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[发明专利]断电预防系统-CN201911216262.0在审
发明人：颜子扬;陈志源 -专利权人：茂达电子股份有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2021-05-21 - 主分类号： H02J9/06 文献下载
摘要：本发明公开一种断电预防系统，包含开关电路、能量存储电路、电压检测电路以及控制电路。开关电路包含第一开关、第二开关、第三开关以及第四开关。能量存储电路连接开关电路。电压检测电路检测输入电压源提供的输入电压以及能量存储电路的存储电压。控制电路依据检测的输入电压与存储电压，以控制开关电路。当输入电压大于第一阈值时，开关电路允许输入电压对能量存储电路充电。当输入电压小于一第二阈值时，开关电路允许存储电压对输入电压源放电。第一阈值大于第二阈值。
断电预防系统

[发明专利]相变存储器的数据读出电路及方法-CN201910208832.5有效
发明人：李喜;解晨晨;陈后鹏;陈一峰;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种相变存储器的数据读出电路及方法，包括：参考读电压产生电路、读电压预充电电路、目标相变存储单元、未选中相变存储单元、电压比较器电路；其中，所述参考读电压产生电路与所述电压比较器电路连接，所述读电压预充电电路与所述目标相变存储单元所在位线和所述未选中相变存储单元所在位线连接，所述目标相变存储单元与所述电压比较器电路连接，所述未选中相变存储单元与所述电压比较器电路连接，所述电压比较器电路与所述读电压预充电电路连接。本发明的相变存储器的数据读出电路及方法读出速度快、功耗低且误读率低。
相变存储器数据读出电路方法

[发明专利]存储装置-CN202011065021.3在审
发明人：林哲逸 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种存储装置，包括存储单元阵列以及电压产生电路。电压产生电路电性连接存储单元阵列且包括主动电压电路与感测电路。主动电压电路用以当存储装置在主动模式时输出给存储单元阵列的操作电压。感测电路用以当存储装置在待机模式时感测操作电压并且在操作电压下降至低于临界值后短暂启动主动电压电路以拉升操作电压。
存储装置

[发明专利]一种非易失三维存储器的控制电路-CN201711281993.4在审
发明人：刘飞;霍宗亮;杨诗洋;王颀;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失三维存储器的控制电路，该控制电路包括：电压生成电路、电平检测电路、充电电路以及放电电路；电压生成电路用于为三维存储器字线提供电压；充电电路用于为三维存储器字线进行充电；放电电路用于为三维存储器字线进行放电；电平检测电路用于检测三维存储器中的字线电压是否偏离目标电压，当字线电压低于目标电压时，三维存储器通过充电电路进行充电，当字线电压高于目标电压时，三维存储器通过所述放电电路进行放电。该控制电路有效消除了三维存储器字线电压扰动，防止三维存储器因工艺偏差和偏置电压控制时序导致的字线电压耦合问题，大幅度缩短了字线电压稳定时间，显著提高了三维存储器的读写效率。
一种非易失三维存储器控制电路

[发明专利]转换电路-CN202210741322.6在审
发明人：庄博钦 -专利权人：碇基半导体股份有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：一种转换电路包含电压供应电路、存储电路及栅极端。存储电路包含第一端及源极端。电压供应电路用以根据电源供应电压以提供偏压电压。第一端用以接收低位电压。源极端用以根据存储电压与低位电压以输出源极电压，且存储电路用以根据偏压电压与低位电压以存储存储电压。栅极端用以输出栅极电压，且栅极源极电压为跨接栅极端与源极端的电压。于第一阶段时，栅极端耦接于第一端，且栅极源极电压包含负电压。
转换电路

[发明专利]一种三维存储器适应性操作装置以及方法-CN201710343097.X有效
发明人：曹华敏;付祥;王颀;霍宗亮;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-05-16 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维存储器适应性操作装置以及方法，该三维存储器适应性操作装置包括：三维存储器、字线译码器、电压选通电路、电压产生电路以及控制电路；三维存储器具有存储阵列；电压产生电路依次通过电压选通电路以及字线译码器与存储阵列连接；控制电路分别与电压产生电路、电压选通电路、字线译码器以及存储阵列连接；控制电路用于调节电压产生电路的输出电压的幅值，并通过控制电压选通电路在所述输出电压中进行选择，控制选中输出电压的选通时间，以调节存储阵列的读取本发明技术方案通过调节输出电压的幅值以及选通时间，调节存储阵列的读取、编程和擦除信号的准确性，提高了存储数据的可靠性。
一种三维存储器适应性操作装置以及方法

