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[发明专利]非易失性存储器器件-CN201911187722.1在审
发明人：金保延 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：根据本公开的一个实施例的非易失性存储器器件包括：具有沟道层的衬底、设置于沟道层上的第一隧穿层、设置于第一隧穿层上的第二隧穿层、设置于所述第二隧穿层上的第三隧穿层、设置于第三隧穿层上的电荷俘获层、设置于电荷俘获层上的电荷阻挡层以及设置于电荷阻挡层上的栅极电极层第一隧穿层包括第一绝缘材料。第二隧穿层包括电阻切换材料。第三隧穿层包括第二绝缘材料。电阻切换材料是电阻根据所施加的电场的幅度而在高阻态和低阻态之间可逆地改变的材料。
非易失性存储器器件

[发明专利]薄膜存储晶体管中冷电子抹除-CN202180007476.6在审
发明人：赛義夫·萨拉胡丁;乔治·莎玛奇沙;武儀·亨利·简;叶利·哈拉里 -专利权人：日升存储公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种存储晶体管具有位于一通道区及一闸电极之间的一穿隧介电层及一电荷捕捉层，其中当施加一写入电压时，电荷捕捉层具有低于穿隧介电层中穿隧能障的低点的一导带台阶，使得电子直接穿隧进入电荷捕捉层。电荷捕捉层的导带台阶位于‑1.0电子伏特及2.3电子伏特之间。存储晶体管可包括位于穿隧介电层及电荷捕捉层之间的一阻障层，阻障层具有小于电荷捕捉层的导带台阶的一导带台阶。
薄膜存储晶体管电子

[发明专利]非易失性存储元件的操作方法-CN200910006263.2有效
发明人：吕函庭;赖二琨;王嗣裕 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-06-22 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：此存储元件包括衬底、栅极、绝缘层、一电荷储存层与多层穿隧介电结构。衬底具有二源/漏极区，通过沟道区分隔。栅极，设置于衬底上。绝缘层设置于该沟道区上。电荷储存层，设置于绝缘层上。多层穿隧介电结构设置于电荷储存层和栅极之间。通过施加负偏压于栅极，使多个第一型载子自栅极经由多层穿隧介电结构穿隧进入电荷储存层，且通过施加正向偏压于栅极，使多个第二型载子自栅极经由多层穿隧介电结构栅极穿隧进入电荷储存层。
非易失性存储元件操作方法

[发明专利]半导体元件-CN201910188649.3在审
发明人：胡振国;廖建舜;高伟智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：在一些实施例中，一种半导体元件包括基板、在基板上的电荷储存元件，及在基板上邻接电荷储存元件的穿隧二极管。穿隧二极管包括在基板上的穿隧二极管介电层，及在穿隧二极管介电层上的穿隧二极管电极。基板电极安置于基板的掺杂区域上，且穿隧二极管电极位于电荷储存元件及基板电极之间。
半导体元件

[发明专利]复合隧穿介质层及其制作方法以及非易失性存储器-CN201010508106.4无效
发明人：沈忆华;宋化龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-10-15 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明涉及一种复合隧穿介质层及其制作方法以及非易失性存储器，所述复合隧穿介质层包括一氧化硅层和一SiOxNy层，所述SiOxNy层形成于所述氧化硅层的表面上。本发明的复合隧穿介质层及其制作方法以及非易失性存储器，该复合隧穿介质层阻碍电荷穿过的能力强能有效防止电荷介质层中的电荷穿过该复合隧穿介质层产生漏电现象。
复合介质及其制作方法以及非易失性存储器

[发明专利]一种电荷捕捉存储器及其制造方法-CN201010219666.8有效
发明人：廖政华;谢荣裕;杨令武 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-06-29 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有氮氧化硅隔离层能隙工程隧穿结构的电荷捕捉存储器及其制造方法，该电荷捕捉存储器包含一电荷储存结构，该电荷储存结构包含一捕捉层、一阻挡层、及一隧穿介电结构，该隧穿介电结构包含一薄的隧穿层
一种电荷捕捉存储器及其制造方法

