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[发明专利]AlGaN基紫外LED外延结构-CN202010560013.X有效
发明人：周启航 -专利权人：佛山紫熙慧众科技有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种AlGaN基紫外LED外延结构，包括：一衬底；一氮化物异质结构层，其设置于所述衬底上；一金刚石/氮化物异质结构层，其设置于所述氮化物异质结构层上，所述的金刚石/氮化物异质结构层为金刚石/氮化物超晶格结构层；一氮化物异质有源区发光结构层，其设置于所述金刚石/氮化物异质结构层上；一p型氮化物异质结构层，其设置于所述氮化物异质有源区发光结构层上。本申请实施例提供的AlGaN基紫外LED外延结构通过设置金刚石/氮化物异质结构层，该金刚石/氮化物异质结构层为金刚石/氮化物超晶格结构层，从而可以利用超晶格的折射率差提高紫外波段的光子的反射，从而提高LED
algan 紫外 led 外延结构

[发明专利]异质结纳米材料、电子传输薄膜和显示器件-CN202111220878.2在审
发明人：朱佩;陈亚文 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质结纳米材料、电子传输薄膜和显示器件。该异质结纳米材料包括：第一金属硒化物及复合于第一金属硒化物上的第二金属硒化物，第二金属硒化物为银掺杂的金属硒化物，第一金属硒化物及第二金属硒化物之间形成异质结。该异质结纳米材料含有第一金属硒化物及复合于第一金属硒化物上的第二金属硒化物，第二金属硒化物为银掺杂的金属硒化物，第一金属硒化物及第二金属硒化物之间形成异质结，从而有利于自由电子迁移，使得异质结纳米材料具有较高的电导率；此外，该异质结纳米材料相比于单纯的金属硒化物纳米材料具有更好的光散射作用。
异质结纳米材料电子传输薄膜显示器件

[发明专利]一种新型的AlGaN基紫外LED外延结构-CN202010763404.1有效
发明人：周启航 -专利权人：佛山紫熙慧众科技有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的AlGaN基紫外LED外延结构，包括自下而上设置的金刚石/氧化锌复合柔性衬底、III族氮化物异质结构、金刚石/III族氮化物异质结构、III族氮化物异质有源区发光结构、p型III族氮化物异质结构，所述金刚石/氧化锌复合柔性衬底采用超晶格结构；本技术方案中，通过在III族氮化物异质结构与III族氮化物异质有源区发光结构之间设置金刚石/III族氮化物异质结构，金刚石/III族氮化物异质结构利用金刚石
一种新型 algan 紫外 led 外延结构

[发明专利]一种制备无裂纹氮化物半导体衬底的方法-CN200810167622.8无效
发明人：徐永宽;于祥潞;程红娟;杨巍;赖占平;严如岳 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2008-10-21 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种成本低廉且有效的制备无裂纹氮化物半导体衬底的方法，该方法包括：步骤A.将蓝宝石或硅等异质衬底粘附在高温下较稳定且不会对氮化物造成污染的蓝宝石或硅等基底上；步骤B.对所述异质衬底进行减薄和抛光处理，使其厚度为5～150微米；步骤C.采用HVPE法、MOCVD法或MBE法在所述异质衬底上生长一层较该异质衬底显著更厚的氮化物，该氮化物层的厚度最好是异质衬底厚度的三倍以上；步骤D.在氮化物生长结束后降温，所述异质衬底通常发生粉碎性破裂，继续将氮化物层上残留的异质衬底去掉，以得到的氮化物层作为氮化物半导体衬底。
一种制备裂纹氮化物半导体衬底方法

[发明专利]双金属硫化物异质结修饰隔膜及其制备方法和应用-CN202211441501.4在审
发明人：郭大营;王锦毅;陈锡安 -专利权人：温州大学
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01M50/451 文献下载
摘要：本发明双金属硫化物异质结修饰隔膜及其制备方法和应用，其技术方案是由一步水热法合成具有NiS2‑WS2异质结纳米片自组装构筑三维花状结构的双金属硫化物异质结材料；然后将双金属硫化物异质结材料制成浆料均匀涂覆在商业聚合物隔膜一侧表面，最终制得双金属硫化物异质结修饰隔膜，并应用在锂硫电池；本发明的双金属硫化物异质结修饰隔膜中的NiS2‑WS2异质结能够改善界面活性，增加表面催化活性位点，优化对多硫化物的吸附能力并促进催化转化，从而有效提高锂硫电池的倍率性能与循环稳定性能。
双金属硫化物异质结修饰隔膜及其制备方法应用

