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[发明专利]使用牺牲材料而分离的半导体封装体-CN201511001575.6有效
发明人： J·塔利多;A·扎潘塔 -专利权人：意法半导体公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本披露的实施例涉及使用牺牲材料而分离的半导体封装体。一个或多个实施例涉及使用牺牲材料组装而成的半导体封装体，当去除该牺牲材料时，该牺牲材料将这些组装的封装体分离成多个单独的封装体。通过掩盖技术去除该牺牲材料，从而使得掩模、图案化或者对准步骤都不需要。在一个实施例中，在相邻引线之间的引线框的连接杆上的引线框上形成该牺牲材料。在模制步骤之后，该连接杆被蚀刻掉，从而暴露该牺牲材料的表面。去除该牺牲材料，由此将这些组装的封装体分离成多个单独的封装体。
使用牺牲材料分离半导体封装

[发明专利]一种发光二极管及其制作方法-CN202010151621.5有效
发明人：蔡均富 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管的制作方法，包括：（1）通过外延生长工艺形成发光二极管的外延层以及待剥离牺牲层，待剥离牺牲层位于外延层的一面侧；（2）通过光罩工艺和蚀刻工艺处理所述牺牲层，形成牺牲层图形，在牺牲层图形周围外延层的所述一面侧被部分暴露；（3）在牺牲层图形的表面以及外延层的所述一面侧覆盖一层待图形化的绝缘层；（4）通过湿法蚀刻工艺剥离掉牺牲层图形以及所述牺牲层表面的绝缘层，形成图形化的绝缘层。
一种发光二极管及其制作方法

[发明专利]具有不同栅极电介质和功函数金属的纳米片晶体管-CN201880065420.4有效
发明人：程慷果;李俊涛;李忠贤;许鹏 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：半导体器件及其制造方法包括：对包括沟道层，沟道层之间的第一牺牲层以及沟道层与第一牺牲层之间的第二牺牲层的层堆叠进行构图，以形成一个或多个器件区域。第一牺牲层由具有与第一牺牲层的材料相同的晶格常数的材料形成，并且第二牺牲层由具有与第一牺牲层的材料不匹配的晶格的材料形成。从一个或多个器件区域中的沟道层的侧壁形成源极区域和漏极区域。蚀刻掉第一和第二牺牲层，以使沟道层从源极和漏极区域悬挂下来。在沟道层上沉积栅极叠层。
具有不同栅极电介质函数金属纳米晶体管

[实用新型]用于石油输送管道的牺牲阳极-CN201921025279.3有效
发明人：胡裕风;张宇宙;郁红梅 -专利权人：海门市嘉豪船舶设备有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： C23F13/16 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种用于石油输送管道的牺牲阳极，包括半圆环形的牺牲阳极本体和铁芯，铁芯贯穿且定位于牺牲阳极本体内靠近内壁处。特别设计在于铁芯偏向于牺牲阳极本体外壁侧相接设有一层以上的铁丝网，外层铁丝网通过牺牲阳极连接杆自外向内逐层相接至铁芯。应用本实用新型的牺牲阳极后，随牺牲阳极连接杆的消耗，腐蚀产物能随铁丝网一并逐层脱离，有利于产品充分发挥对管道抗腐蚀的防护能力，提高了牺牲阳极表面的光洁性能和利用率。
用于石油输送管道牺牲阳极

[实用新型]一种张紧式安装的牺牲阳极结构-CN202021868490.4有效
发明人：张馨予;宋世德;秦铁男;刘磊 -专利权人：大连科迈尔防腐科技有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： C23F13/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种张紧式安装的牺牲阳极结构，包括钢丝绳和至少一个牺牲阳极组件，所述牺牲阳极组件包括牺牲阳极、连接件和固定套筒，所述连接件的外侧设有牺牲阳极，所述连接件的两端分别与一个固定套筒固定连接，本实用新型中将牺牲阳极与钢丝绳进行机械串联，安装方便，同时避免了钢丝绳在牺牲阳极浇铸过程中造成的力学性能下降的问题，在形成牺牲阳极结构的同时，还保障了钢丝绳的力学性能。
一种张紧式安装牺牲阳极结构

[实用新型]一种大吨位高电位镁合金牺牲阳极-CN202120602540.2有效
发明人：郝杰;梁国军;陈金庆;张俊峰;郭瑞峰 -专利权人：鹤壁万德芙镁科技有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： C23F13/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大吨位高电位镁合金牺牲阳极，包括牺牲阳极主体和铜芯，所述牺牲阳极主体中间设有铜芯，所述铜芯端部设有铜芯底座，所述铜芯底座中间设有圆形凹槽，所述圆形凹槽内部设有矩形块；所述牺牲阳极主体外侧为防护网，所述防护网内侧设有保护层，所述保护层中间设有加强筋，所述加强筋中间填充有锰镁合金牺牲阳极，提高了牺牲阳极的稳定性，且牺牲阳极的外侧得到了稳定的保护，提高了阳极的适用性和使用便捷性，同时也提高了牺牲阳极更换的快捷性
一种吨位电位镁合金牺牲阳极

