元素，全部或部分晶粒内部具有空穴或空腔结构，且总比表面积≥300m²/g，外比表面积占总比表面积的比例≥10%。本发明的锡硅分子筛具有良好的催化氧化效果。
一种分子筛及其制备方法

[发明专利]锂离子电池以及电子设备-CN202211233092.9在审
发明人：李亮 -专利权人：宁德新能源科技有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：本申请公开了一种锂离子电池以及电子设备，涉及锂离子电池技术领域，所述锂离子电池包括负极极片，所述负极极片包括硅碳材料，所述硅碳材料中含有氢元素，基于所述硅碳材料的质量，所述氢元素的质量百分含量为a％。本申请通过将所述硅碳材料中的氢元素的含量控制在合适的范围，可以减少硅碳材料与电解液之间的副反应，提高锂离子电池的长期循环稳定性。
锂离子电池以及电子设备

[发明专利]镀膜件及其制备方法-CN201210070120.X有效
发明人：曹达华 -专利权人：深圳富泰宏精密工业有限公司
申请日： 2012-03-16 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： B32B9/04 文献下载
摘要：本发明提供一种镀膜件，包括金属基体，该镀膜件还包括形成于该金属基体表层的渗碳-硅层、形成于该渗碳-硅层上的结合层以及形成于该结合层上的颜色层，该渗碳-硅层是通过对金属基体进行真空离子渗碳-硅处理而于金属基体表层渗入碳、硅元素而形成，该结合层由金属形成，该颜色层由金属元素与非金属元素组成。
镀膜及其制备方法

[发明专利]一种液体硅肥及其生产工艺-CN200810238522.X有效
发明人：于春开;步陟峰;宫玉东 -专利权人：于春开
申请日： 2008-12-16 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： C05G1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种液体硅肥及其生产工艺，属于化肥技术领域。一种液体硅肥，特征：原料为可溶性硅、尿素、微量元素螯合物、黄腐酸，建立平衡复合的液态肥。工艺：1.固体硅酸钾溶解；2.微量元素的硫酸盐溶于水，加EDTA得EDTA微量元素螯合盐；冷却过滤后，加入硼酸、钼酸铵、尿素、黄腐酸；3.混配螯合即得液体硅肥。本发明：(1)利用水玻璃与黄腐酸螯合，可对其碱性起到很好的缓冲作用，并且可有效提高水玻璃中SiO₃^3-的稳定性；(2)微量元素用EDTA、黄腐酸二次螯合，成为螯合态金属离子，避免了硅酸根与金属离子反应形成难溶于水的硅酸盐，影响硅素利用率。本发明以液体硅酸钾与大量元素、微量元素、有机物建立平衡的复合体系，可有效提高作物对硅素及各种营养元素的利用率。
一种液体及其生产工艺

[发明专利]半导体结构抗反射层-CN201911022507.6在审
发明人：金志勋;金玄永;卞成洙 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：所述半导体结构包括：基础层和具有多个元素并与基础层物理接触的抗反射层；其中多个元素包括硅(Si)元素，碳(C)元素和氮(N)元素。而形成所述半导体结构的方法包括：在处理室中提供基础层；和直接在基础层上形成抗反射层，该抗反射层具有多个元素；其中多个元素包括硅(Si)元素，碳(C)元素和氮(N)元素。
半导体结构反射层

[发明专利]一种用于油料作物的土壤调理剂及其制备方法-CN201611249774.3在审
发明人：曾宪方 -专利权人：广东万山土壤修复技术有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： C05G3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于油料作物的土壤调理剂及其制备方法，所述土壤调理剂由含有钙元素、镁元素、硅元素及钼元素的熟料和微量元素肥制备而成；其特征在于，所述微量元素肥中的微量元素为硼元素，或者是，所述微量元素肥中的微量元素为硼元素和硫元素的组合；所述土壤调理剂中的有效营养成分包括钙20‑27％、镁10‑16％、硅9‑15％、硼0‑1％、钼0.0001‑0.003％和硫0.2‑2％。本发明的土壤调理剂通过合理使用含硅、钙、镁、硼、硫、钼的矿物质土壤调理剂，可使油类作物增产提质，提高出油率，还可均衡提供油类所需的各种营养成份,使其达到优质高产的目的。
一种用于油料作物土壤调理及其制备方法

[发明专利]分子筛及其制备方法-CN202010669029.4有效
发明人：王艳;李兆强;丁智勇;樊蓉蓉;张丞;王雨;郭欣;康娜;刘威;王荣;宋静 -专利权人：包头稀土研究院;瑞科稀土冶金及功能材料国家工程研究中心有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C01B39/04 文献下载
摘要：该分子筛具有足球状的微观形貌，其由分子筛骨架和活性元素组成，所述分子筛骨架包括硅元素和铝元素，所述活性元素包括铜元素和稀土元素，所述稀土元素选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Sc、Y中的一种或多种；所述硅元素与铝元素的质量比为(3～9):1，所述铜元素在分子筛中的含量为1.5～3.2wt％，所述稀土元素的质量为分子筛骨架的50ppm～2wt％；其中，硅元素的质量以二氧化硅计，铝元素的质量以三氧化二铝计，铜元素的质量以氧化铜计，稀土元素的质量以稀土氧化物计。
分子筛及其制备方法

