“砷化镓背孔”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果6591709个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种制作砷化镓基HEMT器件背孔的方法-CN201511032303.2在审
发明人：刘丽蓉;马莉;夏校军 -专利权人：东莞市青麦田数码科技有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作砷化镓基HEMT器件背孔的方法，1)制作完成砷化镓基HEMT器件有源区；2)然后采用光刻、刻蚀的方法在化合物半导体衬底片正面形成背孔，并采用电镀等方式制作背金工艺，完成器件制作；3)将砷化镓衬底与临时衬底片进行粘附；4)对化合物基半导体衬底片进行减薄、抛光、直到化合物基衬底厚度减薄到100微米；5)采用等离子体刻蚀的方式，刻蚀衬底背面，直到背孔区域露出背金；6)最后在砷化镓背面电镀背金，完成砷化镓基 HEMT器件。
一种制作砷化镓基 hemt 器件方法

[发明专利]一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池-CN201710498727.0在审
发明人：黄孝如 -专利权人：海门市绣羽工业设计有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池，所述砷化镓太阳能电池依次包括：砷化镓衬底；位于砷化镓衬底上的背电场层；位于背电场层上的砷化镓p‑n结，所述砷化镓p‑n结包括层叠设置的n型砷化镓层和p型砷化镓层；位于砷化镓p‑n结上的砷化铝镓窗口层；位于砷化铝镓窗口层上的电极接触层；位于电极接触层上的防反射层；以及，位于电极接触层上的若干电极。
砷化镓砷化镓太阳能电池电极接触层防反射层砷化铝镓背电场窗口层衬底光电转换效率防反射结构太阳能电池层叠设置电极反射

[发明专利]一种砷化镓背侵的去除方法-CN201910831475.8在审
发明人：宋向荣;周铁军;马金峰;严卫东;唐林锋;刘火阳 -专利权人：广东先导先进材料股份有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种砷化镓背侵的去除方法，所述方法包括以下步骤：(1)将砷化镓晶片在有机溶剂中浸洗后用去离子水冲洗；(2)将步骤(1)处理后的砷化镓晶片浸没在化学腐蚀液中腐蚀清洗，所述化学腐蚀液包括碱、过氧化氢和水，所述碱为氢氧化钾或者氢氧化钠；(3)将步骤(2)处理后的砷化镓晶片用去离子水冲洗后干燥。本发明方法能够去除研磨、抛光和清洗加工工序中造成的砷化镓晶片背侵，首次解决了研磨、抛光和清洗加工工序中造成的砷化镓晶片背侵问题。
砷化镓晶片去除清洗化学腐蚀液加工工序去离子水研磨抛光砷化镓冲洗过氧化氢氢氧化钾氢氧化钠有机溶剂浸没浸洗腐蚀

[发明专利]一种电感耦合等离子体干法刻蚀砷化镓背孔工艺-CN201610253584.2在审
发明人：任华;汪耀祖 -专利权人：杭州立昂东芯微电子有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种电感耦合等离子体干法刻蚀砷化镓背孔工艺，包括以下步骤：（1）将已完成正面器件工艺加工的III‑V族砷化镓半导体基片正面朝下粘附在蓝宝石载体上进行机械减薄及化学湿法刻蚀；（2）利用旋涂法在III‑V族砷化镓半导体基片背面涂上光刻胶并进行固化热处理形成光刻胶掩膜；（3）在光刻胶光刻仪上进行曝光后进行显影，将设计的背孔图形转移复印在III‑V族砷化镓背面的光刻胶掩膜上；（4）利用Plasma‑Therm的Versalock 电感耦合等离子体干法刻蚀机进行背孔刻蚀，之后去除光刻胶并进行表面清洁处理。本发明能有效提高刻蚀背孔质量，同时能大幅提高刻蚀速率以迅速提高产能，适合大规模推广应用。
一种电感耦合等离子体刻蚀砷化镓背孔工艺

[实用新型]异质面砷化镓背场太阳能电池-CN98209986.X无效
发明人：鞠定德 -专利权人：云南师范大学太阳能研究所;鞠定德
申请日： 1998-01-20 - 公布日： 1999-11-17 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种异质面砷化镓背场太阳能电池,它由异质面P型镓铝砷层(P－Ga1－xAlxAs)和P型砷化镓层(P－GaAs)以及N型砷化镓层(n－GaAs)三层构成,其特征在于在该异质面三层结构的背面设有一强N型砷化镓层(n+GaAs)。从而构成四层结构的砷化镓背场太阳能电池,有效提高了电池的开路电压以及光电转换效率,并可大大降低电池基片厚度,有利于节约材料,降低电池成本。
异质面砷化镓背场太阳能电池