[实用新型]牺牲阳极阴极保护装置-CN202222326292.0有效
发明人：吴锋明;却俊;莫健乐;许俊标 -专利权人：英辉南方造船（广州番禺）有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： C23F13/06 文献下载
摘要：本申请是关于一种牺牲阳极阴极保护装置。该装置包括：连接件、隔离绝缘件、牺牲阳极和馈电电缆；牺牲阳极设于连接件的一端，连接件另一端与待连接位置相适配；隔离绝缘件设于牺牲阳极上方，隔离牺牲阳极与待连接位置；馈电电缆一端连接牺牲阳极，另一端连接待保护体本申请提供的方案，通过绝缘安装于船体，并通过馈电电缆连接牺牲阳极和待保护体，如尾轴支架、舵叶等待保护体，能够利用还原性强的牺牲阳极的腐蚀来保护阴极(如尾轴支架、舵叶等待保护体)，使待保护体减缓腐蚀。
牺牲阳极阴极保护装置

[发明专利]一种双振膜硅麦克风及其制造方法-CN202210704348.3在审
发明人：万蔡辛;何政达;赵成龙;陈骁;巩啸风;蔡春华;蒋樱;林谷丰 -专利权人：无锡韦感半导体有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种双振膜硅麦克风及其制备方法，其结构包括：下结构层、第一振膜、背极板、第二振膜、第一空腔、第一牺牲层锚区、第二空腔、第二牺牲层锚区、第三空腔、第三牺牲层锚区、通孔、气体流动通道、连接杆、释放孔其制造方法包括以下步骤：在下结构层上依次沉积第一牺牲层、第一振膜、第二牺牲层；沉积背极板，并图形化形成通孔；沉积第三牺牲层，并图形化形成深槽；沉积连接杆膜层，并图形化；沉积第二振膜，并图形化形成释放孔；释放第二牺牲层和第三牺牲层；沉积封口材料，并图形化形成腔体封口结构；光刻刻蚀下结构层背面，并停止在第一牺牲层，形成气体流动通道；腐蚀释放第一牺牲层部分材料，形成第一空腔。
一种双振膜硅麦克风及其制造方法

[发明专利]一种基于复合牺牲层的红外探测器制作方法-CN201110065880.7有效
发明人：姜利军;池积光;钱良山;罗雯雯 -专利权人：浙江大立科技股份有限公司
申请日： 2011-03-18 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合牺牲层制作红外探测器的方法，在CMOS硅衬底上依次完成金属层、第一层牺牲层聚酰亚胺、第二层牺牲层非晶硅、通过对牺牲层图形化形成的通孔；层叠制作结构层、通过图形化形成的接触孔；制作敏感层在牺牲层释放时，首先释放第二层牺牲层，再释放第一层牺牲层。本发明提供的红外探测器制作方法，与现有技术相比，有效地利用两种不同牺牲层的优点，既可以利用有机牺牲层对CMOS表面进行平坦化、提高与金属间的粘附性，又利用无机牺牲层控制聚酰亚胺的挥发性，与CMOS工艺更加兼容
一种基于复合牺牲红外探测器制作方法

[发明专利]电极防污装置与镀膜系统-CN201510695591.3有效
发明人：徐瑞美;蔡陈德;翁志强 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开一种电极防污装置，本电极防污装置包括第一电极结构、第二电极结构、牺牲层以及滚动条带动装置。第二电极结构与第一电极结构相对配置。牺牲层位于第一电极结构与第二电极结构之间，牺牲层可移动地紧贴于第一电极结构的外表面。滚动条带动装置带动牺牲层，以将牺牲层卷绕于滚动条带动装置上。此外，一种镀膜系统亦被提出。本发明公开一种电极防污装置，本电极防污装置包括第一电极结构、第二电极结构、牺牲层以及滚动条带动装置。第二电极结构与第一电极结构相对配置。牺牲层位于第一电极结构与第二电极结构之间，牺牲层可移动地紧贴于第一电极结构的外表面。滚动条带动装置带动牺牲层，以将牺牲层卷绕于滚动条带动装置上。此外，一种镀膜系统亦被提出。
电极防污装置镀膜系统

