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[发明专利]一种三维交叉生长的海胆状单晶硒及其制备方法-CN201711285983.8有效
发明人：李昱;董文达;余文贝;谈海歌;陈丽华;王洪恩;苏宝连 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维交叉生长的海胆状单晶硒，其制备方法包括以下步骤：1)将聚乙烯吡咯烷酮(PVP)与硒源分别溶解在去离子水中，然后将两种溶液混合均匀，磁力搅拌条件下加入还原剂L‑抗坏血酸进行室温反应，离心洗涤得到前驱体纳米硒球；2)将所得纳米硒球分散在乙醇与水的混合溶液中，静置进行常温自生长得一种三维交叉生长的海胆状单晶硒。本发明首次提出了一种三维交叉生长的海胆状单晶硒，具有独特的三维微纳结构；且涉及的工艺简单，节能环保，无需任何水热或加热反应，反应周期短，产量高，在能源转换和储存等领域具有很好的应用前景。
一种三维交叉生长海胆状单晶硒及其制备方法

[发明专利]一种用于硒化锌单晶体生长的安瓿-CN201210129406.0无效
发明人：李焕勇;介万奇 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2008-09-01 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明是一种用于硒化锌单晶体生长的安瓿。以锌和硒为原料，以碘作为气相反应促进剂，在安瓿中一步完成硒化锌单晶生长。依次包括安瓿综合清洗、装料并抽真空密封、密封安瓿生长区热清洗、晶体生长与冷却等步骤。所用安瓿的基本结构是原料区易于Zn和Se单质混和，生长区是由通过安瓿中轴的截面上的两段弧相切构成的锥状体构成，不同于传统的由安瓿壁直接构成的锐角椎状体结构。本发明采用的技术方案能够生长直径为12～20mm的硒化锌单晶体的，所生长的硒化锌单晶体结构完整、均匀性好、应力小，具有成本低、工艺简单的特点，还能应用于其它II-VI族化合物半导体单晶的制备。
一种用于硒化锌单晶体生长安瓿

[发明专利]一种硒化锌单晶体生长方法及其生长容器-CN200810150770.9无效
发明人：李焕勇;介万奇 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2008-09-01 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明是一种硒化锌单晶体生长方法及其生长容器。以锌和硒为原料，以碘作为气相反应促进剂，在安瓿中一步完成硒化锌单晶生长。所用安瓿的基本结构是原料区易于Zn和Se单质混和，生长区是由通过安瓿中轴的截面上的两段弧相切构成的锥状体构成。本发明采用的技术方案可以生长直径为12～20mm的硒化锌单晶体的，所生长的硒化锌单晶体结构完整、均匀性好、应力小，具有成本低、工艺简单的特点，还能应用于其它II-VI族化合物半导体单晶的制备。
一种硒化锌单晶体生长方法及其容器

[发明专利]一种多孔状单晶ZnO纳米带光催化剂薄膜的制备方法-CN201910000872.0在审
发明人：李秀艳;朱邦耀;孙德武;王婧姝;丛琳 -专利权人：吉林师范大学
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔状单晶ZnO纳米带光催化剂薄膜的制备方法，属于无机材料、环境保护、光催化技术领域。本发明的目的是解决现有固化纳米ZnO光催化剂光催化剂的方法需要大量的表面活性剂及复杂的操作步骤的问题，本发明以金属锌片为基片和锌源，乙二胺为溶剂，硒粉为硒源，通过溶剂热法在锌片上合成前驱体ZnSe(en)_0.5纳米带薄膜，再经过焙烧得到多孔状单晶ZnO纳米带光催化剂薄膜。多孔状单晶ZnO纳米带光催化剂的合成和负载同步进行，减少了反应过程中的不利影响因素，所以生成物不会引入杂质、纯度高具有原料廉价、合成方法简单，操作方便等特点，此外，所得多孔状单晶ZnO纳米带薄膜在紫外光下具有较好的光催化活性
单晶ZnO 多孔状纳米带光催化剂薄膜光催化剂纳米带薄膜合成制备焙烧表面活性剂光催化活性金属锌片溶剂热法无机材料紫外光纳米ZnO 光催化前驱体乙二胺溶剂硒粉硒源锌片锌源固化环境保护引入

[发明专利]一种室温水溶液法生长硒化亚锡纳米棒锥单晶及其方法-CN201710496489.X有效
发明人：葛万银;张荔;朱建锋;殷立雄 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种室温水溶液法生长硒化亚锡纳米棒锥单晶及其方法，以二氯化锡为锡源，硒粉为硒源，将二氯化锡和螯合剂溶解在水中，得到溶液A；将硒粉溶解在氢氧化钾水溶液中，获得溶液B。通过溶液A和溶液B混合反应，即可获得硒化亚锡纳米棒锥单晶。本发明采用水溶液法，通过纳米晶的成核、熟化、晶核长大三个阶段，完成硒化亚锡纳米晶的生长，最后分离得到硒化亚锡纳米棒锥单晶，反应温度为室温，操作简单，反应时间短，容易控制；本发明所生长的硒化亚锡为纳米棒锥形貌且为纳米单晶，具有较为尖锐的纳米尖端，获得的硒化亚锡纳米棒锥单晶纯度高。
一种室温水溶液生长硒化亚锡纳米棒锥单晶及其方法

