“电子导体”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果1646620个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]发光二极管磊晶结构-CN201710249399.0在审
发明人：杨仲傑;王德忠 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种发光二极管磊晶结构，包含基板、缓冲层、第一半导体层、发光层、中介层、第二半导体层以及接触层。缓冲层设置于基板上。第一半导体层设置于缓冲层上。发光层设置于第一半导体层上。第二半导体层设置于中介层上，其中第二半导体层的材质为P型氮化铝镓。接触层设置于第二半导体层上。通过妥善选择中介层与第二半导体层的材质，第二半导体层相较于发光层具有较高的能阶，因此第二半导体层可以有效阻挡电子而不让电子通过。同时，中介层相较于第二半导体层具有较高的能阶，因此中介层将能更进一步地阻挡电子而不让电子通过，因而使电子得以停留在发光层中并提升发光层的发光效率。
发光二极管结构

[发明专利]能够使电磁噪声最小化的紧凑结构的电源设备-CN201410366833.X在审
发明人：半田祐一;见泽胜丰;竹本悠城;山崎正太郎;仓内俢司 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2014-07-29 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H02M1/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种电源设备，该电源设备包括：变压器、初级半导体单元、次级半导体单元和次级电子器件。在初级半导体单元和次级半导体单元中的每一个中安装有多个半导体器件。变压器、初级半导体单元、次级半导体单元和次级电子器件通过连接导体电结合。变压器被放置在初级半导体单元上以构成第一堆叠体。类似地，次级电子器件被放置在次级半导体单元上。
能够电磁噪声最小化紧凑结构电源设备

[发明专利]电子装置-CN202211196530.9在审
发明人：杨亚伦;吴文洲;郭哲宏 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开一种电子装置，包括：主印刷电路板(PCB)组件，包括底部PCB和安装在该底部PCB的上表面上的半导体封装，其中该半导体封装包括基板和安装在该基板的上表面上的半导体晶粒，其中该半导体晶粒和该基板的该上表面由模塑料封装；以及顶部PCB，通过第一连接元件安装在该半导体封装上。本发明实施例中通过在半导体封装的上表面也安装顶部PCB，可以大大提高电子装置的设计弹性，例如可以通过顶部PCB为电子装置提供更多的电子元器件，而不占用半导体封装的下表面的空间，避免或减少增加电子装置的平面面积
电子装置

[发明专利]使用电子显微法的半导体计量及缺陷分类-CN201880085014.4有效
发明人： S·潘戴夫;A·库兹涅佐夫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2018-12-31 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：在一些实施例中，从第一源获得半导体结构的相应实例的第一多个电子显微镜图像。所述第一多个电子显微镜图像展示一或多个半导体制造参数的不同值。训练模型，所述模型指定所述第一多个电子显微镜图像与所述一或多个半导体制造参数的所述值之间的关系。收集一或多个半导体晶片上的所述半导体结构的相应实例的第二多个电子显微镜图像。所述一或多个半导体晶片不同于所述第一源。使用所述模型预测所述第二多个电子显微镜图像的所述一或多个半导体制造参数的值。
使用电子显微半导体计量缺陷分类

[发明专利]一种利用半导体极性场提高热电子注入效率的方法-CN201610591886.0有效
发明人：刘铎;贾冉;赵东方;高乃坤;颜为山;张玲 -专利权人：山东大学
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用半导体极性场提高热电子注入效率的方法。该方法的具体步骤包括：选取合适的极性半导体并判断其极性场的方向，在有利于电子注入的极性面上制备可以产生热电子的结构，选取合适方法激发热电子的产生，在半导体极性场的作用下促进热电子的注入。本发明所采用的方法谱适性高，可以适用于各种热电子的应用领域。本发明还大大扩展了热电子产生材料的选择性，不仅仅局限于必须与半导体形成肖特基接触的金属。另外，由于半导体极性场一般都远大于肖特基结的电场，也大大提高了热电子的注入效率。
一种利用半导体极性提高电子注入效率方法

