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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种直拉式硅单晶生长炉用导流筒-CN201010565419.3无效
发明人：李留臣 -专利权人：江苏华盛天龙光电设备股份有限公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉式硅单晶生长炉用导流筒，包括导流筒本体，导流筒本体为上大下小的锥形筒状结构，导流筒本体的下端部呈环状分布均匀开有多个分流槽。本发明直拉式硅单晶生长炉用导流筒结构简单，设计合理，使用安全，能有效提高硅单晶的生长效率，可广泛适用于直拉式硅单晶生长设备中。
一种直拉式硅单晶生长导流

[实用新型]一种直拉式硅单晶生长炉用导流筒-CN201020632875.0有效
发明人：李留臣 -专利权人：江苏华盛天龙光电设备股份有限公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直拉式硅单晶生长炉用导流筒，包括导流筒本体，导流筒本体为上大下小的锥形筒状结构，导流筒本体的下端部呈环状分布均匀开有多个分流槽。本实用新型直拉式硅单晶生长炉用导流筒结构简单，设计合理，使用安全，能有效提高硅单晶的生长效率，可广泛适用于直拉式硅单晶生长设备中。
一种直拉式硅单晶生长导流

[发明专利]直拉法生长单晶硅中利用氮-氩混合气体除杂-CN201010292543.7有效
发明人：江国庆 -专利权人：江国庆
申请日： 2010-09-26 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：直拉法生长单晶硅中利用氮-氩混合气体除杂。屈半导体分离技术领域，单晶炉直拉式生产单晶硅棒(碇)过程中会存有多种杂质，其中氧是直拉法生长单晶硅中的主要杂质，由于氧的存在严重影响单晶硅的品质，本发明采用在高纯度的氩气中加入微量的氮气，用它们的混合气体来作保护气体，以去除直拉法生长单晶硅过程中的氧，氮-氩混合气体使炉内保持低压、惰性气氛，促使SiO的蒸发，随着SiO的蒸发量增大而降低硅熔体中的氧含量，加大混合气体的流速，能使反应气体、反应粉末和反应液体迅速排出单晶炉；本发明主要应用于直拉法生长单晶硅中的除杂，它效果好，提高了硅单晶的品质，达到高质量的单晶的生长。
直拉法生长单晶硅利用混合气体

[实用新型]一种高效生产直拉式单晶炉用硅料复投装置-CN202221956958.4有效
发明人：贡梦涛 -专利权人：常州益群新能源科技有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效生产直拉式单晶炉用硅料复投装置，涉及直拉式单晶炉用具技术领域。该高效生产直拉式单晶炉用硅料复投装置，包括单晶炉炉体、复投仓，所述复投仓通过绕线电机内的线绳放置于单晶炉炉体的内部，所述单晶炉炉体的内壁底部固定有电动伸缩底座，所述电动伸缩底座的顶端固定有坩埚，所述单晶炉炉体的内壁底部右侧固定有高度警报器，所述单晶炉炉体的内壁左侧固定有连动组件。本申请通过可调节旋转电机控制转轮转动，来控制阻挡圆盘间断式转动，来实现定量复投硅料的目的，与此同时，通过连动组件来同步控制电动伸缩底座工作，带动坩埚等距离下调，以防止埚位或埚位调整不及时，造成的喷硅或顶料的现象产生
一种高效生产直拉式单晶炉用硅料复投装置

[实用新型]一种直拉单晶炉在线式热场再生系统-CN202222141087.7有效
发明人：张军彦;冯文彪;王晓峰;白枭;李媛 -专利权人：山西中电科新能源技术有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直拉单晶炉在线式热场再生系统，属于半导体技术领域；包括载气提供装置和工艺气体提供装置；载气提供装置和工艺气体提供装置通过进气管路与直拉单晶炉副室相连接，直拉单晶炉连接有抽气管路；抽气管路与直拉单晶炉的连接处位于保温筒底部以下；载气提供装置提供的载气为惰性气体，工艺气体提供装置提供的工艺气体为卤素气体；本实用新型通过载气和工艺气体的有序流动，在高温状态下与炉内杂质反应将其有效去除，延长了单晶炉内部炭素材料的寿命；提升了单晶棒的寿命
一种直拉单晶炉在线式热场再生系统