[发明专利]一种改善多晶硅晶界缺陷的方法和装置-CN201810688074.7在审
发明人：周建军;徐志群;周慧敏;龙昭钦;周成;雷鸣;冷金标 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善多晶硅晶界缺陷的方法和装置，其中方法包括：判断当前铸锭炉中的硅料是否处于熔融状态；若是，向所述铸锭炉中的硅料通入氢元素掺杂剂；判断当前所述铸锭炉中的硅料是否处于长晶结束阶段；若是，停止向所述铸锭炉中的硅料通入氢元素掺杂剂通过在当前的多晶铸锭炉中的硅料在熔融状态时，通入氢元素掺杂剂，在长晶结束之后结束，通过掺杂剂中的氢原子来终结硅的悬挂键，显著降低硅晶体表面的复合速率，能够在硅基体中引入高浓度的氢原子，氢钝化程度更加彻底，同时由于通入氢元素掺杂剂的过程与铸锭工艺同步，不会额外增加工艺时间，仅仅需要保存气体的装置而不会额外增加其它氢钝化的装置，增加成本非常有限、工艺过程简单。
掺杂剂硅料氢元素铸锭炉方法和装置晶界缺陷熔融状态多晶硅氢钝化氢原子多晶铸锭炉工艺过程结束阶段铸锭工艺硅基体硅晶体悬挂键终结复合保存引入

[发明专利]半导体结构、半导体结构的制备方法及装置-CN202211475847.6在审
发明人：余鹏祥 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构、半导体结构的制备方法及装置，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构的制备成本高的技术问题，该制备方法包括提供衬底，衬底中形成有沟槽；向衬底的表面提供硅氧聚合物溶液，并此案有旋涂电介质工艺将硅氧聚合物溶液旋涂形成硅氧聚合物层，硅氧聚合物溶液中含有掺杂元素，掺杂元素包括硼元素和磷元素；对硅氧聚合物层进行热处理，其中，热处理的温度阈值为120℃～150℃。对硅氧聚合物层照射预设时长的超声波，以形成含有氢氧化硅键的多孔硅层；向多孔硅层提供氧化气体，氧化气体与多孔硅层中的氢氧化硅键反应，以形成硼磷硅玻璃膜；其中，硼磷硅玻璃膜填充沟槽。
半导体结构制备方法装置

[发明专利]一种水溶硅多元素植物营养液肥、制备方法及其使用方法-CN202210241992.1在审
发明人：孙成祥;王忠厚 -专利权人：内蒙古赫缘生物科技有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C05G1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种水溶硅多元素植物营养液肥及其制备方法。所述水溶硅多元素植物营养液肥，包括如下重量份的组分：水溶性硅元素液8～12份、螯合微量元素复合液2～4份、氨基酸8～12份和水75～79份。所述水溶硅多元素植物营养液肥，配比科学，功效全面，能够全方位的补充农作物所需的各种营养元素，并促进作物对二氧化碳的吸收利用，为光合作用增加动力，使光合作用更加旺盛，同时还能提高农作物对病虫害的抵抗力以及增强抗寒抗旱
一种水溶硅多元植物营养液制备方法及其使用方法

[发明专利]含硅膜和含硅膜形成方法-CN201380011711.2有效
发明人：山下雅充;藤元高佳;岩出卓 -专利权人：东丽工程株式会社
申请日： 2013-01-16 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：具体地说，提供一种含硅膜，该含硅膜具备：通过等离子体CVD法形成的包含硅元素且氧浓度为0元素％以上且小于10元素％的第1化学沉积层；和通过等离子体CVD法形成的包含硅元素且氧浓度超过35元素％且为70元素
含硅膜形成方法

[发明专利]MOSFET的制作方法及MOSFET-CN202010832086.X在审
发明人：方明旭;陈瑜;陈华伦 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开了一种MOSFET的制作方法及MOSFET，该方法包括：在衬底上形成栅氧层，衬底包括硅，栅氧层包括二氧化硅；在栅氧层上沉积形成多晶硅层；通过干法刻蚀去除目标区域的多晶硅层和栅氧层，剩余的栅氧层形成MOSFET的栅氧，剩余的多晶硅层形成MOSFET的栅极；对栅极两侧的衬底进行LDD注入，分别形成第一LDD区和第二LDD区；进行SD注入，在栅极两侧的衬底中分别形成源极和漏极；其中，在栅氧层上沉积形成多晶硅层之后的任一步骤之前，进行氟离子注入使氟元素扩散至栅氧和衬底的界面处。本申请通过在形成多晶硅层之后进行氟离子注入使氟元素扩散至栅极和衬底的界面，从而使氟元素取代界面的部分氢元素，使氟元素取代界面的部分氢元素，减弱了NBTI效应或HCI效应。
mosfet 制作方法

[发明专利]一种硅片母合金的制备方法-CN201410181197.3有效
发明人：吕学谦;银波;范协诚;郭增昌;刘乐通;孟华 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： C30B31/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片母合金的制备方法，该方法为将氯硅烷与第IIIA族元素的三氯化物、第IIIA族元素的氢化物、第VA族元素的三氯化物、第VA族元素氢化物中的一种在还原炉或外延生长炉内，通过氢气进行还原反应制得硅片母合金，其中，第IIIA族元素为硼或铝，第VA族元素为磷或砷。上述方法中的整个反应系统为密闭的系统，且反应原料不需要使用单质硅，避免了传统技术中需要将单质硅加热至熔融，并避免了熔融的硅与石英坩埚大的接触面积，避免了锑在硅里的固溶度较低，且避免了反应原料与空气的接触由于原料未使用单质硅，所以避免了多晶硅生长、拆炉、破碎、包装、转运、装填过程中引入杂质到硅片母合金中。
一种硅片合金制备方法