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[发明专利]高度集成的半导体存储器件及其制造方法-CN90109275.4无效
发明人：金晟泰;金景勋;高在弘;崔寿汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1990-11-15 - 公布日： 1996-01-03 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种高度集成半导体存储器件，包括多个在横向和纵向交替地淀积了堆垛型电容器和组合堆垛-沟道型电容器构成的存储单元。存储单元电容器的第一存储电极延伸覆盖相邻存储单元的电容器的存储电极。在衬底上形成组合堆垛-沟道电容器来增加存储电容量，它允许堆垛型电容器的存储电极延伸以便增大存储电容量。由于堆垛-沟道型电容器和堆垛型电容器的交替安置，防止了堆垛-沟道型电容器的台阶覆盖、漏电流和软误差。
高度集成半导体存储器件及其制造方法

[实用新型]自电容检测电路和电子装置-CN201820723458.3有效
发明人：张杰;郭亮亮;黄臣;杨云 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本公开涉及一种自电容检测电路和电子装置，属于电子技术领域，能够提高线性度。该自电容检测电路包括：电荷存储电容；基准电容；预放电模块，用于对所述电荷存储电容进行预放电；预充电模块，用于在所述预放电模块完成所述电荷存储电容的预放电之后，对所述电荷存储电容进行预充电；自电容检测模块，用于在所述预充电模块完成所述电荷存储电容的预充电之后，利用所述基准电容为所述电荷存储电容补充电荷，并交替地进行所述电荷存储电容中的电荷向自电容的转移以及所述自电容中的电荷的泄放，并基于所述自电容中电荷的泄放次数和所述基准电容为所述电荷存储电容补充电荷的次数来确定所述自电容的容值
电荷存储电容电荷自电容检测电容预放电基准电容电路预充电模块电子装置预充电泄放电子技术领域线性度补充

[发明专利]一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置-CN201611248815.7有效
发明人：伍黄尧;吴焕达;张磊 -专利权人：厦门天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置，通过在每个像素结构内增加至少一组与存储电容并联的补充存储电容，以及与补充存储电容一一对应的开关器件的方式，根据阵列基板所需的工作频率，调节补充存储电容与存储电容的连接关系，已达到调节像素结构内总存储电容量来适应扫描频率变更的效果。具体地，在阵列基板工作在频率较低的第一频率时，开关器件可以导通补充存储电容与存储电容的并联，以增大像素结构内总存储电容量；在阵列基板工作在频率较高的第二频率时，开关器件可以断开补充存储电容与存储电容的并联，以降低像素结构内总存储电容量，提高充电率。
存储电容像素结构阵列基板存储电容量开关器件并联补充液晶显示面板工作频率连接关系扫描频率显示装置充电率导通断开变更

[发明专利]耦合电容器及使用其的半导体存储器件-CN200610126604.6有效
发明人：李恩哲;梁元硕;李镇宇;郑泰荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-08-30 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了耦合电容器及使用其的半导体存储器件。在实施例中，半导体存储器件的每个存储单元包括耦合电容器，使得存储电容器能够存储至少2位数据。耦合电容器具有相对与存储电容器的电容有预设比率的电容。为此，通过与存储电容器基本上相同的制造方法来形成耦合电容器。通过选择合适数目的单个电容器来获得预设比率，每个具有与存储电容器相同的电容，以包括耦合电容器。同样，耦合电容器设置在层间绝缘层上，该层间绝缘层掩埋单元区中的位线和感应放大区中的感应放大器。
耦合电容器使用半导体存储器件

[发明专利]一种阵列基板、其制备方法及相关装置-CN201910014900.4有效
发明人：王国英;宋振 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板、其制备方法及相关装置，该阵列基板包括多个子像素区域，各子像素区域包括位于衬底基板上的像素驱动电路和光学补偿电路，像素驱动电路包括与驱动晶体管连接的像素存储电容，光学补偿电路包括与感光器件连接的感光存储电容；像素存储电容和感光存储电容叠层设置，且像素存储电容和感光存储电容共用同一电极板。本发明通过将感光器件、感光存储电容和像素存储电容沿背离衬底基板的方向上依次叠层设置，即感光器件、感光存储电容和像素存储电容三者在衬底基板上的正投影具有重叠区域，减小了子像素区域像素存储电容的占用面积，相应地可以增加发光区的面积
一种阵列制备方法相关装置