[发明专利]一种石英舟和利用该石英舟用于一次完成硒化镓多晶合成与单晶生长的方法-CN201910196498.6有效
发明人：朱崇强;陈亮;杨春晖;马天慧;郝树伟;雷作涛 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种石英舟和利用该石英舟用于一次完成硒化镓多晶合成与单晶生长的方法，本发明涉及晶体合成装置和方法。本发明是要解决现有的两步生长的单晶杂质高、成本高的技术问题。本发明的石英舟由籽晶阱区、放肩区、封闭区、开放区组成；其中籽晶阱区为一端密封的圆筒状；放肩区为圆台状；封闭区为圆筒状；开放区为半圆筒状；各区依次连接，并且它们的轴线在一条直线上。利用上述的石英舟一次完成硒化镓多晶合成与单晶生长的方法：将硒与镓加入到石英舟的封闭区，再将石英舟放在石英管中真空封装；在单温区炉合成多晶；然后将石英管直接放入垂直下降炉中生长，得到GaSe单晶。该单晶吸收系数小于0.1cm‑1。可用于晶体合成。
一种石英利用用于一次完成硒化镓多晶合成生长方法

[发明专利]一种大尺寸硒化锑单晶体材料的制备方法-CN202110520744.6有效
发明人：程江;李璐;柏栋予;李颖;唐华 -专利权人：重庆文理学院
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：一种大尺寸硒化锑单晶体材料的制备方法，依次进行硒化锑多晶原料的合成和硒化锑单晶体的生长，所述硒化锑单晶体的生长是将硒化锑多晶原料密封于石英安瓿中，置于晶体生长炉中，高温区温度控制为710~750℃，低温区控制为本发明制备的大尺寸硒化锑单晶体由1个单粒构成的单晶体，晶粒尺寸达到5.3cm以上，在用于制备太阳能电池时，本发明制备的硒化锑通过切割、抛光等处理依然能得到光滑的表面，不容易出现短路，载流子迁移率高，由于其较大的尺寸，可直接以单晶结构应用于光电探测领域，从而提高探测器性能。
一种尺寸硒化锑单晶体材料制备方法

[发明专利]一种硒掺杂羟基磷灰石及其制备方法-CN201711249751.7有效
发明人：张胜民;李艳;郝颃 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： C01B25/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种硒掺杂羟基磷灰石及其制备方法。提供一种硒掺杂羟基磷灰石，其是单晶，为棒状结构，形貌均一，分散性良好。制备方法：将磷盐和亚硒酸盐溶液滴加到钙盐和分散剂的混合溶液中80‑90℃控温反应1.5‑2.5h，得到钙磷无定形前驱体溶液，然后190‑210℃水热反应即得到棒状结构的硒掺杂羟基磷灰石。与团聚严重的掺硒的羟基磷灰石相比，本发明提供的硒掺杂羟基磷灰石分散性良好，可更好地避免使用时在人体内堵塞的问题，用于病患性的骨缺损的修复材料、抗肿瘤等多功能新型骨修复材料具有良好的应用前景。
一种掺杂羟基磷灰石及其制备方法

[发明专利]泡沫镍支撑的单晶二硒化三镍纳米线阵列及其制备方法-CN201910007237.5在审
发明人：杜卫民;顾永攀;魏少红;张道军;曹智 -专利权人：安阳师范学院
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种泡沫镍支撑的单晶二硒化三镍纳米线阵列及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。以泡沫镍为镍源，硒粉为硒源，采用乙二胺溶剂热法制备泡沫镍支撑的单晶二硒化三镍纳米线阵列。本发明方法简单、成本低，能很好地控制晶体的生长，制备的二硒化三镍为一维的单晶线状结构，该纳米线的直径为30‑‑50纳米，长度可达4‑6微米。这种泡沫镍支撑的单晶二硒化三镍纳米线阵列结构在锂离子电池、超级电容器、电解水制氢等电化学领域具有明显的应用优势。
泡沫镍单晶硒化镍纳米线阵列制备支撑纳米材料制备技术超级电容器电化学领域锂离子电池控制晶体线状结构应用优势电解水纳米线溶剂热乙二胺镍源硒粉硒源制氢生长

[发明专利]一种顶部籽晶导热的硒化镉单晶气相生长方法-CN201711434604.7有效
发明人：宋梁成;朱崇强;雷作涛;杨春晖;赵丹洋 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：一种顶部籽晶导热的硒化镉单晶气相生长方法，它涉及一种硒化镉单晶气相生长方法。一种顶部籽晶导热的硒化镉单晶气相生长方法：一、制备籽晶片；二、装料得到装料密封石英管；三、晶体生长：①、活化；②、生长；四、后处理，在籽晶片表面得到硒化镉单晶体。本发明主要用于硒化镉单晶气相生长。
硒化镉气相生长单晶导热顶部籽晶装料中远红外波段布里奇曼法密封石英管后处理光学品质晶体生长制备籽晶单晶体晶体的熔体区提拉法透过率籽晶片生长活化晶向温梯爆炸