[发明专利]直拉单晶硅中避免铜沉淀形成于洁净区的热处理方法-CN201310487182.5无效
发明人：徐进;吉川;张光超;谢婷婷 -专利权人：厦门大学
申请日： 2013-10-17 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：直拉单晶硅中避免铜沉淀形成于洁净区的热处理方法，涉及直拉单晶硅。将直拉单晶硅片进行高温、低温、高温三步热处理，形成洁净区；将经三步热处理的直拉单晶硅片铜沾污后分成三组，在氮气氛下，分别在700～750℃、850～950℃、1050～1150℃下热处理5～10min，以在直拉单晶硅片中引入铜杂质；将经热处理的直拉单晶硅片分别在氮气氛保护下1050～1150℃保温2～4h和在氩气氛保护下1200～1250℃保温30～60s，观察直拉单晶硅中洁净区的形成情况。根据直拉单晶硅片中引入铜杂质的温度不同，采取不同的热处理工艺，从而有效地避免洁净区中出现铜沉淀。对洁净区的保护效果好，重复性好。
单晶硅避免沉淀形成洁净热处理方法

[实用新型]一种直拉式单晶炉用取晶运晶装置-CN201420202347.X有效
发明人：王保胜;翟胜涛;孙喜良 -专利权人：特变电工新疆新能源股份有限公司
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本实用新型提供一种直拉式单晶炉用取晶运晶装置，包括：固定单元、旋转单元、平移单元和升降单元，所述固定单元能够固定从直拉式单晶炉输出的晶棒；所述旋转单元与固定单元相连，能够倾斜所述固定单元；所述平移单元与旋转单元相连本实用新型所述直拉式单晶炉用取晶运晶装置既能减少取晶时间，又能减少操作人员的劳动强度。
一种直拉式单晶炉用取晶运晶装置

[发明专利]生产高强度直拉硅单晶用的籽晶的制备方法-CN200410053863.1无效
发明人：杨德仁;余学功;李东升;马向阳;阕端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2004-08-17 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明的生产高强度直拉硅单晶用的籽晶的制备方法，步骤如下：选择间隙氧浓度在(3～30)×10¹⁷cm^－3直拉硅单晶，先在350～1300℃温度范围热处理10分钟～60小时，然后，再将硅单晶切割加工成圆柱形或长方形籽晶；或者首先将间隙氧浓度在(3～30)×10¹⁷cm^－3直拉硅单晶切割加工成圆柱形或长方形籽晶，然后，再在本发明方法简单易行，通过选择适当氧浓度的直拉硅单晶进行热处理，使得直拉硅单晶体内生成一定量的氧沉淀，这些氧沉淀可以增加硅单晶的机械强度。由此也就获得了高机械强度的籽晶，用于直拉硅单晶的生长，可有效提高直拉硅单晶生长的生产效率。
生产强度直拉硅单晶用籽晶制备方法

[发明专利]直拉单晶硅片的结构缺陷检测方法-CN201711006240.2有效
发明人：赵燕;刘尧平;陈伟;吴俊桃;陈全胜;王燕;杜小龙 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请涉及直拉单晶硅片的结构缺陷检测方法。一种直拉单晶硅片的结构缺陷检测方法可包括：对所述直拉单晶硅片进行金属催化刻蚀；去除金属催化刻蚀后所述直拉单晶硅片表面上的金属；以及根据所述直拉单晶硅片的外观确定是否存在结构缺陷区域。
单晶硅结构缺陷检测方法

[发明专利]直拉式单晶炉的副炉-CN201110455233.7无效
发明人：汤仁兴 -专利权人：汤仁兴
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及直拉式单晶炉的副炉，属于单晶硅的生产制造设备领域。一种直拉式单晶炉的副炉，其特征在于：它包括副炉本体（1），所述副炉本体（1）包括内壁（2）和外壁（3），所述内壁（2）和外壁（3）之间设有水夹层（4），所述内壁（2）和外壁（3）的上下两端分别连有上法兰这种直拉式单晶炉的副炉在外壁上开设了镁棒接口，镁棒接口与内壁与外壁之间的水夹层相连通，镁棒接口中插入镁棒后，将代替内壁和外壁上的铁与自来水中的氯离子发生反应，使得氯离子不会对炉壁产生腐蚀。
直拉式单晶炉

