“状单晶硒”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果837709个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种单晶硅高通量微针结构-CN201920463684.7有效
发明人：蔡晓雨 -专利权人：苏州泽矽能电子科技有限公司
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： A61M37/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单晶硅高通量微针结构，包括单晶硅衬底、单晶硅微针针体阵列和通量孔，所述单晶硅微针针体阵列均匀分布在所述单晶硅衬底上表面，所述通量孔为单个或多个，贯穿设置于所述单晶硅衬底上，所述通量孔和所述单晶硅微针针体阵列互不干涉，所述单晶硅微针针体阵列中的微针针体为实心针体，所述实心针体轴线与单晶硅衬底表面垂直，所述实心针体为圆锥状或多棱锥状，所述单晶硅微针针体阵列排布形式为蜂窝型、方型或三角型中的一种。
单晶硅微针针体阵列实心针通量高通量衬底本实用新型衬底上表面衬底表面持续提供互不干涉排布形式微针结构一致性好成品率多棱锥蜂窝型贯通孔体轴线圆锥状方型皮下针体垂直贯穿加工

[发明专利]白光发光二极管元件-CN03107923.7无效
发明人：赖穆人;刘家呈;章烱煜 -专利权人：威凯科技股份有限公司
申请日： 2003-03-25 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种白光发光二极管，其以碲化锌或硒化锌为衬底，且于衬底上藉由设置一单晶结构的磷化硼缓冲层，致使一立方晶体的蓝光二极管可直接外延生长于该磷化硼缓冲层上。当此蓝光二极管发出波长为450nm至470nm的蓝光时，碲化锌或硒化锌衬底则吸收其部分蓝光后，发出波长为550nm的黄绿光。此黄绿光遂与蓝光混和后，即产生白光。
白光发光二极管元件

[发明专利]一种硒化钴/碳气凝胶复合材料、其制备方法及其应用-CN201911380036.6有效
发明人：张和平;潘月磊;程旭东;龚伦伦 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种硒化钴/碳气凝胶复合材料，由具有三维介孔网络结构的碳气凝胶和原位生长于所述碳气凝胶介孔中的硒化钴纳米颗粒组成。本申请还提供了一种硒化钴/碳气凝胶复合材料的制备方法及其应用。本申请提供的硒化钴/碳气凝胶复合材料具有独特的三维笼状结构，三维笼状硒化钴/碳气凝胶复合材料具有很高的赝电容特征，其作为钠离子电池的负极材料，有利于增强材料的高倍率性能和长循环稳定性。
一种硒化钴凝胶复合材料制备方法及其应用

[发明专利]一种向钢液中加硒的方法-CN88102637.9无效
发明人：杨凡;孙兆根 -专利权人：大冶钢厂
申请日： 1988-04-30 - 公布日： 1992-09-30 - 主分类号： C22C33/06 文献下载
摘要：一种冶炼高质量钢时向钢液中加硒的方法，特别适用于生产含硒的不锈钢和含硒的热冲模钢。本发明提供的方法，能在非真空冶炼和浇铸条件下，将粉末状或块状金属硒加入钢液中，回收率稳定，平均在25％左右，最高可达40％。
一种钢液中加硒方法

[发明专利]富有机硒食用油及其制备方法-CN201611076922.6有效
发明人：张敏明;袁林喜 -专利权人：苏州硒谷科技有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： A23D9/007 文献下载
摘要：本发明涉及一种富有机硒食用油的制备方法，包括以下步骤：将L‑硒甲基‑硒代半胱氨酸加入至熔融的司盘40中，搅拌混匀后再加入司盘80继续搅拌，得到脂溶性L‑硒甲基‑硒代半胱氨酸；将脂溶性L‑硒甲基‑硒代半胱氨酸与食用油混匀，得到富有机硒食用油。本发明通过选择合适的乳化剂，将L‑硒甲基‑硒代半胱氨酸制备成脂溶性有机硒，与食用油混合后制备出富有机硒食用油，所制备的食用油呈均一、透明状，且达到了定量控制食用油中硒含量的目的。
有机食用油及其制备方法

[发明专利]一种基于脉冲激光沉积技术的铋氧硒外延薄膜制备方法-CN202210294266.6在审
发明人：乔梁;陈培;高云冲;周祥寅 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明属于薄膜沉积技术领域，具体提供一种基于脉冲激光沉积技术的铋氧硒外延薄膜制备方法，用以解决铋氧硒薄膜制备过程中出现的结晶度不高、杂质浓度过高等问题。本发明采用铋氧硒靶材，基于脉冲激光沉积技术于钙钛矿氧化物单晶衬底上外延生成铋氧硒薄膜，对脉冲激光沉积参数进行精准设计：设置背底真空小于9×10‑3Pa、靶材与衬底之间的距离为base:Sup>～4J/cm2、脉冲激光聚焦在靶材上的光斑面积为1～2.5mm2，最终制备得高结晶度、无杂质的铋氧硒外延薄膜，为研究和设计基于铋氧硒的功能器件提供了基础条件。
一种基于脉冲激光沉积技术铋氧硒外延薄膜制备方法

