“状单晶硒”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果837709个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种骰子状PbS单晶及其合成方法-CN200810244707.1无效
发明人：贾冲;陈翌庆;苏勇 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2008-11-26 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种骰子状PbS单晶的合成方法，特征是采用水和二乙烯三胺按体积比1∶1-3混合作为溶剂，将硫代乙酰胺和相同摩尔数的硝酸铅或醋酸铅加入到上述溶剂中，使得硫代乙酰胺和铅盐在反应体系中的浓度为0.01-1M，搅拌均匀后密封于耐压容器中在120-180℃保温6-12h，将产物过滤清洗，烘干后即得到棱长200-1000nm的面心立方的骰子状单晶PbS，每个面心部分都有一个凹坑，骰子状PbS单晶的六个表面是六个等价的
一种骰子 pbs 及其合成方法

[发明专利]半导体衬底的制造方法-CN201110193390.5有效
发明人：山崎舜平;川俣郁子;荒井康行 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-03-26 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：当从单晶半导体衬底(键合片)转置单晶半导体层时，通过对单晶半导体衬底选择性地进行蚀刻(也称为形成槽的加工)来形成分成为多个的单晶半导体层，然后将该多个单晶半导体层转置到异种衬底(支撑衬底)，该单晶半导体层的尺寸是所制造的半导体元件的尺寸因此，可以在支撑衬底上形成多个岛状单晶半导体层(SOI层)。
半导体衬底制造方法

[发明专利]一种金属铂的半金属化合物制备工艺-CN202210949604.5在审
发明人：顾秀华 -专利权人：顾秀华
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C22B11/00 文献下载
摘要：特别是一种金属铂的半金属化合物制备工艺，该工艺包括以下步骤：S1、将含有微量的贵金属铂的金属块加入溶解液中，待金属块溶解后，加入碱液，得到沉淀；S2、对沉淀进行灼烧处理，得到贵金属铂；S3、将金属铂与硒单质反应得到多晶二硒化铂；S4、将多晶二硒化铂抽真空并加热反应，得到金属铂的半金属化合物单晶二硒化铂；所述步骤S1中使用提纯装置对含有微量的贵金属铂的金属块进行提纯，所述提纯装置包括内部转动有搅拌架的融化箱，融化箱的侧面设有开口
一种金属化合物制备工艺

[发明专利]一种硒化镉或硫化镉二维单晶纳米片的制备方法-CN201610008705.7在审
发明人：孟祥敏;朱丹丹;夏静;王磊;李玄泽 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2016-01-07 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明公开一种硒化镉或硫化镉二维单晶纳米片的制备方法。该方法采用范德华外延生长技术制备CdSe或CdS二维单晶纳米片，此方法的特征是采用表面光滑且无化学悬键的云母片为衬底，以CdCl2粉末、Se粉或S粉为源材料，氩气为载气，在高温条件下CdCl2蒸气与Se或S蒸气反应形成CdSe或CdS蒸气，然后沉积到云母片上形核并外延生长成为CdSe或CdS二维单晶纳米片。
一种硒化镉硫化二维纳米制备方法

[发明专利]一种高取向性硒化锑薄膜及其制备方法-CN201610505363.X有效
发明人：唐江;冷美英;何一粟 -专利权人：武汉光电工业技术研究院有限公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明属于光电材料及薄膜太阳能电池制备领域，公开一种高取向性硒化锑薄膜及其制备方法，尤其是取向良好的硒化锑薄膜，所述高取向性硒化锑薄膜为一维链状材料，良好取向即为沿<002>方向生长的硒化锑链组成的薄膜所述制备方法，具体为两步，包括采用热蒸发法或其他方法制备锑金属薄膜，然后进行硒（硫）化处理的方法。本发明中的方法，可获得良好取向的硒化锑薄膜，有希望得到更高效的硒化锑薄膜太阳能电池，且简单易行，成本低廉。
一种向性硒化锑薄膜及其制备方法

[发明专利]一种硒-介孔载体复合物及其制备方法和用途-CN201310066870.4有效
发明人：郭玉国;杨春鹏;殷雅侠;万立骏 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2013-03-04 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂-硒电池及其制备方法。该锂-硒电池包含金属锂负极、硒-介孔载体复合物正极和有机电解液。所述硒-介孔载体复合物正极由硒与介孔载体按一定比例混合后加热制成，硒以环状硒分子和/或无定形链状硒分子形式均匀分散于介孔载体的介孔孔道内。所述介孔载体包括碳介孔载体，非碳介孔载体及其组合物。本发明提供的锂-硒电池有体积小、容量大、寿命长、效率高、反应平台单一等优点，是一种新型高体积能量密度型的二次储能电池。其主要组成部分硒-介孔载体复合物正极的制备方法简单，原料易得，适宜大规模生产，具备很高的实用性。
一种载体复合物及其制备方法用途