[发明专利]电源电路及其存储器装置-CN201710176745.7有效
发明人：王政治;蔡锡荣 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明提供一种电源电路及其存储器装置。电源电路用于提供一工作电压至一存储器阵列，并且包括电压调整电路及电压反馈电路。电压调整电路接收一系统电压以提供工作电压。电压反馈电路耦接电压调整电路以接收工作电压，并且接收一数据锁定电压，其中电压反馈电路具有一非易失性(Non‑Volatile)存储器元件，反应于数据锁定电压而设定或重置。电压反馈电路依据非易失性存储器元件为设定或重置提供一反馈电压至电压调整电路，以设定工作电压的输出电平。
电源电路及其存储器装置

[发明专利]一种存储器电路、自适应负电压写辅助控制方法及芯片-CN201811644062.0有效
发明人：姚其爽 -专利权人：成都海光集成电路设计有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：本申请提供一种存储器电路、自适应负电压写辅助控制方法及芯片，存储器电路包括：存储阵列；与存储阵列连接的负电压写辅助电路，用于根据负电压写使能信号的状态，调整向位线对施加的负电压的工作状态；与负电压写辅助电路连接，向负电压写辅助电路传输负电压写使能信号的负电压写使能信号自适应控制电路；负电压写使能信号自适应控制电路包括：复制存储阵列，复制存储阵列为存储阵列的复制结构；负电压写辅助电路用于，检测复制存储阵列的写数据情况，根据检测的写数据情况，调整负电压写使能信号的状态，以通过不同状态的负电压写使能信号，控制负电压写辅助电路调整负电压的工作状态。本申请可提升存储器写成功率，并降低存储器的功耗开销。
一种存储器电路自适应电压辅助控制方法芯片

[发明专利]一种电压增强型读出放大电路-CN201910204412.X有效
发明人：王韬 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种电压增强型读出放大电路，所述电压增强型读出放大电路包括：存储读取电路，所述存储读取电路适于输出数据电压以及参考电压，所述数据电压以及参考电压基于读取所述存储读取电路存储的数据生成；分压放大电路，所述分压放大电路的输入端耦接所述存储读取电路，所述分压放大电路适于分别对所述数据电压以及参考电压进行放大，以输出对应所述数据电压的数据放大电压以及对应所述参考电压的参考放大电压；比较放大电路，所述比较放大电路耦接所述分压放大电路，所述比较放大电路适于比较所述数据放大电压以及所述参考放大电压，并输出比较信号。本发明实施例中的技术方案可以提升读出放大电路的判断裕量。
一种电压增强读出放大电路

[发明专利]存储器及其读取方法、存储器系统-CN202111151180.X在审
发明人：魏汝新 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种存储器及其读取方法、存储器系统。所述存储器包括：存储单元阵列；外围电路，与存储单元阵列耦接，包括：多个驱动电路；电压产生电路，用于产生目标读取参考电压；驱动线，位于电压产生电路与多个驱动电路之间，用于将目标读取参考电压提供至多个驱动电路；感测线，一端耦接至电压产生电路，另一端耦接至驱动线和多个驱动电路的耦接节点，用于将驱动线和多个驱动电路的耦接节点位置的实际读取参考电压传输至电压产生电路；电压产生电路，还用于根据实际读取参考电压，调整目标读取参考电压的取值，并将调整后的目标参考电压提供至驱动电路，以对存储单元阵列执行读取操作。
存储器及其读取方法系统