[发明专利]微机电器件及其形成方法-CN200410055678.6有效
发明人： M·G·蒙罗;E·L·尼克尔;D·M·拉扎罗夫 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2004-08-02 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种形成MEMS器件的方法包括在子结构(200)沉积传导材料(224)，在传导材料上形成第一牺牲层(230)，其中包括在第一形成层上形成大致平的表面(232)，并在第一牺牲层的大致平的平面上形成第一元件(141)，其中包括通过第一牺牲层第一元件与传导材料连通。另外，该方法还包括在第一元件上形成第二牺牲层(270)，包括形成第二牺牲层的大致平的表面(272)，在形成第二牺牲层之后，形成穿过第二牺牲层到第一元件的支承件(290)，其中包括填充支承件，并在支承件上形成第二元件(142)以及第二牺牲层的大致平的表面。因此，该方法还包括大致去除第一牺牲层和第二牺牲层，由此通过支承件相对于第一元件支承第二元件。
微机器件及其形成方法

[发明专利]形成微机电结构的方法及用于制作微机电结构的模具-CN200710111036.7有效
发明人：张家华;吴华书;赖宗沐 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-06-13 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种形成微机电结构的方法及用于制作微机电结构的模具，特别涉及一种形成微机电结构的方法，包括：提供一基板；形成一第一图案化牺牲层于部分的该基板上，该第一图案化牺牲层包括一主体部与一突出部；形成一第二图案化牺牲层于该第一图案化牺牲层上，覆盖该第一图案化牺牲层的突出部与部分的主体部，其中该第二图案化牺牲层并未覆盖该第一图案化牺牲层的侧壁；形成一元件层于该基板上，以覆盖该基板、该第二图案化牺牲层与该第一图案化牺牲层；以及移除该第一与第二图案化牺牲层
形成微机结构方法用于制作模具

[发明专利]一种MEMS器件的制作方法-CN201710059049.8有效
发明人：王明军;汪新学 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS器件的制作方法，所述方法包括:提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆的正面依次形成第一牺牲层和刻蚀停止层；在所述第一牺牲层和刻蚀停止层上形成第二牺牲层；在所述MEMS晶圆的背面形成与所述刻蚀停止层对应的开口，所述开口露出部分所述第一牺牲层；去除露出的所述第一牺牲层，以完全露出所述刻蚀停止层；去除露出的所述刻蚀停止层；去除露出的所述第二牺牲层，以形成背腔。根据本发明提供的MEMS器件的制作方法，通过在第一牺牲层和第二牺牲层之间形成刻蚀停止层，然后去除所述第一牺牲层和所述刻蚀停止层，得到平整的开口底部，避免了后续去除第二牺牲层过程中形成碗形轮廓残留导致的MEMS
牺牲层刻蚀停止层去除晶圆开口制作碗形轮廓背腔良率破损背面平整残留保证生产

[实用新型]一种大功率海上风力发电机组单桩基础牺牲阳极保护装置-CN201420546065.1有效
发明人：许世俊;王军;钱爱明;赵玉蓉;车金星;缪李红;唐王薇 -专利权人：江苏海灵重工设备科技有限公司
申请日： 2014-09-23 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： C23F13/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大功率海上风力发电机组单桩基础牺牲阳极保护装置，包括上压箱、下压箱、牺牲阳极、上牛腿和下牛腿，所述牺牲阳极的顶部通过上压箱与上牛腿固定连接，所述牺牲阳极的底部通过下压箱与下牛腿固定连接，所述上牛腿和下牛腿分别固定在单桩基础的桩体上，其特征在于：所述牺牲阳极的顶端与桩体间连接有上导电扁铁，所述牺牲阳极的底端与桩体间连接有下导电扁铁，所述牺牲阳极的顶部与上压箱间设置有上橡胶减震器，所述牺牲阳极的底部与下压箱间设置有下橡胶减震器本实用新型结构简单易于制作，可以监控牺牲阳极的消耗和灵活更换牺牲阳极，结构强度高、保护性能好，是一款积极保护单桩基础使用寿命的新型产品。
一种大功率海上风力发电机组桩基础牺牲阳极保护装置

[实用新型]一种防腐蚀装置-CN201821769989.2有效
发明人：贺文彬 -专利权人：中船动力研究院有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： C23F13/16 文献下载
摘要：该防腐蚀装置包括金属壳体、牺牲块、控制组件和检测水箱，金属壳体上设置有进水口和出水口，与冷却水管相连，牺牲块设置在金属壳体内部，牺牲块与连接在金属壳体上的冷却水管形成原电池，且牺牲块作为原电池的阳极，金属壳体和检测水箱之间设置有连接管，控制组件与牺牲块相连，用于控制连接管是否导通，且控制组件被配置为仅当牺牲块被消耗完成后导通连接管。将牺牲块设置在金属壳体内部，使得牺牲块与连接在金属壳体上的冷却水管形成原电池，起到保护冷却水管的作用。当牺牲块被消耗完成时，金属壳体内部的水流入检测水箱中，使操作人员能够及时了解牺牲块需要更换的时间。
金属壳体冷却水管防腐蚀装置控制组件金属壳体内部原电池水箱连接管检测消耗本实用新型阳极出水口防腐蚀进水口完成时导通后导接管金属配置