[发明专利]集成电子三极管-CN201610214728.3在审
发明人：钱伟国 -专利权人：太仓凯丰电子科技有限公司
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开一种集成电子三极管，所述的集成电子三极管包括最外层半导体材料层，中间层合金材料层和最内层的硅材料层，所述半导体材料层为无机化合物半导体、有机化合物半导体或非晶态与液态半导体，所述的半导体材料层占集成电子三极管总体分量的42‑48%，所述的合金材料层占集成电子三极管总体分量的25%‑30%，所述的硅材料层占集成电子三极管总体分量的25%‑30%，本发明提供一种集成电子三极管，具有工作效率高、使用寿命长、节约资源的优点。
集成电子三极管

[发明专利]半导体封装结构-CN202111333422.7在审
发明人：吕文隆 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本申请实施例涉及一种半导体封装结构及其形成方法。半导体封装结构包括衬底，衬底具有容置凹槽。半导体封装结构还包括桥接线路结构，设置在容置凹槽内。第一线路层和位于第一线路层上的第二线路层，设置在衬底上。半导体封装结构还包括位于第二线路层上的第一电子元件和第二电子元件，第一电子元件和第二电子元件电连接桥接线路结构，桥接线路结构位于第一电子元件和第二电子元件之间的中间区域向下的投影区外。本发明的目的在于提供一种半导体封装结构，以至少提高半导体封装结构的良率。
半导体封装结构

[发明专利]耗尽电压获取方法-CN202111367378.1在审
发明人：柳月波;赖灿雄;杨少华;路国光 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种耗尽电压获取方法，耗尽电压获取方法用于获取半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压，耗尽电压获取方法包括：获取半导体器件的电容‑反向偏置电压特性曲线；获取电容‑反向偏置电压特性曲线中的电容对反向偏置电压的二阶微分，并得到半导体器件的二阶微分特性曲线；根据半导体器件的二阶微分特性曲线，获取半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压，此方法简单直观，可以快速获取半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压
耗尽电压获取方法

[发明专利]电子部件装设方法和电子部件装设工具-CN03125575.2有效
发明人：小泉大辅;丸山茂幸;田代一宏;渡边直行 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-09-19 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：制备了适合于半导体装置的外部形状的一种电子部件装设工具。该电子部件装设工具具有使半导体装置的位置与IC插座对准的功能。电子部件装设工具安装在形成于IC插座上的标准表面上，而实质上与半导体装置的外部形状无关。然后，通过使用电子部件装设工具将半导体装置与IC插座对准并装设到该IC插座上，并且从IC插座上取下电子部件装设工具。制备了适合于另一半导体装置的外部形状的另一电子部件装设工具，并且执行与上述相同的过程，以便将该半导体装置与相同类型的IC插座对准并装设到该IC插座上。
电子部件装设方法工具

[发明专利]便携电子系统、半导体组件及将热能转化为电能的方法-CN201610332811.0有效
发明人：余龙昆;张晋强;祁嘉威;叶佳峰;陈泰宇 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L23/38 文献下载
摘要：本发明提供一种便携电子系统、半导体封装件组件及在便携电子系统中将热能转化为电能的方法。其中所述的便携电子系统包括半导体封装件，包括基板、半导体裸片及热电装置芯片，其中该半导体裸片耦接于该基板，该热电装置芯片设置为在该半导体裸片上并耦接于该基板，且该热电装置芯片配置用于检测从该半导体裸片产生的热能以将该热能转化为回收电能；以及电力系统，耦接于该半导体封装件，该电力系统配置用于存储该回收电能。本发明提供的便携电子系统有效利用了半导体封装件中产生的热能，转化为电能，并提供给电子系统以延长工作时间。
便携电子系统半导体组件热能转化电能方法