[发明专利]石榴石单晶的制备方法和由该方法制得的石榴石单晶-CN200380110797.0无效
发明人：尹泰铉;李钟柏;裴乘铁 -专利权人：金裕坤
申请日： 2003-12-11 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：在此公开了一种由含有碱金属氧化物或碳化物、石榴石单晶原料和作为熔剂的Bi₂O₃－B₂O₃－PbO的熔融体通过液相外延制备磁性石榴石单晶的方法，其中，由于熔融体粘度降低，石榴石单晶在相对低的温度下生长，并且长成的石榴石单晶具有均匀的厚度和镜状表面，没有任何晶体缺陷。还公开了通过该方法制得的磁性石榴石单晶。
石榴石制备方法法制

[发明专利]一种基于电场环境下二维过渡金属硫属化合物单晶定向生长晶圆级单晶的制备方法-CN202310270894.5在审
发明人：郭东;邵功磊;周震 -专利权人：郑州大学
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电场环境下二维过渡金属硫属化合物单晶定向生长晶圆级单晶的制备方法。将金属氧酸盐溶液均匀涂敷在SiO2/Si硅片基底上；然后将硅片基底置于管式炉第一高温区，将硫粉或硒粉置于第二高温区；对管式炉中石英管持续通入生长载气，在生长载气气氛下进行反应；打开平板电场电源开关，调节电压使平板电场保持恒定的电场强度；对第一高温区进行加热生长；同时也对第二高温区进行加热恒温处理；结束后，持续通入生长载气，直到降至室温，得到产品二维晶圆级过渡金属硫属化合物单晶本发明能够解决二维过渡金属硫属化合物过程中晶畴取向随机、单晶尺寸小以及多层堆叠和晶界密度高等问题，避免对生长基底的特殊要求，降低生产成本和工艺难度。
一种基于电场环境二维过渡金属化合物定向生长晶圆级单晶制备方法

[发明专利]一种氢化锂单晶的制备方法及使用的装置-CN202111545952.8有效
发明人：谢东华;雷洪波;李启寿;杨勇;刘帅帅;甘杰;叶小球;蔡永军;涂昌银 -专利权人：中国工程物理研究院材料研究所
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及氢化锂单晶制备技术领域，尤其涉及一种氢化锂单晶的制备方法及使用的装置。本发明提供了一种氢化锂单晶的制备方法：在氢气的气氛中，处于静止状态的液态氢化锂在移动温度场中生长单晶；所述生长单晶时，固液界面处的液态氢化锂的温度梯度≤10℃/cm，所述移动温度场由加热装置移动形成。本发明提供的制备方法之制备得到的氢化锂单晶晶体缺陷少品质高。由实施例的结果表明，本发明提供的制备方法制备的氢化锂单晶呈半透明状，X射线衍射峰仅有(002)和(004)衍射峰，衍射峰强度高而尖锐，表明氢化锂单晶的阶梯缺陷少，单晶品质高。
一种氢化锂单晶制备方法使用装置

[发明专利]硒功能化蜂窝状多孔碳纳米片的电化学传感电极-CN202011001104.6有效
发明人：马慧媛;初明月;朱迪;谭立超;庞海军;王新铭 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：一种基于硒功能化蜂窝状多孔碳纳米片电化学传感电极。本发明属于电化学传感器技术领域，具体涉及一种基于硒功能化蜂窝状多孔碳纳米片的电化学传感电极。产品：由GCE电极和GCE电极外包裹的一种基于硒化功能蜂窝状多孔碳纳米片复合物构成；以此电化学传感电极为基础构建的电化学传感器对鸟嘌呤核苷具有优异的检测性能。
功能蜂窝状多孔纳米电化学传感电极

