专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种手机后盖防爆膜-CN202221773669.0有效
  • 周永南;李涛 - 江阴通利光电科技有限公司
  • 2022-07-11 - 2022-10-21 - C09J7/25
  • 本实用新型公开了一种手机后盖防爆膜,包括基材层,基材层的至少一表面设置有部,部包括纵横交错的纵向单元和横向单元,纵向单元的厚度沿纵向由两侧向中部逐渐减小;横向单元的厚度沿横向由两侧向中部逐渐减小该手机后盖防爆膜,通过在基材层至少一表面设置的纵向单元和横向单元,配合手机后盖使用四周边缘贴合不易出现灰边及反弹起翘,不仅适用于平面手机后盖,且适用于周边均为曲面的手机后盖。
  • 一种手机后盖用防爆膜
  • [发明专利]一种硅片方法-CN201310425797.5有效
  • 王思亮;胡强;张世勇;樱井建弥 - 中国东方电气集团有限公司
  • 2013-09-18 - 2014-02-26 - H01L21/304
  • 本发明属于半导体集成电路制造工艺,尤其涉及一种硅片方法。步骤1,将保护材料设置在硅片的正面;步骤2,分阶段研磨的方式对所述硅片进行背面,具体过程分为两个阶段;步骤3,将研磨后的硅片放入腐蚀液中,磨砂轮以腐蚀速率v3进行湿法腐蚀;步骤4,将保护材料从硅片上去除本发明减少了硅片在过程中产生的缺陷,既保证了硅片的批量化进行,又能有效地减少因为所带来的背面缺陷和损伤层,并对个和腐蚀过程中的厚度比例以及速率有精细的控制,所以过程中硅片表面不会产生较多的缺陷和损伤,并通过后的离子注入验证了缺陷减少的效果。
  • 一种硅片方法
  • [实用新型]金属容器用拉深成型装置及拉深模支撑体-CN201521066366.5有效
  • 山内法夫 - 山内法夫
  • 2015-12-18 - 2016-11-30 - B21D51/26
  • 一种具备环状的拉深模(4a)的金属容器用拉深成型装置以及支撑环状的拉深模的金属制的拉深模支撑体,通过在拉深模中插通组装到冲头套筒(2)的前端的金属制的有底筒状体(W)来对有底筒状体的筒状部(W1)的外表面实施拉深加工,在拉深模支撑体的定心环固定器(7a)上形成有弹性地支撑拉深模的折曲状的弹性片(14),弹性片以在拉深模的半径方向挠曲的方式配设。对筒状部进行拉深加工而在拉深模的半径方向仅施加较小负荷时充分确保偏心量而不使筒状部产生厚度不均,在拉深模的半径方向施加较大负荷时能抑制偏心量随着该负荷过度变大,防止筒状部、装置发生破损。
  • 金属容器用减薄拉深成型装置减薄拉深模用支撑
  • [发明专利]一种碲锰镉晶体透射电镜截面样品的制备方法-CN201810547937.9有效
  • 栾丽君;刘宗文;刘宏伟;周翠凤;郑丹 - 长安大学
  • 2018-05-31 - 2021-02-02 - G01N23/2202
  • 本发明涉及一种碲锰镉透射电镜截面样品的制备方法,步骤一:第一面初磨,待磨光碲锰镉透射电镜样品依次9μm金刚石薄膜、3μm金刚石薄膜和1μm金刚石薄膜进行第一面磨光得到初磨样品;步骤二:样品支撑,砷化镓对步骤一得到的初磨样品的磨光面进行支撑;步骤三:第二面预至出现楔形区,依次9μm的金刚石薄膜、3μm的金刚石薄膜和1μm的金刚石薄膜进行初磨样品的第二面磨光得到预的具有楔形区的样品;步骤四:楔形区精密离子仪对步骤三得到的具有楔形区的预样品进行精密精密过程仅需2~4小时,大大降低了离子束轰击造成的缺陷。三天时间可制备一个或一批碲锰隔透射电镜截面样品,成功率高。
  • 一种碲锰镉晶体透射截面样品制备方法
  • [发明专利]一种单晶硅电池生产工艺硅片设备-CN201611027979.7有效
  • 梁叶青 - 安徽省凤阳县前力玻璃制品有限公司
  • 2016-11-18 - 2019-11-05 - H01L21/67
  • 本发明属于单晶硅电池生产技术领域,尤其涉及一种单晶硅电池生产工艺硅片设备。本发明要解决的技术问题是提供一种速度快、操作简单、薄厚薄均匀的单晶硅电池生产工艺硅片设备。为了解决上述技术问题,本发明提供了这样一种单晶硅电池生产工艺硅片设备,包括有第一转轴、蜗轮、平皮带、第二转轴、第一轴承座、大皮带轮、齿轮、第一安装座、齿条、滑块、滑轨、右架等;底板顶部右端焊接有右架本发明达到了速度快、操作简单、薄厚薄均匀的效果,且本设备发挥的重要作用不仅有良好的效果,还提高了工作效率,安全性高。
  • 一种单晶硅电池生产工艺硅片设备
  • [发明专利]一种评价含渐进局部缺陷弯管极限承载能力的方法-CN202211172372.3在审
  • 高炳军;祁勇;李岩;余雏麟;董俊华 - 河北工业大学
  • 2022-09-26 - 2022-11-25 - G06F30/23
  • 本发明为一种评价含渐进局部缺陷弯管极限承载能力的方法,通过有限元极限载荷分析确定已知局部尺寸弯管的极限承载荷能力;结合壁厚定点测厚结果,采用计算流体力学与动网格法分析弯管冲蚀磨损区域与最大冲蚀深度随时间的变化规律,获得实际局部形貌缺陷随时间的变化规律;确定与实际局部形貌缺陷极限载荷相当的当量局部缺陷的区域范围与深度,据此得到实际冲蚀区域范围和最大冲蚀深度随时间的变化规律,从而实现含渐进局部缺陷弯管极限承载能力评价避免了对实际情况建模的复杂过程,提出工程上可实现方法,实际形貌CFD范围的计算结果表达,评价实际过程更加简便。
  • 一种评价渐进局部缺陷弯管极限承载能力方法

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