[发明专利]一种由同种金属与氧族元素构成的异质结薄膜及其制备和应用-CN201810255662.1有效
发明人：蒋良兴;陈佳;汪颖;刘芳洋;赖延清;李劼 -专利权人：中南大学
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种由同种金属与氧族元素构成的异质结薄膜的制备方法，金属盐、酸和水混合，得金属前驱体溶液；金属前驱体溶液在pH2～11、30～90℃下，在基底表面沉积、形成金属氧化物；金属氧化物与硫源、硒源中的至少一种在100～600℃的温度和‑0.05～1MPa的气压下进行热处理2～120min，得到所述的异质结薄膜；所述的异质结薄膜为金属的氧化物‑硫化物异质结薄膜、金属的氧化物‑硒化物异质结薄膜或金属的氧化物‑硫化物‑硒化物异质结薄膜。本发明还公开了所述的方法制得的异质结薄膜以及其应用。该法具有设备简单，价格便宜，易于大面积连续化生产等优点，所制备的薄膜厚度成分可控、形貌致密均匀、结晶性能和光电性能良好。
一种同种金属元素构成异质结薄膜及其制备应用

[发明专利]一种基于异质图卷积神经网络嵌入的作者名字消歧方法-CN201910635799.4有效
发明人：杜一;乔子越;周园春 -专利权人：中国科学院计算机网络信息中心
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G06F16/9535 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于异质图卷积神经网络嵌入的作者名字消歧方法，其步骤为：1)对于一待消歧的目标作者名，收集以该目标作者名所著的出版物，然后根据所收集出版物的标题、作者列表和出版刊物信息构建出版物异质属性网络；2)根据所述出版物异质属性网络，通过基于元路径随机游走策略生成包含出版物节点邻居节点文本信息的路径；3)根据所述出版物异质属性网络以及所述路径，基于异质图卷积神经网络嵌入模型学习每一出版物的表征向量；4)根据所述出版物异质属性网络和所述出版物的表征向量，构建该目标作者名的出版物同质网络；5)对所述出版物同质网络进行划分，得到若干簇；其中同一簇中的出版物为同一人的出版物集合。
一种基于图卷神经网络嵌入作者名字方法

[发明专利]一种MOF衍生的B/A/B结构氧化物异质结及其制备方法和应用-CN202210404530.7在审
发明人：任家桐;张衡;韦丁;谭博军;王琼林 -专利权人：西安近代化学研究所
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： B01J23/889 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOF衍生的B/A/B结构氧化物异质结及其制备方法和应用。所述MOF衍生的B/A/B结构氧化物异质结呈亚微米棒形貌，其中间层A为MnCo双金属氧化物，两端层B为Mg或Ni的氧化物，制备方法为：先将MnCo‑MOF分散在含一定浓度金属醋酸盐的无水乙醇溶液中，通过低温液相反应得到B/A/B结构MOF异质结，再在空气气氛下进行高温煅烧，得到B/A/B结构氧化物异质结。本发明制备的B/A/B结构氧化物异质结形貌、组成和结构新颖，能维持MOF异质结前体的元素分布特征，解决了从MOF出发难以制备B/A/B结构氧化物异质结的问题，且整个制备和后处理过程仅需使用无水乙醇一种有机溶剂所得B/A/B结构氧化物异质结在光还原二氧化碳反应中体现出优越的催化活性、选择性和稳定性。
一种 mof 衍生结构氧化物异质结及其制备方法应用

[发明专利]有异质结结构的过渡金属化合物及其制法和复合补锂材料-CN202210459653.0有效
发明人：谢佳;李书萍;刘猛闯;张薇;李思吾 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C01G39/02 文献下载
摘要：本发明提供一种具有异质结结构的过渡金属化合物，其特征在于，其为过渡金属氧化物‑过渡金属氮化物异质结。本发明还提供一种复合补锂材料，其特征在于，含有：有机锂盐和催化剂，其中，所述有机补锂材料为锂的碳氧化合物，所述催化剂为本发明提供的具有异质结结构的过渡金属化合物，即为过渡金属氧化物‑过渡金属氮化物异质结本发明提供的复合补锂材料，由于采用本发明提供的具有异质结结构的过渡金属化合物、即过渡金属氧化物‑过渡金属氮化物异质结作为催化剂，与使用单独的过渡金属氧化物或过渡金属氮化物作为催化剂时，能使有机锂盐分解电位下降得更多
有异质结结构过渡金属化合物及其制法复合材料

[发明专利]测试二维材料异质结中缺陷影响能量转移的方法-CN202111012065.4在审
发明人：刘大猛;王江彩;雒建斌 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种测试二维材料异质结中缺陷影响能量转移的方法，涉及半导体技术领域，包括：由下至上依次放置单层的下层过渡金属硫化物、隔离层及单层的上层过渡金属硫化物以制备异质结；对异质结进行若干次等离子体处理，以向异质结引入缺陷，且第一次处理时间等于0秒；每次对异质结进行等离子体处理后，均对异质结进行检测。通过设置隔离层能够使下层过渡金属硫化物与上层过渡金属硫化物之间产生间距，避免二者之间产生电荷转移影响测试结果的准确性。通过检测不同时间等离子处理后的异质结的能量转移情况，即可得出缺陷对于异质结能量转移的影响。
测试二维材料异质结中缺陷影响能量转移方法