[发明专利]非挥发性记忆元件的操作方法-CN200610090051.3有效
发明人：吕函庭;赖二琨;王嗣裕 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-06-22 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：堆叠层包括绝缘层、电荷储存层、多层穿隧介电结构以及闸极。绝缘层设置于通道区上。电荷储存层设置于绝缘层上。多层穿隧介电结构设置于电荷储存层上。闸极则设置于多层穿隧介电结构上。在闸极施加负偏压，藉由－FN穿隧机制，使电子从记忆单元的闸极经由多层穿隧介电结构注入于电荷储存层，造成记忆单元的启始电压上升。于闸极施加一正偏压，藉由+FN穿隧机制，使电洞从该记忆单元的该闸极经由该多层穿隧介电结构注入于该电荷储存层，造成该记忆单元的启始电压下降。
挥发性记忆元件操作方法

[发明专利]一种实现可靠性测试及阻值偏差补偿的压阻式传感器-CN202111251494.7有效
发明人：黄晓东;张鹏飞;王广猛;熊强;李宇翱;张志强 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现可靠性测试及阻值偏差补偿的压阻式传感器，包括压力敏感薄膜、压敏电阻、隧穿层，电荷存储层设置在隧穿层的上表面，并位于压敏电阻的上方，且部分覆盖压敏电阻；阻挡层完全覆盖隧穿层和电荷存储层的上表面；压阻电极设置在阻挡层的上表面，并穿过隧穿层和阻挡层上的通孔与压敏电阻电连接；调控电极设置在阻挡层的上表面，与压阻电极相间隔，并部分覆盖电荷存储层。其中，压敏电阻、隧穿层、电荷存储层、阻挡层与调控电极构成电荷型非易失性存储器结构，该结构能够实现定量调控电荷存储层中的俘获电荷数目以及通过俘获的电荷调控压敏电阻的载流子浓度进而调整压敏电阻的阻值，从而实现压敏电阻的有效修正与补偿
一种实现可靠性测试阻值偏差补偿压阻式传感器

[发明专利]提高SONOS闪存数据保存能力的结构及方法-CN200910057409.6无效
发明人：王函;林钢 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-06-11 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高SONOS闪存数据保存能力的结构及方法，包括：位于底部的隧穿氧层和位于顶部的高温热氧化层，在隧穿氧层和高温热氧化层中间还包括上下两层电荷存储层；在所述的两层电荷存储层中间有电荷陷阱层本发明在电荷存储层中加入陷阱层从而形成鞍状能带间隙形状的结构，不但能够有效提高ONO对电荷的捕获和保持能力；同时通过改善有效电荷捕获陷阱到隧穿氧化膜的距离，降低陷阱-能带隧穿的发生几率，从而提高电荷的存储能力以及写入
提高 sonos 闪存数据保存能力结构方法

[发明专利]一种电荷捕捉浮动栅极结构存储单元及其制作方法-CN200910134735.2有效
发明人：吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2009-04-20 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有非对称的隧穿势垒结构的电荷捕捉浮动栅极结构存储单元及其制作方法。此存储单元包括一源极区域与一漏极区域并由一通道区域所分隔。一第一隧穿势垒结构置于该通道区域上方，一浮动栅极置于该第一隧穿势垒结构及该通道区域之上，一第二隧穿势垒结构于该浮动栅极之上，一电荷捕捉介电层于该第二隧穿势垒结构之上，以及一顶介电结构置于该电荷捕捉介电层之上当施加偏压以对该存储单元进行编程及擦除时，该第二隧穿势垒结构相较于该第一隧穿势垒结构而言，具有较佳的隧穿电流导体效率。
一种电荷捕捉浮动栅极结构存储单元及其制作方法

