[发明专利]半导体结构抗反射层在审
| 申请号： | 201911022507.6 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN111326406A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 金志勋;金玄永;卞成洙 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 彭辉剑;龚慧惠 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构抗反射层形成方法，以解决上述技术问题。所述半导体结构包括：基础层和具有多个元素并与基础层物理接触的抗反射层；其中多个元素包括硅(Si)元素，碳(C)元素和氮(N)元素。而形成所述半导体结构的方法包括：在处理室中提供基础层；和直接在基础层上形成抗反射层，该抗反射层具有多个元素；其中多个元素包括硅(Si)元素，碳(C)元素和氮(N)元素。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 反射层 | ||
【主权项】：
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- 本发明提供液供给装置和液供给方法。液供给装置对处理液释放部供给处理液，该处理液释放部向被处理体释放处理液，该液供给装置包括：与处理液释放部连接的供给管路；插入于供给管路的过滤处理液以除去异物的过滤器；和控制部，其构成为能够判断向过滤器的一次侧供给的处理液的状态，并且在判断为处理液的状态不良时，输出限制向过滤器的一次侧供给该处理液的控制信号。
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- 常润滋;W·李 - 马维尔亚洲私人有限公司
- 2017-11-21 - 2023-09-22 - H01L21/027
- 本公开描述了用于利用倾斜图案化制造集成电路(IC)管芯的方法和装置。在一些方面中，在材料堆叠件上制造芯轴，并且遮挡材料层的部分不受能量场的影响，相对于芯轴以入射角辐射该能量场。材料层的遮挡部分可用于掩蔽下面的膜，以在IC管芯的衬底上创建膜图案。这些方法和装置能够制造部件尺寸小于由传统光刻工艺提供的部件尺寸的IC管芯。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