[发明专利]一种基于硅基的砷化镓射频芯片封装结构及其制备方法-CN202111473559.2在审
发明人：张鹏;耿雪其;王成迁 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路封装技术领域，具体涉及一种基于硅基的砷化镓射频芯片封装结构及其制备方法，包括：第一硅基底：第一硅基底的上表面设有第一金属层；第二硅基底：第二硅基底上分别设有TSV结构、芯片腔体和砷化镓射频芯片，其第二硅基底的下表面设有第二金属层，砷化镓射频芯片有源面朝外埋入芯片腔体中；介质层：介质层覆盖在第二硅基底的上表面；特征通孔：特征通孔图形化设置在介质层中；布线层：布线层设置在介质层的上表面，砷化镓射频芯片背金接地面通过导电粘结层和金属键合层实现芯片背金接地面与外部TSV金属通孔的连接，通过外部TSV金属通孔将芯片背金面接地信号端引出到芯片有源面同一平面，再通过对晶圆再布线形成扇出型封装体。
一种基于砷化镓射频芯片封装结构及其制备方法

[发明专利]柔性钙钛矿量子点薄膜-砷化镓异质结电池及其制备方法-CN201810892054.1在审
发明人：乔秀梅 -专利权人：东泰高科装备科技（北京）有限公司
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性钙钛矿量子点薄膜‑砷化镓异质结电池及其制备方法，其中该电池包括基底，基底上依次设置有背电极层、背场层、P型砷化镓薄膜层、钙钛矿量子点薄膜层、N型透明导电窗口层和前电极层。本发明提供的柔性钙钛矿量子点薄膜‑砷化镓异质结电池及其制备方法，通过形成钙钛矿量子点薄膜‑砷化镓异质结，减少了稀缺材料砷化镓的用量，降低了成本，同时也提高了电池效率。
柔性钙钛矿量子薄膜砷化镓异质结电池及其制备方法

[发明专利]一种利用分子束外延制备半导体器件的方法及半导体器件-CN202010041884.0有效
发明人：冯巍;谢小刚 -专利权人：新磊半导体科技（苏州）有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：该方法包括：a)在砷化镓衬底上在第一温度下生长第一砷化镓缓冲层，其中，砷源分子束与镓源分子束的束流比大于或等于2.5:1；b)在第一砷化镓缓冲层上在第二温度下生长第二砷化镓缓冲层；c)在第二砷化镓缓冲层上生长器件功能层通过将砷源与镓源分子束的束流比设定为大于或等于2.5:1，只需在比第二缓冲层的生长温度低预设温差值的低温下生长小于或等于50nm的低温砷化镓缓冲层即可实现抑制背栅效应的效果，与现有技术相比，大幅降低了抑制背栅效应所需的缓冲层的厚度
一种利用分子外延制备半导体器件方法

[发明专利]基于太阳能的发电储能一体化器件及其制备方法-CN202010528244.2有效
发明人：杜伟;王兵;方亮;魏婷婷 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H02S40/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于太阳能的发电储能一体化器件及其制备方法，包括减反膜、上电极、砷化镓外延层、背电极、金属化层、正极金属电极、正极、正极‑电解质混合相、无机固态电解质、负极、负极金属电极、金属保护层；减反膜、上电极、砷化镓外延层、背电极构成多结柔性砷化镓电池，正极金属电极、正极、正极‑电解质混合相、无机固态电解质、负极、负极金属电极构成固态锂离子电池，多结柔性砷化镓电池和固态锂离子电池并联，在未接负载时，固态锂离子电池能够将多结柔性砷化镓电池所发电量储存起来，直至连上负载后，多结柔性砷化镓电池和固态锂离子电池能够一起供电，形成发电储能一体化，使得在保证柔性结构的同时，又大大提高了产品质量功率比。
基于太阳能发电一体化器件及其制备方法

[发明专利]砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法-CN200510084937.2无效
发明人：陈诺夫;白一鸣;梁平;王晓晖 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-07-25 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法，包括如下步骤：顶电池以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；利用金属有机化合物气相沉积法、分子束外延和液相外延生长技术，生长太阳电池外延片；在顶电池的外延片的砷化镓层上面制作正电极；在外延片底层的重掺杂的n型砷化镓层制作顶电池的背电极；底电池以锑化镓单晶片为衬底；在底电池的外延片上面制作正电极，在衬底的下面制作背电极；顶电池与底电池采用机械级联的方式制成机械迭层太阳电池，然后进行封装
砷化镓锑化镓迭层聚光太阳电池制作方法