[发明专利]掉电保护电路及其集成电路和方法-CN202310319873.8在审
发明人：吕明;赖鹏捷 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：掉电保护电路包括转换电路，在正常工作期间，对第一组存储电容器和第二组存储电容器充电，在掉电时，利用第一组和第二组存储电容器中至少一组存储电容器存储的能量向应用设备提供总线电压；第一阻断电路，当第一组存储电容器正常工作时，将第一组存储电容器连接至转换电路，当第一组存储电容器发生故障时，将第一组存储电容器与转换电路的连接断开；以及第二阻断电路，当第二组存储电容器正常工作时，将第二组存储电容器连接至转换电路，当第二组存储电容器发生故障时，将第二组存储电容器与转换电路的连接断开。该掉电保护电路在某个存储电容器发生故障时能够继续提供掉电保护。
掉电保护电路及其集成电路方法

[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置-CN202010281302.6有效
发明人：张正东;杨小飞;苏磊;王立苗;王红军;孟佳;胡晓旭 -专利权人：成都京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：所述阵列基板为双栅线阵列基板；所述阵列基板具有多个子像素，所述子像素内布置有存储电容和扩展存储电容，所述扩展存储电容和所述存储电容并联。本方案通过增加一个与存储电容并联的扩展存储电容，从而增加了存储电容容量，避免显示基板中信号线之间的耦合电容在存储电容的容量不够大时，影响显示面板的显示，改善了显示均一性。
阵列及其制作方法显示装置

[发明专利]一种空调进线端电容失效存储装置及电容失效分析方法-CN201810901598.X在审
发明人：郭群;范孙操;刘世勇;朱文超;张伟强 -专利权人：宁波奥克斯电气股份有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： F24F11/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种空调进线端电容失效存储装置及电容失效分析方法，空调进线端电容失效存储装置，与设置在空调进线端的电容连接，其包括：电压检测电路，实时检测所述电容的电压值；数据存储器，与所述电压检测电路连接，存储所述电容的电压值；所述电容失效分析方法基于所述空调进线端电容失效存储装置。这样，通过数据存储器存储电容的电压值，一旦发生电容失效的情况，就可以读取数据存储器中的电压值，进而可以根据电压值很容易确定是否是过压导致所述电容失效；可以在较短的时间内清楚判断电容失效原因，判断方便，且准确度高
电容存储装置进线端空调失效分析电压检测电路数据存储器存储电容电容连接失效原因实时检测存储器准确度进线存储

[发明专利]漏电能耗的确定方法及半导体存储器-CN202211145104.2在审
发明人：杨杰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种漏电能耗的确定方法及半导体存储器，所述方法包括：通过电源向存储器的阵列区写入高电平信号，获取所述存储器耗散的总热量，所述存储器包括所述阵列区的存储电容、所述阵列区和外围区的开关管，所述存储器耗散的总热量包括所述开关管的漏电能耗和电容耗散的第一热量，所述电容包括所述存储电容和所述开关管的等效电容；泄放所述电容的总存储能量，获取测量的所述电容耗散的第二热量，并将所述电容耗散的第二热量确定为所述电容的总存储能量；基于所述存储器耗散的总热量和所述电容耗散的第二热量
漏电能耗确定方法半导体存储器

[发明专利]一种基于4管存储的存储单元、存储阵列及存内计算装置-CN202011342249.2有效
发明人：乔树山;黄茂森;尚德龙;周玉梅 -专利权人：中科院微电子研究所南京智能技术研究院
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G11C11/418 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于4管存储的存储单元，存储单元包括：第一存储子单元、第二存储子单元、位线BL、位线BLB、字线WL、字线MWL、字线MWLB、位线MBL、第一电容和第二电容；第一存储子单元和第二存储子单元均包括管T1、管T2、管T3、管T4、管T5和管T6；第一存储子单元与第二存储子单元的结构相同；第一存储子单元的电容连接端与第一电容的第一端连接，第二存储子单元的电容连接端与第二电容的第一端连接，第一电容的第二端和第二电容的第二端均与位线MBL连接；第一电容的容量和第二电容的容量不同。
一种基于存储单元阵列计算装置