[发明专利]一种具有凸面栅极结构的B4‑Flash-CN201410375182.0有效
发明人：顾经纶 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明涉及非易失性存储器，具体涉及一种具有凸面栅极结构的B4‑Flash，栅极结构自下而上依次为隧穿氧化层、电荷存储层、阻挡介质层和导电层；其中，隧穿氧化层为顶面两侧向中部隆起的凸面型结构；同时，所述电荷存储层为顶面两侧向中部隆起且底面自两侧向中部凹陷的拱桥型结构并完整覆盖于所述隧穿氧化层的上表面本发明通过在B4‑Flash中采用凸面栅极结构，可以使电荷存储层到衬底的隧穿大于从门极注入电荷存储层的隧穿，从而可以抑制甚至消除擦除饱和的出现，提高擦除速度。
一种具有凸面栅极结构 b4 flash

[发明专利]一种具有凸面栅极结构的B4-Flash-CN201410375183.5在审
发明人：顾经纶 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明涉及非易失性存储器，具体涉及一种具有凸面栅极结构的B4-Flash，栅极结构自下而上依次为隧穿氧化层、电荷存储层、阻挡介质层和导电层；其中，隧穿氧化层为顶面两侧向中部隆起的凸面型结构，且该隧穿氧化层的顶面为一平滑的凸状弧面；同时，电荷存储层为顶面边缘向中部隆起且底面两侧向中部凹陷的拱桥型结构；电荷存储层为缓变的氮化硅层，且该氮化硅层自下而上由富氮氮化硅的深能级向富硅氮化硅的浅能级渐变。本发明可以使电荷存储层到衬底的隧穿大于从门极注入电荷存储层的隧穿，从而可以抑制甚至消除擦除饱和的出现，提高擦除速度。
一种具有凸面栅极结构 b4 flash

[发明专利]一种具有凸面栅极结构的B4‑Flash-CN201410374646.6有效
发明人：顾经纶 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明涉及非易失性存储器，具体涉及一种具有凸面栅极结构的B4‑Flash，栅极结构自下而上依次为隧穿氧化层、电荷存储层、阻挡介质层和导电层；其中，隧穿氧化层为顶面两侧向中部隆起的凸面型结构；同时，所述电荷存储层为顶面两侧向中部隆起且底面自两侧向中部凹陷的拱桥型结构并完整覆盖于所述隧穿氧化层的上表面；电荷存储层为氮化硅层，该氮化硅层上下位置处的氮量相等，且上下位置处的硅含量也相等。本发明可以使电荷存储层到衬底的隧穿大于从门极注入电荷存储层的隧穿，从而可以抑制甚至消除擦除饱和的出现，提高擦除速度。
一种具有凸面栅极结构 b4 flash

[发明专利]一种仿生突触晶体管及其制备方法和应用-CN202210907119.1在审
发明人：赵天石;赵春;赵策洲;刘伊娜;杨莉 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明涉及一种仿生突触晶体管及其制备方法和应用，所述仿生突触晶体管包括自下而上依次层叠设置的衬底、源电极和漏电极、沟道层、电荷俘获‑隧穿层、感光层和钝化层；所述源电极和漏电极设置于同一层；所述电荷俘获‑隧穿层包括电荷俘获层以及包覆于所述电荷俘获层表面的隧穿层；所述电荷俘获‑隧穿层包括MXene‑TiO2。
一种仿生突触晶体管及其制备方法应用

[发明专利]非易失性存储器与非易失性存储器的形成方法-CN200710140283.X有效
发明人：王嗣裕;吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-08-08 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器，其位于一衬底上并包括：一隧穿层、一电荷捕捉复合层、一栅极以及一源极/漏极区。其中，隧穿层位于衬底上，电荷捕捉复合层位于隧穿层上，而栅极位于电荷捕捉复合层上方，源极/漏极区则位于隧穿层两侧的该衬底中。此具有电荷捕捉复合层的非易失性存储器，具有较佳的程序化、抹除化表现以及数据保持能力。此外，由于在形成电荷捕捉复合层，并不需要使用高热预算工艺因此可以降低工艺过程中的热预算。
非易失性存储器形成方法

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