[发明专利]一种板状超粗单晶碳化钨及其制备方法-CN202211601229.1在审
发明人：孙丰龙;苗超;赵中伟 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C30B29/64 文献下载
摘要：本发明提供了一种板状超粗单晶碳化钨及其制备方法，该制备方法包括步骤：将碳化钨、熔剂金属、石墨和诱导剂混合，加热至熔化后保温进行反应，反应完成后，冷却至室温，分离，得到板状超粗单晶碳化钨；其中，所述熔剂金属为金属铁或钴；所述诱导剂为金属钇、钛和钒的混合物；该方法原料来源容易，合成方法简单，成本低廉，且得到的碳化钨单晶发育完整，可用于地矿类行业的硬质合金。
一种板状超粗单晶碳化及其制备方法

[发明专利]一种利用硅棒头尾料制备单晶硅片的方法及应用-CN202011642233.3在审
发明人：陈涛;季建;岳维维;曹育红 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用硅棒头尾料制备单晶硅片的方法，用于制备单晶硅片，所述硅棒头尾料包括：圆形底部，位于圆形底部上的凸起部；所述方法包括如下步骤：（S1）截断：沿圆形底部向凸起部过渡的方向截断凸起部中满足硅片直径的部分，得圆台状硅块；（S2）拼接：将圆台状硅块拼接，得拼接硅棒；（S3）开方：对拼接硅棒进行开方，得长方体硅棒；（S4）切片：沿平行于长方体硅棒底面的方向对硅棒进行切片，得到单晶硅片。本发明提供了一种单晶硅片的制备方法，利用对单晶硅棒的头尾料进行切割而制得，提高了原有硅棒的利用率；减少了头尾料重新回炉而带来的二次消耗。
一种利用棒头制备单晶硅方法应用

[发明专利]六角稀土锰酸盐片状单晶的制备方法-CN202110917214.5在审
发明人：王学云;高子岩;洪家旺 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C01G45/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种六角稀土锰酸盐片状单晶的制备方法，包括：将目标原材料置于研钵中，研磨成粉末状；目标原材料包括第一目标原材料和第二目标原材料；将粉末状目标原材料置于坩埚中，并置于箱式炉内；将箱式炉内的温度以升温速度从室温升到1290℃～1340℃，保温6.5h～7.5h，熔融为液态；将箱式炉内的温度以1.6℃/h～1.8℃/h降温速度降到952℃～958℃，保温2.2h～2.8h，生长六角稀土锰酸盐片状单晶，并将该片状单晶与熔融的第二目标原料分离，待箱式炉内温度恢复到室温，从坩埚中获取上述片状单晶。本申请通过完整易操作的制备流程，获取高质量的六角稀土锰酸盐片状单晶。
六角稀土锰酸盐片状制备方法

[发明专利]一种横向搭桥拼接生长大面积单晶金刚石的方法-CN201810671214.X在审
发明人：王宏兴;王艳丰;常晓慧;邵国庆;魏孔庭;张景文;卜忍安;侯洵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向搭桥拼接生长大面积单晶金刚石的方法，将单晶金刚石衬底I和单晶金刚石衬底II进行拼接，在接缝处生长出桥状连接部分，并继续外延生长得到完整的大面积单晶金刚石层；其中，单晶金刚石衬底I在拼接处的厚度小于单晶金刚石衬底
单晶金刚石金刚石衬底拼接大面积单晶拼接处生长搭桥金刚石层生长过程外延生长相对移动接缝处拼接缝裂开桥状

[发明专利]一种水稻富硒强锌功能型专用肥料-CN202211270919.3在审
发明人：史广宇;唐浩 -专利权人：镇江丰泰农业科技有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： C05G3/00 文献下载
摘要：本发明涉及肥料技术领域，且公开了一种水稻富硒强锌功能型专用肥料，包括以下重量份数配比的原料：巨大芽孢杆菌25—55份、胶质芽孢杆菌30—70份、嗜麦芽寡养单胞菌30—60份、聚多曲霉25—45份、蜡状芽孢杆菌该水稻富硒强锌功能型专用肥料，通过将巨大芽孢杆菌、胶质芽孢杆菌、嗜麦芽寡养单胞菌、聚多曲霉、蜡状芽孢杆菌、微生物复合菌剂均为粉末，所述巨大芽孢杆菌、胶质芽孢杆菌、嗜麦芽寡养单胞菌、聚多曲霉、蜡状芽孢杆菌、微生物复合菌剂使用不同比例的混合，再将混合物制成颗粒，使得肥料颗粒可以有效活化土壤中的锌和硒，提高农作物对锌和硒的吸收率。
一种水稻富硒强锌功能型专用肥料