[发明专利]一种砷化镓p-n结型核电池及其制备方法-CN202111025914.X在审
发明人：张光辉;刘玉敏;何志平;林坤宇;桑天贵;王物达;罗朝君 -专利权人：东华理工大学
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓p‑n结型核电池及其制备方法。这种核电池由镍‑63源、砷化镓p‑n结器件和电池防护外壳组成。利用MOCVD外延生长技术获得由p型砷化镓发射层‑n型砷化镓基区层‑n型铝砷化镓背散层‑n型砷化镓衬底层构成的p‑n结，再利用磁控溅射技术在p‑n结上生成相应的欧姆接触电极层形成砷化镓p‑n器件。
一种砷化镓核电及其制备方法

[发明专利]砷化镓表面化学腐蚀方法和化学腐蚀液-CN201210076407.3有效
发明人：王晓文;班冬青;赵波;刘丽杰;刘文森 -专利权人：北京通美晶体技术有限公司
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种对砷化镓晶片进行化学腐蚀的方法，包括：将砷化镓晶片使用金属清洗剂浸洗；在氨水中浸洗；将砷化镓晶片放入化学腐蚀液中，在10～40℃的温度下腐蚀晶片表面；以去离子水冲洗晶片表面；干燥晶片。本发明还提供了一种砷化镓晶片进行化学腐蚀的化学腐蚀液，由质量比3.2～20％的氨水、8.3～33.0％的双氧水和水组成。本发明通过有效的化学药液腐蚀工艺，去除机械加工工序所造成的晶片损伤层，消除晶片内部应力，制作满足外延生长背面粗糙度要求的晶片，得到背面均匀一致，无背侵，无背花的晶片。
砷化镓表面化学腐蚀方法

[发明专利]一种基于镍-63源和砷化镓p-n结器件的微型核电池-CN202210266537.7在审
发明人：张光辉;刘玉敏;李嘉芯;林坤宇 -专利权人：东华理工大学
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于镍‑63源和砷化镓p‑n结器件的微型核电池，其基本结构包括：镍‑63源，砷化镓p‑n结器件，电池防护外壳和电池正、负极引线。这种核电池中砷化镓p‑n结器件内部结构依次为：正面铟锡金属氧化物(ITO)薄膜电极层，p型高掺杂砷化镓帽子层，p型砷化镓发射层，n型砷化镓基区层，n型铝砷化镓(Al0.7Ga0.3As)背散层，n型砷化镓缓冲层，n型砷化镓衬底层和背面金属电极层。
一种基于 63 砷化镓器件微型核电

[发明专利]一种用于砷化镓芯片背面通孔的镀金方法-CN202210916605.X在审
发明人：黎荣林;郭跃伟;段磊;崔健;于长江;卢啸;刘鹏;王静辉 -专利权人：河北博威集成电路有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C25D3/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于砷化镓芯片背面通孔的镀金方法，涉及芯片加工技术领域。包括以下步骤：步骤一、在砷化镓芯片的背板处及背面通孔的内部蒸发金属；步骤二、向准备好的电镀设备内填充电镀液；步骤三、将砷化镓芯片放置在电镀设备内部的槽内，步骤四、将电镀设备卡接槽内的锁止装置插入，并调整砷化镓芯片放的背板的朝向本发明通过将砷化镓芯片放置固定在电镀设备内部的槽内，并使用锁止装置插入固定，使得砷化镓芯片在电镀液电镀时，能够时刻让背板处的位置保持恒定，减少了因砷化镓芯片因摆动而导致砷化镓芯片其他部位受到电镀的影响，间接的提高了砷化镓芯片背面通孔在电镀时的均匀性和效率。
一种用于砷化镓芯片背面镀金方法

[发明专利]砷化镓晶圆用除氧托盘-CN201611116809.6有效
发明人：王干;赵玉华 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓晶圆用除氧托盘。该砷化镓晶圆用除氧托盘包括底座和定位组件；底座开设有贯通底座且用于安装砷化镓晶圆的安装孔，安装孔的侧壁上设有限位凸起；定位组件能够与底座固定连接，且定位组件与限位凸起能够分别与砷化镓晶圆的相对的两个表面的边缘相抵接而夹持固定砷化镓晶圆上述砷化镓晶圆用除氧托盘能够简化砷化镓晶圆的除氧工艺的操作、提高除氧效率且能够较为稳固地固定砷化镓晶圆。
砷化镓晶圆用托盘

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条