[发明专利]一种方形孔状结构Bi3O4Br单晶纳米环光催化材料的制备方法-CN201710184486.2有效
发明人：胡军成;熊旭阳;刘修凡 -专利权人：中南民族大学
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： B01J27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种方形孔状结构Bi₃O₄Br单晶纳米环光催化材料的制备方法。利用可溶性铋盐和含溴化合物为主要原料，通过两种表面活性剂的调控，用溶剂热法制备出方形孔状结构Bi₃O₄Br单晶纳米环光催化材料。扫描电子显微镜图像显示合成的方形孔状结构Bi₃O₄Br单晶纳米环的微观结构为一种由多层Bi₃O₄Br片堆积而形成的比较规则的方形孔状结构结构本发明所制得的方形孔状结构Bi₃O₄Br单晶纳米环光催化材料能够较好的吸收可见光，在模拟可见光产氧、降解水杨酸、甲基橙的实验中显示出了高的光催化活性。本发明合成的方形孔状结构Bi₃O₄Br单晶纳米环光催化材料的方法简单、合成条件温和、有利于大规模工业生产。
一种方形结构 bi3o4br 纳米光催化材料制备方法

[发明专利]红外非线性光学单晶体硒镓锡-CN201310554214.9有效
发明人：罗中箴;李元兵;林晨升;程文旦;张炜龙;张浩 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2013-11-09 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本发明公布一种红外非线性光学单晶体硒镓锡的合成及应用。该单晶体分子式：SnGa4Se7，分子量为950.31,属于单斜晶系，空间群Pc，单胞参数为a=7.577(4)硒镓锡晶体具有优秀的红外非线性光学性能，实验测定其粉末（粒度90‑109μm）SHG强度约为相应粒度AgGaS2的2.5倍并且满足I类相位匹配。
红外非线性光学单晶体硒镓锡

[发明专利]一类基于吡唑类有机配体的近红外、纳米金属有机框架材料及其制备方法-CN202310195029.9有效
发明人：刘晓院;夏海伦 -专利权人：深圳职业技术学院
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：本发明公开了一类基于吡唑类有机配体的近红外、纳米金属有机框架材料及其制备方法，包括合成基于吡唑类的近红外有机配体；依据所述基于吡唑类的近红外有机配体，合成NIR‑MOFs单晶；依据所述NIR‑MOFs单晶本发明从分子设计与调控的角度出发，合成了一系列基于吡唑与萘并硒二唑、苯并双噻二唑及其类似物的具有供体‑受体‑供体结构特点的二齿吡唑类有机配体。在该化合物中，通过引入具有强吸电子特征的萘并硒二唑、苯并双噻二唑及其类似物，使目标化合物的发光波长拓展至近红外I区，最终获得多种具有近红外发光性质的有机配体，弥补了用于NIR‑MOFs合成的近红外发光有机配体的研究空白
一类基于吡唑有机红外纳米金属框架材料及其制备方法

[发明专利]一种镂空状铁硒衍生物催化剂的制备方法及其产物与应用-CN201910693473.7有效
发明人：王春栋;杨肇希;李志山 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： B01J23/745 文献下载
摘要：本发明属于电解水催化剂领域，具体公开了一种镂空状铁硒衍生物催化剂的制备方法及其产物与应用，其中制备方法包括以下步骤：(1)将导电基底与可溶二价铁盐、硒粉、还原剂和碱性溶液的混合水溶液一起进行水热反应，获得二硒化铁前驱体；(2)将生长有二硒化铁前驱体的导电基底置于碱性溶液中作为工作电极，插入参比电极和对电极后，通电并进行CV扫描，扫描循环次数不低于20次，即可在所述导电基底上得到镂空状铁氧化合物。本发明先利用水热反应得到具有镂空状形貌的铁硒化合物，再将铁硒化合物电化学活化最终得到铁氧化合物产物，与现有技术相比能够有效解决商业贵金属析氧催化剂在价格上的劣势及催化活性、稳定性等电催化特性不理想的技术问题
一种镂空状铁硒衍生物催化剂制备方法及其产物应用

