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[发明专利]电浆腔室及在此电浆腔室中处理基底的方法-CN200510069959.1无效
发明人：艾力克斯恩德·派特森;伊莉莎白·G·佩弗;凡廉泰·N·特都罗;汉·蓝·纳格彦;汤玛斯·J·阔培尼克;布莱恩·K·海雀;约翰·P·后兰 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 2005-04-30 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明是有关于一种电浆腔室及在此电浆腔室中处理基底的方法。其提供一种蚀刻或化学气相沉积电浆制程和装置，其可藉由传送至电浆制程腔室中的多个电浆控制器件的电源的脉冲调变，而在基底的表面上产生均匀的电浆。在电浆制程腔室中所产生及/或维持的电浆的形成方法是使用传送至射频电源的能量在进行电浆制程步骤期间，藉由一个或多个电浆控制器件来控制、产生、增强及/或塑型电浆。电浆控制器件可包括例如是一个或多个线圈(电感耦合电浆)、一个或多个电极(电容耦合电浆)、及/或任何其他的能量输入器件如微波电源。
电浆腔室电浆腔室中处理基底方法

[发明专利]基板处理装置-CN202011477968.5有效
发明人：马荣才;尹星进;徐孝政;朴钟佑 -专利权人： PSK有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：所述基板处理装置包括：制程处理单元，其提供执行处理所述基板的处理空间；电浆产生单元，其通过使制程气体放电来产生所述电浆且将所述电浆供应至所述处理空间。所述电浆产生单元提供：电浆腔室，其具有所述电浆的产生空间；天线，其经缠绕以在所述电浆腔室的外部包围所述电浆腔室；第一涂膜，其覆盖所述电浆腔室的内部壁且包含氟化钇(YF3
处理装置

[发明专利]提供感应耦合射频电浆浸没枪的技术-CN200680047763.5无效
发明人：彼得·F·库鲁尼西;拉塞尔·罗;艾力克斯恩德·S·培尔;艾利克·R·科步;伊桑·亚当·莱特 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2006-12-13 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： H01J37/02 文献下载
摘要：本发明是有关于一种用于提供感应耦合射频电浆浸没枪的技术。在一个特定例示性实施例中，可将所述技术实现为离子植入系统中的电浆浸没枪。所述电浆浸没枪可包含：具有一或多个孔径的电浆腔室；能够将至少一气态物质供应至所述电浆腔室的气体源；以及能够将射频电功率感应耦合至所述电浆腔室中以激发所述至少一气态物质从而产生电浆的电源。所述电浆腔室的整个内表面可不含金属材料，且所述电浆不可暴露至电浆腔室内的任何含金属组件。另外，所述一或多个孔径可足够宽以用于来自所述电浆的带电粒子的至少一部分流过。
提供感应耦合射频浸没技术

[发明专利]使用双电浆源产生电浆之装置及包括该装置的用于处理基板之装置-CN201410412558.0有效
发明人：蔡熙善;赵政熙;李钟植;李韩生;金贤峻 -专利权人： PSK有限公司
申请日： 2014-08-20 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明系关于一种使用双电浆源产生电浆之装置及一种包括该装置的基板处理装置。根据本发明之实施例的电浆产生装置包括：RF电源，其经组配来供应RF信号；电浆腔室，其经组配来提供空间，电浆在该空间中产生；第一电浆源，其安装于该电浆腔室之一部分处来产生电浆；以及第二电浆源，其安装于该电浆腔室之另一部分处来产生电浆，该第二电浆源包括：复数个绝缘回路，其沿该电浆腔室之圆周形成，其中气体通道提供于每一绝缘回路中，制程气体经由该气体通道注入且移动至该电浆腔室；以及复数个电磁场施加器，其耦合至该等绝缘回路且接收该RF信号，以将经由该气体通道移动之制程气体激发至电浆状态。
使用双电浆源产生装置包括用于处理