[发明专利]H形电容结构的垂直型存储器及其制备方法-CN202111026531.4有效
发明人：刘金营 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：本发明提供一种H形电容结构的垂直型存储器及其制备方法，通过在第一逻辑单元的漏极区及第二逻辑单元的漏极区的外周形成电容器存储单元，且第一逻辑单元漏极区外周的电容器存储单元与第二逻辑单元漏极区外周的电容器上下结合使整个电容器存储单元呈H形圆筒结构，有效增大了电容器的面积，提高电容器的电荷存储能力，可有效提高存储器读取精确度和电荷保存时间。通过第一逻辑单元及第二逻辑单元控制电容器存储结构的读写，电容器存储单元负责存储电荷，第一逻辑单元及第二逻辑单元可独立或者联合的向电容器存储结构存储或读取数据。
电容结构垂直存储器及其制备方法

[发明专利]存储器及其操作方法、装置、存储介质-CN202110341303.X有效
发明人：杨盛玮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种存储器及其操作方法、装置、存储介质。其中，存储器包括：存储单元阵列、电容控制电路及页缓冲器，其中：所述存储单元阵列，包括多个存储单元；所述电容控制电路，用于实现对感测电容的电容值的调制；所述页缓冲器包括所述感测电容，所述感测电容用于利用调制的电容值将待读取存储单元产生的沟道电流转化为单位时间内的电压变化；所述页缓冲器，用于根据所述感测电容上的电压变化，确定是否读取所述待读取存储单元实际存储的数据。
存储器及其操作方法装置存储介质

[发明专利]显示基板、显示面板和显示装置-CN202310343337.1在审
发明人：徐攀;韩影;张星;罗程远;赵冬辉;吕广爽;许程;王红丽;吴桐;周丹丹 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：显示基板包括阵列排布的多个像素单元，所述像素单元包括发光元件和用于驱动所述发光元件进行发光的像素驱动电路，所述像素驱动电路至少包括驱动晶体管和存储电容，所述存储电容的第一端与所述驱动晶体管的控制极连接，所述存储电容的第二端与所述发光元件的第一电极连接；多个所述像素单元至少包括发出第一颜色光的第一像素单元和发出第二颜色光的第二像素单元，其中，所述第一像素单元所包括的所述存储电容为第一存储电容，所述第二像素单元所包括的所述存储电容为第二存储电容；所述第一存储电容的电容值与所述第二存储电容的电容值不同。
显示面板显示装置

[发明专利]存储电容和采用该存储电容的液晶显示器-CN200410052442.7有效
发明人：洪肇逸;陈弘育 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司
申请日： 2004-11-24 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储电容和采用该存储电容的液晶显示器。该存储电容包括一第一电容电极、一设置在该第一电容电极上的介电层和一设置在该介电层上的第二电容电极；其中，该第一电容电极与第二电容电极中至少其中之一上包括至少一孔洞。由于孔洞的边缘效应，存储电容具有更大的电容值。作为进一步改进，可以在该第一电容电极与第二电容电极中至少其中之一上设置多个相互分离的凸块，由于凸块的边缘作用和凸块间隙的透光作用，可进一步提高该存储电容的电容值。采用该存储电容的液晶显示器具有较大的存储电容值而且可提高像素区域的开口率。
存储电容采用液晶显示器

[实用新型]存储电容和采用该存储电容的液晶显示器-CN200420103130.X无效
发明人：洪肇逸;陈弘育 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司
申请日： 2004-12-16 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种存储电容和采用该存储电容的液晶显示器。该存储电容包括一第一电容电极、一设置在该第一电容电极上的介电层和一设置在该介电层上的第二电容电极；其中，该第一电容电极与第二电容电极中至少其中之一上包括至少一孔洞。由于孔洞的边缘效应，存储电容具有更大的电容值。作为进一步改进，可以在该第一电容电极与第二电容电极中至少其中之一上设置多个相互分离的凸块，由于凸块的边缘作用和凸块间隙的透光作用，可进一步提高该存储电容的电容值。采用该存储电容的液晶显示器具有较大的存储电容值而且可提高像素区域的开口率。
存储电容采用液晶显示器

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