[发明专利]一种硒化镓二维材料单晶块材的生长方法-CN201610491437.9在审
发明人：邱俊 -专利权人：南京安京太赫光电技术有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： C30B11/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种硒化镓二维材料单晶块材的生长方法，通过以纯硒粉和纯镓粉为原材料，在高温下进行化学反应得到多晶硒化镓材料。将硒化镓多晶放入三温区炉中通过布里奇曼法生长出硒化镓结晶后，再通过沿硒化镓自然解理层切割获得硒化镓二维材料单晶块材。
一种硒化镓二维材料单晶块材生长方法

[发明专利]一种二硫硒化锡单晶半导体材料的制备方法-CN201711441687.2在审
发明人：陈广福;黎永涛;胡亦渊;牟中飞;李京波 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种二硫硒化锡单晶半导体材料的制备方法，包括以下步骤：a)分别将二硫化锡粉末、硒粉和硫粉置于化学气相沉积管式炉的石英管内，所述硒粉和硫粉置于所述石英管的进气端，所述二硫化锡粉末置于所述石英管的中部；b)在惰性气体条件下，将管式炉升温至620～750℃，保温3～30分钟，生成二硫硒化锡单晶半导体材料。本发明以二硫化锡粉末、硒粉和硫粉为原料，利用化学气相沉积法在特定的环境和工艺条件下，沉积生成二硫硒化锡单晶半导体材料；所得半导体材料为二维超薄单晶材料，边长大小仅在几微米到几百微米，厚度仅为几纳米到几百纳米，打破了以往块体单晶的应用限制，能够应用于微纳电子器件中。
单晶半导体材料硫硒硫化锡粉末石英管硫粉硒粉化学气相沉积管式炉制备半导体材料惰性气体条件微纳电子器件超薄单晶工艺条件块体单晶进气端边长二维沉积保温应用

[发明专利]一种单晶硒化锡热电薄膜及其制备方法-CN201910389990.5有效
发明人：斯剑霄;陈子洁;申彤;李康银 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶硒化锡热电薄膜及其制备方法，属于热电材料领域。本单晶硒化锡热电薄膜制备方法，包括以下步骤：取衬底，置于清洗液中超声清洗10min，清洗后在60‑150℃下烘干2h，取出自然冷却；将处理后的衬底放入到旋涂机上，对衬底表面滴加分散液，旋甩10‑60s，旋甩后将衬底取出，在200℃下烘干5‑10min，得到缓冲层衬底；取硒化锡溅射靶材和制得的缓冲层衬底放入高真空多功能磁控溅射镀膜仪，抽真空，对缓冲层衬底加热，通入惰性气体，进行溅射20‑60min得到单晶硒化锡热电薄膜本发明制备方法的有益效果是制备过程简单，制得的单晶硒化锡热电薄膜单晶性好，功率因子高。
一种单晶硒化锡热电薄膜及其制备方法

[发明专利]一种硒化锑微米单晶颗粒的制备方法-CN201610168330.0有效
发明人：廖峻;张军;邵乐喜 -专利权人：岭南师范学院
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种硒化锑微米单晶颗粒的制备方法，以单质锑、单质硒和助熔剂研磨混合，真空封装在石英反应容器中600～750℃下保持48～120h，对石英反应容器快速降温；取出样品，洗涤、干燥后即得硒化锑单晶颗粒；所制备单晶颗粒的大小可以利用再结晶温度和时间来调控，颗粒的成分可以通过前驱体中各元素的摩尔比在一定范围内有效的调配，所制备得到的单晶颗粒均匀、大小可控，性能优于传统方法制备得到的单晶颗粒。
一种硒化锑微米颗粒制备方法

[发明专利]一种自然图案化单层硒化铜二维原子晶体材料及制备方法-CN201810429464.2在审
发明人：卢建臣;林晓;钱凯;张帅;杜世萱;高鸿钧 -专利权人：中国科学院物理研究所;中国科学院大学
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： C30B1/02 文献下载
摘要：公开了一种自然图案化单层硒化铜二维原子晶体材料及其制备方法。在该方法中，通过在超高真空环境下将高纯度硒原子蒸发沉积到铜单晶基底上，或者将高纯度的硒原子和铜原子共同沉积到其他基底上获得样品，然后将样品升温到生长温度后对样品进行退火处理，从而生成自然图案化单层硒化铜二维原子晶体材料这种类石墨烯结构的新型二维材料扩充了双组分二维蜂窝状晶体材料的研究领域，具有较高的科研价值和广泛的应用潜力。
晶体材料二维原子自然图案硒化铜单层高纯度硒原子基底制备超高真空环境类石墨烯结构二维材料退火处理应用潜力蒸发沉积蜂窝状铜单晶铜原子二维沉积生长科研研究

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