[实用新型]无电磁辐射的电子节能灯-CN200420099256.4无效
发明人：滕洪福 -专利权人：滕洪福
申请日： 2004-12-24 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： F21V23/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种无电磁辐射的电子节能灯，由灯座、电子镇流器、灯管、罩扣电子镇流器和灯管的灯罩、与电子镇流器电连接的电源线输入线组成，灯座采用导体灯座，导体灯座经辐射耦合器与电源输入线电连接，灯罩采用透明导体灯罩，透明导体灯罩与导体灯座充分接合，在导体灯座与辐射耦合器之间串接有自动开关，自动开关是带有常开触点的按钮开关，设于灯座与灯罩内，由灯罩压靠按钮使常开触点闭合而通路。导体灯座和透明导体灯罩将电子镇流器和灯管产生的辐射进行屏蔽，并通过自动开关、辐射耦合器将辐射信号耦合到交流电源线上消除。
电磁辐射电子节能灯

[发明专利]光电子半导体器件和显示装置-CN201080015254.0有效
发明人： P.布里克;M.维特曼;S.韦伯-拉布西尔伯 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2010-03-01 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： H01L25/13 文献下载
摘要：在光电子半导体器件（1）的至少一个实施形式中，该光电子半导体器件（1）包括至少两个光电子半导体芯片（2），所述至少两个光电子半导体芯片（2）被设立来在工作时在彼此不同的波长范围中发射电磁辐射。所述半导体芯片（2）被安置在共同的支承体（4）的安装面（40）上。此外，该光电子半导体器件（1）包含至少两个非旋转对称地构成的透镜体（3），所述透镜体（3）被设立来沿着两个彼此正交的方向（H，V）平行于安装面（40）地以彼此不同的辐射角（α）使辐射成形。在辐射方向（z）上，在半导体芯片（2）中的每个的下游设置有或者与半导体芯片（2）中的每个都相关联有所述透镜体（3）之一。
光电子半导体器件显示装置

[发明专利]多管芯电子直写式圆珠笔-CN201310363332.1在审
发明人：郑义;刘静 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多管芯电子直写式圆珠笔，包括：笔架结构，用于承载装有液态金属导电油墨、绝缘油墨及半导体油墨的多管式笔芯；笔芯，用于装载液态金属导电油墨、绝缘油墨及半导体油墨，并使油墨能直写在基底上；其中，所述液态金属导电油墨用于印制或写出导体结构，所述半导体油墨用于印制或写出半导体结构，所述绝缘油墨用于封装导体结构或半导体结构。本发明提出的用于直写电路及电子器件的多管芯电子直写式圆珠笔，因引入了可印刷的液态金属导电油墨及配套的半导体油墨，使得电路以及电子器件能以一种像写字的方式直接制造出来。
管芯电子直写式圆珠笔

[发明专利]包括天线装置的电子设备-CN201680010712.9有效
发明人：俞在业;李正圭;林炳万 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-02-22 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01Q1/24 文献下载
摘要：提供了一种包括天线装置的电子设备。该电子设备包括：壳体构件；框架，围绕壳体构件的一个表面的周边设置，形成侧壁；以及天线装置，用于发送和接收无线信号。天线装置包括：第一辐射导体，形成框架的第一部分；第二辐射导体，设置在第一辐射导体附近，形成框架的第二部分；第三辐射导体，提供在壳体构件上并与第一辐射导体一起连接到电子设备的第一电源；以及第四辐射导体，提供在壳体构件上并且连接到电子设备的接地第四辐射导体的至少一部分设置在第二辐射导体附近。
包括天线装置电子设备

[发明专利]具有异质结构量子阱沟道的三维存储器器件-CN201680015932.0有效
发明人： P.拉布金;J.帕查穆图;J.阿尔斯梅尔;东谷政昭 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：可以在延伸穿过包括控制栅电极的多个导电层的垂直半导体沟道中形成被限制在二维圆柱形区域的圆柱形限制的电子气。在存储器开口中的存储器膜被插入在垂直半导体沟道和导电层之间。垂直半导体沟道包括更宽带隙的半导体材料和窄带隙半导体材料。在更宽带隙的半导体材料和窄带隙半导体材料之间的界面处形成圆柱形限制的电子气。作为二维电子气，圆柱形限制的电子气可以为垂直半导体沟道提供高电荷载流子迁移率，其可以有利地用于为三维存储器器件提供更高的性能。
具有结构量子沟道三维存储器器件

首页
«上一页
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top