[发明专利]直拉式单晶炉中晶体与熔硅液面熔接状态自动检测装置-CN200810122043.1无效
发明人：曹建伟;张俊;邱敏秀 -专利权人：上虞晶盛机电工程有限公司;杭州慧翔电液技术开发有限公司
申请日： 2008-10-30 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种直拉式单晶生产技术，旨在提供一种直拉式单晶炉中晶体与熔硅液面熔接状态自动检测装置。本发明可自动检测晶体与液面的熔接状态和判断熔接时刻；防止人为原因引起的籽晶过降导致的籽晶夹头熔化事故；可全程实时监测晶体与液面熔接状态，及时产生脱离液面报警；降低劳动强度，提高直拉式单晶炉的自动化程度，为全自动单晶炉设计解决了关键技术。
直拉式单晶炉中晶体液面熔接状态自动检测装置

[实用新型]直拉式单晶炉中晶体与熔硅液面熔接状态自动检测装置-CN200820166558.7有效
发明人：曹建伟;张俊;邱敏秀 -专利权人：上虞晶盛机电工程有限公司;杭州慧翔电液技术开发有限公司
申请日： 2008-10-30 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉式单晶生产技术，旨在提供一种直拉式单晶炉中晶体与熔硅液面熔接状态自动检测装置。本实用新型可自动检测晶体与液面的熔接状态和判断熔接时刻；防止人为原因引起的籽晶过降导致的籽晶夹头熔化事故；可全程实时监测晶体与液面熔接状态，及时产生脱离液面报警；降低劳动强度，提高直拉式单晶炉的自动化程度，为全自动单晶炉设计解决了关键技术。
直拉式单晶炉中晶体液面熔接状态自动检测装置

[发明专利]一种分体式直拉单晶炉泄压方法-CN202210577422.X在审
发明人：刘海;彭亦奇;王人松;周子义 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种分体式直拉单晶炉泄压方法，属于光伏技术领域。本发明提出的方法为：首先，利用连接件将泄压门与主炉腔体扣合锁紧；泄压门安装在分体式直拉单晶炉的主炉腔体上，通过连接件与主炉腔体扣合锁紧后形成完整且密封的分体式直拉单晶炉；然后，通过分体式直拉单晶炉进行直拉法制备单晶；之后，当分体式直拉单晶炉中发生爆炸时，主炉腔体中的压力增高，泄压门受压力作用向外打开，高温气体流出，使得主炉腔体中的压力迅速降低。本发明通过将完整的一体式直拉单晶炉腔更改为由泄压门和主炉腔体构成的分体式直拉单晶炉腔，当炉体发生爆炸，泄压门可以迅速打开泄压，从而避免了炉盖脱离炉体，炉中高温气流逸散，造成人员伤亡的问题。
一种体式直拉单晶炉泄压方法

[实用新型]一种直拉单晶炉用嵌套式金属电极-CN201620266947.1有效
发明人：栗宁 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种直拉单晶炉用嵌套式金属电极，包括从外向内嵌套设置的主电极体、副电极体和通冷却水的电极水套，主电极体和副电极体之间绝缘。本实用新型的一种直拉单晶炉用嵌套式金属电极解决了现有技术存在的设备改造成本高、拉晶功耗高的问题。本实用新型的一种直拉单晶炉用嵌套式金属电极将主电极、底电极集成在一个金属电极上，将原4个电极减少至2个电极，避免了增加金属电极会带走热场中热量的情况，可以节约拉晶功耗8％左右，而且其结构简单，避免因改造单晶炉产生的高额费用，利用单晶炉炉底原电极孔、配套电缆、水管即可安装，兼容性强。
一种直拉单晶炉用嵌套金属电极

[发明专利]一种直拉单晶硅方法-CN201710188098.1在审
发明人：肖德元 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种直拉单晶硅方法，包括以下步骤：提供表面生长有氘掺杂氮化硅的硅片；将所述硅片与多晶硅碎块进行混合熔合；进行籽晶熔接；采用加磁场直拉法形成单晶硅锭。本发明还提供一种晶圆的形成方法，采用单晶硅锭作为原始材料形成晶圆，其中，所述单晶硅锭采用上述直拉单晶硅方法形成。本发明的直拉单晶硅方法可以较精确地控制硅单晶棒中的氮及氘浓度以及获得良好的掺杂均匀性。
直拉单晶硅单晶硅锭硅片碎块掺杂均匀性表面生长硅单晶棒原始材料氮化硅多晶硅直拉法晶圆熔合熔接种晶籽晶磁场掺杂

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