[发明专利]快速更换产线的模块化电浆反应腔室结构-CN201910950030.1在审
发明人：林志隆;蔡兆哲;陈俊龙 -专利权人：聚昌科技股份有限公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种快速更换产线的模块化电浆反应腔室结构，其包括：主电浆反应腔体，其具有第一反应腔室，其顶部具有通孔部；以及置换件，密封结合于通孔部，又置换件为盖板或结合式电浆反应腔体，其具有第二反应腔室；当使用盖板为置换件，则以第一反应腔室进行电浆蚀刻反应；当使用合式电浆反应腔体为置换件，则以第一反应腔室及第二反应腔室共同进行电浆蚀刻反应。
快速更换模块化反应结构

[发明专利]微波电浆发生装置及其操作方法-CN201380032280.8有效
发明人： J·迈;H·施勒姆 -专利权人：梅耶博格（德国）股份公司
申请日： 2013-04-16 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有电浆室的微波电浆发生装置。在所述电浆室外部设有至少一个微波发生装置，并且所述微波发生装置的微波被至少一个微波接入装置接入到所述电浆室中。所述微波接入装置具有穿过所述电浆室的至少一个室壁而伸入所述电浆室中的内导体、包围所述内导体并且将所述内导体与所述电浆室的内腔间隔开的绝缘管、和至少一个穿过所述至少一个室壁而伸入所述电浆室中的外导体，所述外导体与所述内导体同轴地布置但并不包围所述内导体的整个圆周所述外导体在所述电浆室中具有至少一个外导体末端。所述内导体与所述外导体形成微波导线，其中在所述电浆室中，微波可以从所述微波导线中外泄出，以便在所述电浆室的内腔中产生微波电浆。根据本发明，在所述电浆室的内腔中设有至少一个与所述内导体同轴布置且与所述室壁电绝缘的电浆电极，该电浆电极可被施加有直流电压、低频电压或高频电压，所述微波电浆可与该电浆电极电接触，使得所述微波电浆可以至少部分地承担所述外导体的作用本发明还涉及一种操作该微波电浆发生装置的方法。
微波发生装置及其操作方法

[实用新型]快速更换产线的模块化电浆反应腔室结构-CN201921669714.6有效
发明人：林志隆;蔡兆哲;陈俊龙 -专利权人：聚昌科技股份有限公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种快速更换产线的模块化电浆反应腔室结构，其包括：主电浆反应腔体，其具有第一反应腔室，其顶部具有通孔部；以及置换件，密封结合于通孔部，又置换件为盖板或结合式电浆反应腔体，其具有第二反应腔室；当使用盖板为置换件，则以第一反应腔室进行电浆蚀刻反应；当使用合式电浆反应腔体为置换件，则以第一反应腔室及第二反应腔室共同进行电浆蚀刻反应。
快速更换模块化反应结构

[发明专利]大面积基板上沉积的装置和方法-CN200880007914.3无效
发明人：约翰·M·怀特;桑杰伊·雅达夫;王群华;崔寿永;王伟杰 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2008-02-27 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：本发明大体上是关于一种感应耦合电浆设备。利用喷洒头产生的电浆进行沉积时，电浆可能无法均匀分配于基板边缘。藉由感应耦合电浆至腔室中对应室壁的区域，可均匀分配腔室内的电浆及均匀沉积到基板上。在处理气体进入处理室前先蒸发处理气体，亦可均匀分配电浆及均匀沉积到基板上。
大面积基板上沉积装置方法

[发明专利]控制提供至基板的离子束的处理装置-CN201710893518.6有效
发明人：斯特尔·拜洛科;尼尼·文奴斯;卢多维克·葛特;安东尼·雷诺 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：处理装置可包括电浆源、提取板、偏转电极与偏转电极电源，其中所述电浆源耦接至电浆腔室以在电浆腔室中产生电浆，所述提取板具有沿着电浆腔室的一侧配置的孔隙，所述偏转电极配置为接近于孔隙，且当电浆腔室中存在电浆时所述偏转电极经设置以界定一对电浆半月区，所述偏转电极电源用于相对于电浆施加偏压至偏转电极，其中施加至偏转电极的第一偏压经设置以产生自电浆通过孔隙提取的离子的第一入射角，且施加至偏转电极的第二偏压经设置以产生自电浆通过孔隙提取的离子的第二入射角
控制提供至基板离子束处理装置