[发明专利]一种制备氮化物自支撑衬底的方法-CN200910180531.2有效
发明人：徐永宽;殷海丰;程红娟;李强;于祥潞;杨丹丹;赖占平;严如岳 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2009-10-19 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备氮化物自支撑衬底的方法，包括：将异质衬底在单晶炉中生长氮化物薄膜；对生长有氮化物薄膜的异质衬底底部进行凹槽刻蚀，凹槽将异质衬底底部划分为若干个区域；刻蚀结束后，清洗生长有氮化物薄膜的异质衬底，然后放回单晶炉中继续生长，得到后续生长的氮化物膜；去除异质衬底，对后续生长的氮化物膜进行抛光处理，获得剥离后的氮化物自支撑衬底。本发明通过对生长有一薄层氮化物薄膜的初始异质衬底底部进行激光刻蚀，将衬底刻蚀成众多尺寸较小的区域，便于一部分应力的释放，缓解了应力对氮化物生长的影响，再在其上生长低弯曲度、无裂纹的高质量氮化物厚膜，这样便于大尺寸晶片剥离，获得氮化物自支撑衬底。
一种制备氮化物支撑衬底方法

[发明专利]一种新型的氮化物异质结构材料异质界面缺陷修复方法-CN202010763405.6在审
发明人：周启航 -专利权人：佛山紫熙慧众科技有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L29/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的氮化物异质结构材料异质界面缺陷修复方法，具体包括以下步骤：S1：向氮化物异质结构材料异质界面处引入阴离子；S2：使引入的阴离子占据非金属位且与相邻的Ga原子或In原子或Al原子结合形成化学键，以减少所述氮化物异质结构材料异质界面处的氮空位缺陷浓度；本技术方案中，利用上述方法可以有效降低氮化镓基材料界面处的界面态缺陷，改善氮化物光电子和微电子器件的界面载流子输运、光电转换效率和可靠性，以推动氮化物基光电子与微电子器件的推广应用
一种新型氮化物结构材料界面缺陷修复方法

[发明专利]基于蓝宝石衬底外延的准垂直器件及其制备方法-CN202311201390.4在审
发明人：张泽雨林;张春福;刘丁赫;陈大正;赵胜雷;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-09-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于蓝宝石衬底外延的准垂直器件及其制备方法，包括：衬底；p型氧化物异质外延层，位于衬底上；氧化镓外延层，位于p型氧化物异质外延层上；p型氧化物异质外延层与氧化镓外延层共同组成复合栅结构；阴极金属，位于氧化镓外延层上；阳极金属，位于p型氧化物异质外延层上，且至少部分环绕氧化镓外延层；通过阴极金属和阳极金属向复合栅结构施加偏置电压；其中，p型氧化物异质外延层、阳极金属、氧化镓外延层和阴极金属共同组成异质
基于蓝宝石衬底外延垂直器件及其制备方法

[发明专利]具有支持衬底的氮化物半导体器件及其制造方法-CN200810108148.1有效
发明人：佐野雅彦;野中满宏;镰田和美;山本正司 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2003-01-27 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化物半导体器件及其制造方法。具有在异质衬底上生长氮化物半导体层的工序、此后把支持衬底粘合到氮化物半导体层上的工序以及除去异质衬底的工序。上述粘合工序通过合金共晶而形成导电层。上述异质衬底的除去工序通过激光照射、研磨、化学抛光来进行。在上述异质衬底的除去工序后，具有通过对氮化物半导体的露出表面进行蚀刻、把氮化物半导体分离成芯片状的工序。在上述异质衬底的除去工序后，具有在氮化物半导体的露出表面上形成凹凸的工序。
具有支持衬底氮化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有支持衬底的氮化物半导体器件及其制造方法-CN03801898.5有效
发明人：佐野雅彦;野中满宏;镰田和美;山本正司 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2003-01-27 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化物半导体器件及其制造方法。具有在异质衬底上生长氮化物半导体层的工序、此后把支持衬底粘合到氮化物半导体层上的工序以及除去异质衬底的工序。上述粘合工序通过合金共晶而形成导电层。上述异质衬底的除去工序通过激光照射、研磨、化学抛光来进行。在上述异质衬底的除去工序后，具有通过对氮化物半导体的露出表面进行蚀刻、把氮化物半导体分离成芯片状的工序。在上述异质衬底的除去工序后，具有在氮化物半导体的露出表面上形成凹凸的工序。
具有支持衬底氮化物半导体器件及其制造方法

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