[实用新型]一种离线式电压存储采集器-CN201721057216.7有效
发明人：蔡亚平;崔子鑫;耿云秀;亢可 -专利权人：国家电网公司;国网吉林省电力有限公司白城供电公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： G01R19/25 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种离线式电压存储采集器，首先通过采集电路采集待测电压采集端的电压信号；然后，通过采集电路与处理电路连接将采集信号输入至处理电路，处理电路对采集信号进行信号处理后，计算出与采集信号对应的电压值；最后，通过处理电路与存储器连接，将电压值输入至存储器进行存储，实现了对待测电压采集端的电压信号的采集及存储。而且，该离线式电压存储采集器，在安装完成后，可以全自动的将采集到的电压信号转换成电压值并存储至可拆卸的存储器，节省了人力。此外，该电压存储采集器还能实现任一待测电压采集端的电压信号的采集及存储。另外，还可以通过设置处理电路的工作频率，提高电压采集密度，实现电压的高密度采集及存储。
采集处理电路电压存储采集器存储采集信号电压信号离线式存储器采集电路待测电压电压采集电压信号转换本实用新型存储器连接工作频率可拆卸的设置处理信号处理电路

[实用新型]一种存储器保护电路及通信模块-CN202122423300.9有效
发明人：古欣;王磊;王金灿;赵成志;梁义正 -专利权人：山东有人物联网股份有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G11C16/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种存储器保护电路及通信模块，该存储器保护电路，其特征在于，包括：电压监测电路，具有检测端和输出端，所述电压监测电路的检测端用于与存储器的电源端连接，所述电压监测电路的输出端用于与存储器的写保护端连接；主控电路，具有输入端和输出端，所述主控电路的输入端与所述电压监测电路的输出端连接，所述主控电路的输出端用于与所述存储器连接；所述电压监测电路，用于对存储器的供电电压进行监测，当所述供电电压低于预设阈值时，输出电压异常信号，以使存储器进入写保护状态；所述主控电路，在检测到所述电压异常信号时，停止对存储器进行擦写操作。本实用新型保护了存储器的数据安全。
一种存储器保护电路通信模块

[发明专利]具有其温度依赖性被补偿的电流的非易失性存储器单元及其数据读取方法-CN200580008076.8有效
发明人：竹内健;二山拓也;河合矿一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-09-30 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：非易失性半导体存储器器件包括存储器单元阵列(21)，读电路(22，23，24，25，26，27，和33)，编程电路(22，23，24，25，26和27)，读电压生成电路(29)，存储器电路(34)，和切换电路读电压生成电路(29)生成和提供读电压到读电路。存储器电路(34)存储用来改变存储器单元阵列(21)中的存储器单元的温度特性的信息。切换电路(35)根据被存储在存储器电路(34)中的信息，改变由读电压生成电路(29)生成的读电压的温度依赖性。
具有温度依赖性补偿电流非易失性存储器单元及其数据读取方法

[发明专利]存储器及其参考电路的校准方法-CN201610315926.9有效
发明人：周耀;倪昊;汤天申;王韬 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器及其参考电路的校准方法，其中，所述存储器包括：存储阵列，所述存储阵列包括若干存储单元；参考电路，包括参考存储单元和参考连接端，所述参考存储单元与所述存储单元相同；校准电路，包括校准连接端；镜像电路，包括第一镜像端和第二镜像端，所述第一镜像端连接所述参考连接端，所述第二镜像端连接所述校准连接端；钳位电路，用于使所述参考连接端电压为预设电压，使所述校准连接端电压为比较电压；或者，所述钳位电路用于使所述校准连接端电压为预设电压，使所述参考连接端电压为比较电压；比较电路，用于输入所述比较电压和预设电压，输出比较结果。所述存储器不容易出现读取错误。
存储器及其参考电路校准方法

[发明专利]半导体存储装置-CN201210031140.6有效
发明人：今井丈晴;高木宏树 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2012-02-06 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本发明提供一种可以抑制对存储单元所施加的高电压的不均而精度良好地供给高电压的半导体存储装置。所述半导体存储装置包含存储单元阵列(23)、Y译码器电路(21)、X译码器电路(22)、读出放大器电路(24)、Y栅极电路(25)、高电压产生电路(2)、高电压调节电路(30)、电压调整电路(30A)等用以调整齐纳二极管(15)的阳极侧的电位而调整对存储单元阵列(23)所施加的高电压的电压修正数据被写入至存储单元阵列(23)中。使用所述电压修正数据，通过电压调整电路(30A)进行电压调整。
半导体存储装置

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