[发明专利]半导体处理腔体及其清洁方法-CN202010587217.2在审
发明人：胡玉;刘振;初春 -专利权人：拓荆科技股份有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体处理腔体，包含腔室、气体供应源、远程电浆源、复数个孔洞以及侧面通道。其中，腔室由侧壁、顶部和底部相连接定义而成；气体供应源，用于提供气体；远程电浆源与气体供应源相连接，以将气体转化为电浆态；复数个孔洞位于侧壁且呈现环状排列以围绕该腔室；侧面通道连接远程电浆源与该些孔洞，以将电浆态的气体扩散至该等孔洞。
半导体处理及其清洁方法

[实用新型]电浆火炬-CN201820649918.2有效
发明人：徐逸明;王立民;王齐中 -专利权人：馗鼎奈米科技股份有限公司
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：一种电浆火炬。此电浆火炬包含外电极、内电极、以及喷嘴。外电极具有腔室，腔室的末端具有开口。内电极设于外电极内的腔室中，并相对于腔室的开口。主要开孔中的大气流有分流会旋入凹槽中而破坏大气流，可破坏因大气流所造成的电浆被局限在中心区域的机制，因此可放大电浆火炬的电浆区域，使得电浆火炬可进行大面积的电浆处理。
电浆火炬外电极开孔腔室喷嘴大气流开口内电极电浆处理电浆区域中心区域接合电浆旋入连通放大分流局限

[发明专利]半导体结构的制造方法及电浆处理设备-CN201911142918.9有效
发明人：廖汉文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种半导体结构的制造方法及电浆处理设备。半导体结构的制造方法包括在制程腔室中放置晶圆。在制程腔室中形成电浆以处理晶圆。侦测晶圆周边区域上方的电浆浓度。根据侦测到的电浆浓度调整晶圆周边区域上的电浆分布。
半导体结构制造方法处理设备

[发明专利]使用半导体处理腔室的方法及半导体基板处理装置-CN202210391995.3有效
发明人：陈民哲;廖维贞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种使用半导体处理腔室的方法及半导体基板处理装置，电浆处理腔室的装置包含底座；上部分附底座，且横向于底座延伸；以及一或多个第一通孔定义于底座中。此一或多个第一通孔对应于定义于电浆处理腔室中的一或多个开口，以附接装置。此装置还包含第二通孔定义于上部分中；以及计量器位于第二通孔中，计量器配置以记录电浆处理腔室的位置及电浆处理腔室的位置的移动。
使用半导体处理方法装置

[实用新型]可容置晶舟盒的下沉式感应耦合电浆洁净机-CN202020579909.8有效
发明人：王辉 -专利权人：京隆科技(苏州)有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：一种可容置晶舟盒的下沉式感应耦合电浆洁净机，包括：腔体、晶舟盒、抽真空设备、气密门组件及电浆发射源，腔体内形成一腔室，腔体具有朝上的进入口，晶舟盒内承载着多片晶圆，由进入口下沉进入腔室内，气密门组件安装于腔体上且位于进入口处，用以开闭且维持腔室的密封，电浆发射源与抽真空设备分别连通腔室，抽真空设备使腔室内产生真空并维持腔室所需的真空度，电浆发射源对腔室内的晶舟盒发射感应耦合电浆，以轰击去除晶舟盒及晶圆表面的污染物。
可容置晶舟盒下沉感应耦合洁净

[发明专利]控制提供至基板的离子束的处理装置与方法-CN201480070125.X有效
发明人：斯特尔·拜洛科;尼尼·文奴斯;卢多维克·葛特;安东尼·雷诺 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：处理装置可包括电浆源、提取板、偏转电极与偏转电极电源，其中所述电浆源耦接至电浆腔室以在电浆腔室中产生电浆，所述提取板具有沿着电浆腔室的一侧配置的孔隙，所述偏转电极配置为接近于孔隙，且当电浆腔室中存在电浆时所述偏转电极经设置以界定一对电浆半月区，所述偏转电极电源用于相对于电浆施加偏压至偏转电极，其中施加至偏转电极的第一偏压经设置以产生自电浆通过孔隙提取的离子的第一入射角，且施加至偏转电极的第二偏压经设置以产生自电浆通过孔隙提取的离子的第二入射角
处理装置离子角分布原位控制

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