[发明专利]核壳状硒化铜@镍铁类水滑石电催化剂及其制备方法和电解水应用-CN202010756889.1有效
发明人：詹天荣;臧昊;张朋;温永红;陈璐瑶;王泽琨;王磊 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2020-08-08 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明公开了一种核壳状Cu2Se@NiFe‑LDH电催化剂及其制备方法和应用。先以泡沫铜为基底，在碱性介质中通过化学氧化法在其表面原位生长Cu(OH)2纳米线，再在管式炉中用硒粉硒化转变成硒化铜纳米线，最后采用电沉积法在其表面生长镍铁类水滑石纳米片，采用气相硒化和电沉积两步法制备了核壳状硒化铜@镍铁水滑石纳米片电催化剂。所得核壳状硒化铜@镍铁水滑石纳米片催化剂呈纳米线形状，其直径为150～250nm；以Cu2Se为核，以NiFe‑LDH薄片为壳，NiFe‑LDH薄片厚度小于10nm
核壳状硒化铜镍铁类水滑石催化剂及其制备方法电解水应用

[发明专利]一种大尺寸高质量硒化锑单晶的制备方法-CN202310149436.6在审
发明人：张洪良;程浩然;杨晔;卢发 -专利权人：厦门大学
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸高质量硒化锑单晶的制备方法，包括大尺寸高质量单晶生长、块体单晶快速定向和微米级超薄片状单晶剥离步骤。单晶生长采用布里奇曼晶体生长技术，首先将按化学计量比的高纯Se和Sb粉末充分研磨、压片后，装入清洗、烘干的单端封口高纯石英管，经过机械泵和分子泵抽真空到10‑3其次，在已知温度分布的垂直布里奇曼晶体生长炉内，以一定的速率拉动上述装置通过受控温度梯度区，进行单晶生长。>Se3一维晶体结构导致的独特解理面形貌，对本方法生长的高质量Sb2Se3单晶进行快速定向
一种尺寸质量硒化锑单晶制备方法

[发明专利]一种新型有机硒-EDTA鳌合硒的制备方法-CN201811486781.4在审
发明人：王文海;张要华;宋文超 -专利权人：河南瑞贝佳生物科技有限公司
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： C05D9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型有机硒‑EDTA鳌合硒的制备方法，使用分析天平称取EDTA原料，利用EDTA和二氧化硒为原料制备有机硒—EDTA鳌合硒，解决了无机硒不适合被人和动物吸收的问题；EDTA与二氧化硒的反应温度为60‑70℃，提高有机硒—EDTA鳌合硒的反应生成速率，EDTA与二氧化硒的反应时间为1‑2h，确保制备的有机硒—EDTA鳌合硒外观颜色为白色粉末状物品，且提高产量，浓缩温度为85℃，且在浓缩过程中进行搅拌，避免温度过高或过低对制备的有机硒—EDTA鳌合硒造成影响，同时能够提高浓缩效率。
有机硒鳌合制备二氧化硒浓缩白色粉末状动物吸收分析天平浓缩效率外观颜色温度过高原料制备无机硒称取

[发明专利]一种高质量晶圆级硒氧化铋半导体单晶薄膜的批量化制备方法-CN201711315655.8有效
发明人：彭海琳;谭聪伟;吴金雄 -专利权人：北京大学
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L35/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种高质量晶圆级硒氧化铋半导体单晶薄膜的批量化制备方法。该方法包括：以含有Bi元素和Se元素的化合物为原料，以单晶晶圆为生长基底，进行化学气相沉积，得到所述Bi2O2Se薄膜本发明利用外延面对称性一致的共格外延方式生长取向一致的单晶Bi2O2Se，通过延长生长时间，制备得到了由取向一致的单晶Bi2O2Se晶粒拼接而成的连续单晶薄膜。该方法工艺流程简单，操作容易，成本低，薄膜尺寸大，并可有望应用于晶圆级Bi2O2Se单晶薄膜的批量化生产；为Bi
一种质量晶圆级硒氧化半导体薄膜批量制备方法

[发明专利]热堆式气体质量流量传感器及其制备方法-CN201910542657.3有效
发明人：王家畴;王珊珊;李昕欣 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： G01F1/688 文献下载
摘要：本发明提供一种热堆式气体质量流量传感器及其制备方法，包括：衬底；与衬底相连接的带类“非”字状槽的介质膜，且介质膜与衬底共同围成一个隔热腔体；加热元件；至少两个感测元件；单晶硅热偶臂的冷端与衬底之间呈“三明治”状热沉结构。通过引入类“非”字状介质膜以及其下表面的单晶硅热偶臂的结构，即单晶硅热偶臂的热端悬空于隔热腔体上，单晶硅热偶臂的冷端与中间介质层及衬底面面接触的热沉结构，实现了单晶硅‑金属热偶对与衬底的物理隔离，减少了本发明的衬底散热，提高了传感器的灵敏度；热沉结构，增大了单晶硅热偶臂冷端的散热性能，增大了单晶硅‑金属热偶对冷端和热端温度差，从而缩短传感器的响应时间、提高传感器的量程范围。
热堆式气体质量流量传感器及其制备方法

首页
«上一页
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
下一页»
尾页
共 100000 条